Атырау облысында таралған негізгі топырақ түрлерінің жүйелік тізбегі:
Ашықкаштанды: ашықкаштанды бірқалыпты,
ашықкаштанды сортаңды.
Шалғынды-каштанды: кәдімгі шалғынды-каштанды,
сортаңды шалғынды-каштанды.
Шөлдік қоңыр: бірқалыпты шөлдік қоңыр,
бірқалыпты шөлдік сортаң,
бірқалыпты эродирленген,
бірқалыпты аз дамыған.
Шөлдік-шалғындық қоңыр: кәдімгі шалғындық қоңыр,
шалғындық қоңыр сортаңды,
сорлау (солончаковатые) шалғындық қоңыр.
Тақырлар
Сорлар: қалдық сорлар,
сортаңданған сорлар,
шалғындық сорлар,
теңіздік сорлар.
Сортаңдар: шөлді-далалық сортаңдар,
шөлдік сортаңдар,
шалғындық шөлдік сортаңдар,
шалғындық сортаңдар.
Шалғындық: кәдімгі шалғын,
сорлау шалғын,
теңіз маңындағы шалғынды сорлар.
Лиманды-шалғын: лиманды-шалғынды сортаңдар,
лиманды-шалғынды тотыққан,
лиманды-шалғынды шайылған,
лиманды-шалғынды сорланған (солончаковые).
Аллювийлі-шалғындық: қатпарланған аллювийлі шалғындық,
кәдімгі аллювийлі шалғындық,
сорлау аллювийлі шалғындық,
сорланған аллювийлі шалғындық.
Шалғынды-батпақты: шалғынды-батпақты сортаңды,
шалғынды-батпақты сорлау,
шалғынды-батпақты сорланған,
шалғынды-батпақты теңіз маңының сорланған аймағы.
Батпақты: теңіз маңының батпақты сорлы аймағы.
Пайдаланылған әдебиеттер:
1. Фаизов К. Ш. Почвы Гурьевской области, Алма-Ата-1970 г. Вып. 13. 70-73 б.
2. Междуречье Волга-Урал как обьект орошения (в пределах Казахстана). -
Алма-Ата: Наука, 1982. -17-21.
3. Генезис и классификация полупустынных почв, Москва 1966,
изд.«Наука», 87-89 б.
4. Тазабеков Т. Т. Водно-солевой и пищевой режимы пойменных почв
Гурьевской области. Труды КазСХИ, т.10, 1965. 29-31 б.
Түйіндеме
Бұл мақалада Атырау облысының топырақ жамылғысына сипаттама беріледі. Сондай-ақ
топырақ түрлері мен жүйелік тізбегі келтірілген.
222
Summary
The description of Atyrau regional soil cover is given in the article.
УДК 332.368
ҚОСШАҒЫЛ КЕН ОРНЫНДАҒЫ МҰНАЙМЕН ЛАСТАНҒАН ТОПЫРАҚТАРДЫҢ
БИОРЕМЕДАЦИЯСЫ
А.Х.Ахметова, Н.И.Нурмуханов, "Экологиялық биотехнология" филиалының
кіші ғылыми қызметкерлері
Мұнай әртүрлі заттардың жер қыртысындағы сақталған көп жылғы өнімі, табиғаттың қоры
ретінде сол заттарды органикалық заттарға айналдырып келешекте энергия көзі ретінде
қолданылады.
Әлемде мұнайды тұтыну аса қарқынды өсіп келеді және болжам бойынша 2020 жылы мұнай
қаншалықты қалған болса, тұтыну да соншалықты болады.
"Қара алтынды" жерден шығару бірнеше сатылы тізбектен тұрады (бұрғылау – сору –
тасымалдау – қайта өңдеу - тұтыну) бұныңі әрқайсысы өз алдына қоршаған табиғи ортаны сан түрлі
улармен ластануға соқтырады.
