А. Ф. Новиков строение вещества
где е – заряд электрона
жүктеу/скачать 2,4 Mb. Pdf көрінісі
|
|
где е – заряд электрона; n n – концентрация электронов в зоне проводимости; u n – подвижность электрона проводимости в кристалле 1) (индекс│ n относится к электрону). 77 Электроны зоны проводимости являются, однако, не единственными носителями заряда в собственном полупроводнике. Валентный электрон, покидая свое место и переходя в зону проводимости, уносит одновременно из данной области кристалла отрицательный заряд. Нейтральная до этого область, потеряв отрицательный заряд, становится заряженной положительно. Эта положительно заряженная в результате электронного перехода область получила название – дырка. Электроны при своем перемещении могут притягиваться областью положительного заряда, дыркой, и заполнять ненасыщенную связь. Так электрон и дырка компенсируют друг друга, или, как говорят в этом случае, рекомбинируют. Если рекомбинация осуществляется за счет перемещения валентного электрона из соседней области в область дырки, то положительный заряд перемещается в обратном направлении. Внешне это выглядит так, будто дырка двигается по кристаллу в сторону отрицательного электрода. Дырка в кристалле обладает всеми свойствами частицы: скоростью, импульсом, подвижностью, ей может быть приписана некоторая эффективная масса. Однако, если электрон способен к самостоятельному существованию, то дырка, естественно, вне кристалла не существует – это квазичастица. Таким образом, при наложении внешнего электрического поля в собственном полупроводнике происходит двоякий процесс: смещение электронов зоны проводимости и независимое от него движение дырок в противоположном направлении. Носителями заряда в собственном полупроводнике являются электроны зоны проводимости и дырки валентной зоны, то есть осуществляется проводимость n – р - типа. жүктеу/скачать 2,4 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|