Кен кеніштерінде мұнайдың төгілулерінен жиі авариялық жағдайларға көп болады. Себебі
мұнда ескірген техника мен технологиялық қондырғылар қолданылуда. Сонымен қатар мазуттенген
топырақ грунттер амбаларда сақталуда. Топырақ мұнаймен кең етек жая ластануда. Топырақта
битумдық қабық пайда болып, өндіріс лас сарқынды сулармен тұздануда. Техногендік бүлінуден
топырақта көбінесе жаңа келеңсіз белгілер мен қасиеттер пайда болады. Бұларды қалпына келтіру
үлкен материалдық шығынмен қаражатты қажет етеді. Бүгінгі таңда экологиялық жағдайларды
жақсарту мен мұнай өндірісінің табиғи қорларын тиімді пайдалану маңызды мемлекеттік мәселеге
айналып отыр. Мұнай-газ кен орындарының қоңыр және сұр-қоңыр топырақтары қолайсыз
экологиялық көрсеткіштермен ерекшеленеді.Табиғи жағдайда олардың өнімділігі төмен және
техногендік қысымы төмен келеді.
Зерттеу нысаны. Атырау облысы, Жылой ауданы "Қосшағыл" кен орны маңындағы мұнай
және мұнай өнімдерімен тарихи ластанған топырақтар және мұнай тотықтырғыш микроағзалар
штаммдарынан дайындалған «Бакойл» биологиялық препараты.
Зерттеу әдістері. Микробиологиялық және гравиметриялық.
Мұндай улануға ұшыраған және де қазіргі таңда өзекті экологиялық мәселеге айналып
отырған Атырау облысы, Жылой ауданы "Қосшағыл" кен орны маңындағы мұнай және мұнай
өнімдерімен тарихи ластанған үлкен көлемді аймақты жатқызуға болады. Жалпы "Қосшағыл" кен
орны Каспий маңы ойпатының оңтүстік – шығысында орналасқан. Бұл кен орны Атырау облысына
қарасты және 1926 жылы ашылған. Өнімді (мұнайлы) горизонттар 81-420 м тереңдіктерде орналасқан
мұнайдың өндірілуі 1 ден 320,2м
2
, тәулік шамасында мұнайдың тығыздығы 827–927 кг/м
3
. Мұнайы аз
күкіртті, құрамындағы 0,05 – 0,46 % күкірт кездеседі және де 0,22-1,87 % парафин бар. СН4 (метан)
газының мөлшері 72,7 - 89,3%, изобутан - 0,2 – 3,66%, С5Н12 - 4%, С3Н6 - 1,2-2,44%, С2Н6 - 2 - 10,1
%, және т.б. Жер асты сулары кальций хлорлы типті, тығыздығы 1119 кг/м
3
. Кен орны 1935 ж бастап
игеріліп келеді.
Мұнай өндірілген жылдар аралығындағы мұнай және мұнай өнімдерімен ластанған топырақтар
көлемі арта берді, осыған сай қоршаған табиғи ортаға және адам денсаулығынада зиян мөлшеріде
арта түсті. Мұнаймен ластануларды жою үшін адам баласы әр түрлі әдістерді, оның ішінде кеңінен
қолданылатыны, механикалық, физико – химиялық және биологиялық әдістер.
Осы әдістердің ішіндегі біздің филиалдың тәжірибеден өткізіп, қолданылатыны бұл
биологиялық әдіс, яғни мұнаймен ластанған топырақтарды биоремедиациялау әдісі. Биоремедиация
әдісінде – белсенді мұнай тотықтырғыш микроағзалар штаммдары негізінде биологиялық препарат
жасақталады. "Микробиология және вирусология институты" және біздің "БЗО" РМК "Экологиялық
биотехнология" филиалы бірлесе отырып жаңа отандық "Бакойл" биологиялық препаратын жасап
шығарды және де аталмыш биологиялық препаратты 2006 – 2008 жылдары "Жаңаталап" кен орнында
Астана қаласындағы «Ұлттық биотехнология орталығы» қызметкерлері сынақтан өткізген болатын.
Ондағы "Бакойл" препаратының мұнайды ыдыратуы 95% дейінгі көрсеткіште болды. Ал 2009ж бастап
"Қосшағыл" кен орнында біздің "Экологиялық биотехнология филиалының" ғылыми қызметкерлері
препаратты сынақтан өткізуді бастады. Бүгінгі күнге дейінгі препараттың мұнайды ыдыратуы 83,8%
дейінгі көрсеткішке жетті.
223
Биологиялық препарат негізінен паста тәріздес және оның құрамындағы консорциум 1 және
консорциум 2 микроағзалар штаммдарынан құрылған. Биоремедиация процесінен бұрын мұнаймен
ластанған жерлерді қопысытып органикалық және минералды тыңайытқыштарды енгізеді. Мұндағы
мақсат микроағзалардың жұмыс жасауына қолайлы жағдай жасау.
Зерттеу нәтижелері. Агротехникалық шаралар жүйесінен кейін "Қосшағыл" кен орнындағы
тәжірибе учаскелеріндегі мұнай мөлшері төмендегідей болды: (1-кесте)
Агротехникалық шаралардан кейінгі мұнай мөлшері кесте - 1
Учаске аты
Алғашқы кездегі
мұнай мөлшері мг/кг
Агротехникалық
шаралардан кейінгі мұнай
мөлшері
Мұнайдың
ыдырау пайызы
%
Бақылау
130607,5
121140,4
7,3
Консоциум 1
116440,0
10,9
Консорциум 2
114861,3
12,0
Паста тәріздес биопрепарат тәжірибе учаскесі топырағына 2-рет ендірілді, алғашқыда
препараттың әр консорциумдарынан 20 кг-ын 1500 л суға езіп, компрессормен аэрация жүргізілді.
Қайталама енгізуде әр консорциумдардан 12 кг–нан енгізілді. Дайын суспензияны К-900 бүріккішімен
топыраққа ендірілді. Биопрапарат ендірілген соң топырақты ылғалдап, культивациялайды.
Биопрепараттар ендірілгеннен кейінгі тәжірибе учаскесіндегі мұнай мөлшері төмендегідей: (2-кесте)
Биологиялық препаратты енгізгеннен кейінгі мұнай мөлшері кесте - 2
Учаске аты
Алғашқы кездегі
мұнай мөлшері мг/кг
Биопрепарат
ендірілгеннен кейінгі мұнай
мөлшері
Мұнайдың
ыдырау пайызы
%
Бақылау
130607,50
113579,50
13,0
Консоциум 1
59339,50
54,6
Консорциум 2
72642,75
44,4
Қайталап енгізу нәтижесінде биопрепарат қызметі одан әрі артты. Мәліметтер келесі кестеде
келтірілген: (3-кесте)
Қайталап енгізгеннен кейінгі биологиялық препараттың қызметі кесте - 3
Учаске аты
Алғашқы кездегі
мұнай мөлшері мг/кг
Агротехникалық
шаралардан кейінгі мұнай
мөлшері
Мұнайдың
ыдырау пайызы
%
Бақылау
130607,5
112420,5
13,9
Консоциум 1
21156,2
83,8
Консорциум 2
32298,5
76,0
Жоғарыда берілген мәліметтер, "қоршаған ортаны қорғау жөніндегі аналитикалық зертхана"
қортындысы бойынша берілген.
Зерттеу қорытындысы. Мәліметтерден және жүргізілген ғылыми – зерттеу жұмыстарынан
көріп отырғанымыздай биологиялық жолмен ластанған топырақты тазалау бұл бүгінгі күннің
экономикалық және экологиялық жағынан ең тиімді тәсіл болып саналады.
Себебі бұл әдіс өзге әдістермен салыстырғанда топыраққа, суға, атмосфералық ауаға,
жануарлар және өсімдіктер әлеміне, жалпы қоршаған ортаға ешқандай қосымша зардаптар тигізбейді.
Мысалы, физикалық, химиялық, термикалық әдістерде біздер табиғаттың өзге компаненттеріне залал
тигіземіз. Ал биологиялық әдісте ондай олқылықтарға жол берілмейді.
Енді экономикалық жағынан тиімділігі – бұл әдісте бізге көп мөлшерде техникалық құралдар
да, адам күші де, қаражат та қажет емес. Бар болғаны микроағзаларға қолайлы жағдай жасап, оларды
мұнаймен ластаған топыраққа енгізу.
Еліміздің болашағы үшін, басты байлығымыз денсаулығымыз бен табиғатымыз үшін неғұрлым
тиімді әрі қолайлы әдісті таңдағанымыз абзал болар!
224
Қолданылған әдебиеттер:
1. Булатов А.И., Макеренко П.Т., Шеметов В.Ю. Охрана окружающей среды в нефтегазовой
промышленности. - М.: Недра, 1997.
2. Диаров М.Д., Гилажов Е.Г., Димеева А.А. Экология и нефтегазовый компелкс. – Алматы: Ғалым,
2003.
3. Сериков Т.П., Сагындыкова Р.Р., Югай В.М., Ескужиева А.Б. об охране окружающей среды в
условиях добычи нефти и газа на предприятиях ОАО «Казахойл – Эмба» // нефть и газ. – 2001. – № 1.
4. Сапаров А.С., Файзов К.Ш., Асанбаев И.К. Почвенно- экологический состояние Прикапийского
нефтегазового региона и пути их улучшения. – Алматы, 2006
5. Франк Ю., Лушников С.В. Биотехнологический потенциал сульфотредуцирующих бактерий //
экология и промышленносты. – 2006. –№ 1.
6. Стабникова Е.В., Селезнева М.В., Рева О.Н., Иванов В.Н. Выбор активного микроорганизма –
деструктора углеводородов для очистки нефтезагрязненных почвь // Прикладная биохимия и
микробиология. – 1995. – Т.31. - № 5.
7. Соловьев В.И., Кожанова Г.А., Гудзенко Т.В., Кривицкая Т.Н., Семина Н.В. Биоремедиация как
основна восстановления нефтезагрязненных почвь. // Проблемы сбора, переработки и утилизации
отходов. – Одесса: ОЦНТ ЭИ, 2001.
Резюме
В данной статье говорится о биоремедиаций нефтезагрязненных почв на месторождений
«Косчагыл».
Sumary
At the station speaking the bioremediation oil polluted soil at «Koschagilish» deposation.
ӘОЖ 621.3.049.77.
МИКРОЭЛЕКТРОНИКАДАҒЫ НЕГІЗГІ ТЕХНОЛОГИЯЛЫҚ ҮРДІСТЕР
А.Ж. Кабатова, Х.Досмұхамедов атындағы Атырау мемлекеттік
университетінің магистранты
Бүгінгі интегральды электроника «Металл—диэлектрик—жартылайөткізгіш» құрылымымен
тығыз байланысты. Бұл жүйені қолданып тек микросұлбаларды ғана емес сонымен қатар дискретті
жартылай өткізгішті құралдарды жасауға болады.
Жартылай өткізгіштің беттік қабатының тегістігі және әр қабаттың жанасу беттерінің тегістігі
микроэлектроникада үлкен маңызға ие. Беттің тегіс болмау салдарынан беттік рекомбинация туындап
диодтардың, транзисторлардың және фотоэлектрлік құралдардың сипаттамалары күрт нашарлайды.
Беттің тегіс болмауы фотоэлементтер және басқа да фототүрлендіргіштердің пайдалы әсер коэффици-
ентін азайтып, транзисторлардың р–п ауысуының кері токтарының артуын туғызады.
Жартылай өткізгішті құралдардың мүлтіксіз жұмыс жасауы жартылай өткізгіштің беттік
потенциалының тұрақты болуына да тікелей байланысты, себебі ол беттік тасымалданатын зарядқа
әсер етеді. Ал өз кезегінде беттік потенциал (сыртқы электрлік ығыстырушы болмаса) беттік
деңгейлерде орналасқан электрон күйлерімен және «диэлектрик—жартылайөткізгіш» шекарасындағы
жүйеде инжекцияланған зарядпен анықталады [1]. Сонымен электрондық күйлердің параметрлерін
және диэлектриктердегі заряд шамасын білумен қатар олардың температура, өріс, сәулелену әсер
еткен жағдайда тұрақтандыра білу керек. Бұл өте күрделі мәселе.
Егерде жартылай өткізгіштерді басқа қоспалардан тазартпаса, онда беттік қабаттың
электрондық деңгейлеріне сол қоспалардың электрондары орналасып алады да, сипаттамаларды және
параметрлерді өзгертеді. Соның арқасында беттік потенциалдың дрейфіне әкеледі, ал оның планарлы
біркелкілігі жойылса құрал істен шығады. Сол себепті микроэлектроника технологиясында қорғаушы
қабат қолданылады. Ең тиімді зат Si0
2
, кейде оны бор, фосфор немесе қорғасын қоспаларымен
толықтырады.
Беттік қабаттың тегістігі жартылай өткізгішті құралдардың төменгі жиілікте жұмыс жасағанда
пайда болатын шуға да әсері бар. Оны түсіндіру өте оңай, егерде беткі қабат зарядтарды қармап
алатын болса, онда соның салдарынан құралдағы ток пен заряд флуктуациясы туындайды.
Енді тағы бір көңіл бөле кететін жағдай, жартылай өткізгіштердің беттік қабатына зарядтардың
жабысуы [2]. Жабысу пайда болуы электрон мен кемтіктің қармап алу қимасы бір-бірінен күрт
айырмашылығы болса жүзеге асады. Ал жабысу орталықтары жартылай өткізгіштің тыйым салынған
аймақтарында рұқсат етілген энергетикалық деңгейлерге жақын орналасады, сол себепті ұсақ
225
аймақтар деп аталады. Олардың табиғаты кремний үшін беттік ақаулардың құрылымымен тікелей
байланыстылығы анықталған. Мұндай ақаулар кремний пластиналарын механикалық өңдеу
жағдайында немесе химиялық өңдеу кезінде туындайды.
Жабысу орталықтары жартылай өткізгішті құралдардың көптеген сипаттамаларына әсер етеді:
жұмыс жылдамдығы, фотосезімталдылығы, термотұрақтылығы, күшейту коэффициенті. Сол себепті
әрбір жеке жағдайда беттік жабысуды жою немесе жоймау мәселесі әртүрлі шешіледі. Моноатомды
жартылай өткізгіштерде де беттік қабат қоспалар мен ақаулардың жиналу орталығы болып табылады.
Олар бәрі де жартылай өткізгіштен немесе диэлектриктен бетке бағытталады.
Кез келген жұқа қабатты құрылымды алудың өзіндік қиыншылықтары бар. Оның басты
себептерінің бірі шектеуші беттік әсер.
Осындай пленкалы құрылымдар кремнийлік жаймаларда жасалады. Кремний әлі де
интегральды электрониканың негізгі материалы болып табылады. «Аcа өткізгішті пленкалы құрал
ретінде де Si» ең тиімді материал болып отыр. Біріншіден - кремнийлі жайма беткі қабаттан
пластинадағы оттегімен активті әсерлеседі. Аса өткізгіш қасиеті бар пленкалар оттегі қоспасына өте
сезімтал, сол себепті бұл реакция құрал параметрлеріне үлкен әсерін тигізеді. Осы әсер болдырмау
үшін Si бетіне буферлі диэлектриктер немесе металл қабат орналастырады. Ғалымдардың алдында
осы қабаттардың тиімді қатынасын табу мәселесі тұр [3].
Енді бір кремнийлі жайманың тағы бір артықшылығы оны планарлы технология әдісімен
кристалға салқындатушы элементтерді енгізуге болады. Олардың жұмысы Пельте эффектісіне - екі
қатты дене контактісінің электрондардың шығу жұмысы әр мәнді болса, контакт арқылы ток өткенде
температура айырымының пайда болуына негізделген. Сонда сұйық азотты қолдану қажеттілігі
жойылады. Корпус бөлме температурасында болса да контактілер салқындатылып отырылады, оларды
корпустан термоизоляциялайды.
Микроэлектроникада қолданылатын негізгі технологиялық үрдістер литографияға негізделген:
электронды литография, ионды литография қолданылады, олар сканерлеуші және проекциялаушы
бола алады; фотолитография оптикалық (стандартты λ=310-450нм немесе ультракүлгін λ=200-300нм)
және рентгенді (λ=0,1-10нм) бола алады, олар өз кезегінде микросаңылауда және проекциялық
жағдайда контактылы немесе контактылы емес болып жіктеледі. Сонымен қатар кейбір жағдайда
радиациялық –енгізілген диффузия әдісі қолданылады [4].
Технологиялық тізбек бірнеше циклдан тұрады, оның негізгілерін қарастырсақ:
Жайманы дайындауда механикалық және химиялық әдістер қолданылады, беттік қабаты
химиялық полировкалау арқасында механикалық ақаусыз тегістеледі (жайма технологиялық
үрдіске енген кезде бір рет жасалады);
Жайма бетіне қажетті берілген құрылымдағы қабат орналастырылады: эпитаксиальды өсіру,
диэлектрикті немесе металл қабат плёнкасы жабылады (әрбір цикл сайын), бұл үрдіс алдында
оксидтелу, коллекторлы изоляциясы бар биполярлы транзисторлар үшін фотолитография
және диффузия n+қабат үстіне міндетті түрде аралас изоляция жүргізіледі, себебі сұлба жасау
барысында қажетті де міндетті элемент болып табылады (изопланарлы-1,2; полипланарлы),
бірақта басқа биполярлы транзисторлар олар қолдану тиімсіз (коллектордың кедергісін
азайтып жұмыс істеу жылдамдығын арттыру);
Жайма үстінде қорғаушы бетті тудыру: кремнийлі жайма жағдайында беткі қабатты
тотықтандарады, ал басқа жағдайларда диоксидті немесе нитридті кремний қабаттың немесе
басқа материалдың қабатын төменгі мәнді диффузия коэффициентті легирлеуші қоспалар үшін
эпитаксиальды өсіру жүзеге асырылады. Қабат қалыңдығы легирленуші элемент жаймаға
қорғаушы қабат арқылы еніп кетпейтіндей қалыңдықта жасалады.
Бұл әдістер жартылай өткізгішті дайындаудың негізгі сатыларына байланысты:
р-типті аймақты құрау (жергілікті қоспаны енгізу)
n- типті аймақты құрау (жергілікті қоспаны енгізу)
Өткізгішті жолақтарды және контактілерді дайындау (металдың артық аймақтарын жою)
Сатылар реті қоспаның диффузия коэффициентіне және температураға қатысты анықталады.
Алғашында жоғары температурада қозғалғыштығы аз қоспаларды енгізіп және таратып алады.
Температура төмендегенде қозғалғыштығы жоғары қоспалар енгізіліп таратылады. Оның себебі
диффузии коэффициентінің температураға тәуелділігі экспоненциальды түрде анықталады. Мысалы
кремнийге ~950С температурға дейін р-типті бор енгізеді содан соң ~750С температурда n-типті
фосфор енгізіледі. Өткізуші жолақтарды тудыру ең соңғы кезекте жүргізіледі.
Кремнийді алюминий мен фосфорға енгізудің дифузиялық легирлендіруден және үдере
енгізуден басқа радиациялық трансмутация әдісі қолданылады. Бірақ бұл жағдайда жайманың
кристалдық торында ақау туындайды. Легирлену пластина материалының барлық беттері және
барлық көлемі бойынша жүреді. Легирлену үшін кремнийдің тұтас құймалары қолданылады. Бұл әдіс
кейбір жоғары кедергілі жартылай өткізгішті құралдарды жасауда тиімді.
226
Микросұлба өндірудегі қорытынды сатылар:
Жыру
Жайма платинада қажетті құралды жасақтау аяқталғаннан кейін пластинаны шағын тек бір
дайын құралды қамтитын аймақтарға бөледі.
Бөлу әртүрлі жолмен жүзеге асады:
1. Алмаз пышақпен кесу – пластинаны кристалдық бір қыл бойымен кесу.
2. Жылулық соққы арқылы бөлу (сирек қолданылады).
3. Сақиналы ара көмегімен кесу: пластина құймасын кесуші қондырғы сияқты, бірақта сақина
дискінің диаметрі кіші және кесуші жиегі үлкен болмайды.
4. Химиялық жыру - өн бойына химиялық әсер ету арқылы жүзеге асады.
5. Болат сымдар немесе жазықтармен кесу. Ол болат сымдарды кристалға үйкелегенде, сол
аймаққа абразивті суспензия беріледі.
6. Лазерлік сәулемен кесу: лазерлік сәулені қажетті жерге фокустау арқасында сол жердегі зат
буланады да кристалл керекті бағытта бөлінеді.
Кесу сатысынан кейін кристалдарды бөлудің негізгі үш түрлі әдісі бар:
1. Серіппелі ролик әдісі: полиэтилен пакетке салынған пластинаны қалың резиналы негізге
жолақтарын төмен қаратып орналастырады содан соң оператор жолақтар бойымен серіппелі
роликті жүргізіп өтеді. Сыну сапасы роликтің қозғалыс бағытының жолаққа сай келуіне
байланысты. Егерде ролик бағыттан ығысса өнім сапасы нашарлауы мүмкін.
2. Жартысферда сындыру: пластинаны эластикалы сфералық формадағы мембранмен қысып
мембрананы жоғары қысыммен қысамыз. Бұл әдісте сынуға жататын пластина диаметрі 76мм-
ден артық болса сапа нашарлайды.
3. Екі цилиндрлік валиктер арасынан өткізу. Пластинаны клегей тасымалдаушыға орналастырып
екі жағынан болат және резина валиктермен сығады, резиналы валиктің деформациялану
салдарынан пластинаға майыстырушы қысым әсер етеді.
Кристалдарды корпусқа бекіту
Кесіп болғаннан кейін кристалды негізгі корпусқа бекітеді:
1. Желімдеу әдісімен - эпоксидті смола негізінде жасалған желім көмегімен, уақыт өтуімен
желімдеу күші нашарлайды: жылу өткізгіштігі кемиді, морт сынғыш, қосу нүктелері әлсірейді.
Бұл әдіс қазір қолданылмайды.
2. Эвтектикалық балқыту әдісі: корпустың керамикалық негізіне пластинаның теріс бетіне
сындырудың алдында кристалды бөлу жолақтарына алтын жалатамыз. Кристалды бекіту
аймағына алтын фольга орнатып, кристалды корпустың керамикалық негізіне орналастырады,
380° дейін қыздырады және вертикаль бағытта күш түсіреді. Бұл әдіс өте қымбат
болғандықтан арнайы сұлбаларда қолданылады.
3. Пластмассамен кристалды герметизациялау үшін дәнекерленген арматурамен тасымалдаушы
лентаға орналастырады.
4. Шынымен жалғастыру – төменгі температурада балқитын және температураға байланысты
ұлғаю коэффициенті сызықты болатын шыны түрін таңдау мүмкіндігінің шектеулі болуына
байланысты, жұқа пленкалы құралдар үшін қолданылмайды. (гибридті және қалың плёнкалы
интегральдық сұлбалар үшін ғана қолданылады).
5. "Аударылған кристалл" әдісі – кристалға бір мезгілде бірнеше контакт қосылатын болса
көлемді контакт қосылады.
Достарыңызбен бөлісу: |