Атты III халықаралық ғылыми-тәжірибелік конференция жинағЫ
"SCIENCE AND EDUCATION IN THE MODERN WORLD
жүктеу/скачать 8,11 Mb. Pdf көрінісі
|
| "SCIENCE AND EDUCATION IN THE MODERN WORLD:
CHALLENGES OF THE XXI CENTURY" NUR-SULTAN, KAZAKHSTAN, JULY 2019 95 полупроводниковой тензометрии, кроются в новых широких возможностях, которые открывают полупроводниковые тензодатчики для экспериментаторов, работающих в областиавиационной и нефтеперерабатывающий промышленности для исследования прочности материалов, конструкции для конструкторов, нанотехнологических преобразователей механических величин (силы, давления, момента и т.д.) в электрические сигналы. До настоящего времени малоизученными остаются физические механизмы тензорезистивного свойства кристаллов многокомпонентных полупроводниковых соединенийтипа А III B III C 2 VI и твѐрдых растворов на их основе. Важным стимулом к исследованию полупроводников с сильно анизотропной структурой служит их возрастающее практическое значение. Сильная анизотропия сил химической связи между атомными комплексами в низкосимметричной кристаллической структурой сложных соединений TlInS 2х Se 2(1-х) , в некоторых случаях (структура содержит цепочечные построения), при исследовании их физических свойств, предопределяет специфические особенности, благодаря которым эти соединения становятся объектами для модельных представлений. Исследование тензорезистивных механизмов монокристаллов твердых растворов TlInS 2х Se 2(1-х) в этом плане привело к весьма интересным результатам. Прежде всего, следует подчеркнуть, что на этих кристаллах, проявляется сильный пьезорезистивный эффект в направлении [001], что в сочетании с их механическими, упругими, кристаллографическими и другими особенностями делает их весьма перспективными материалами для создания новых миниатюрных высокочувствительных медицинских приборов и надежных электромеханических преобразователей. Поэтому целью нашего исследования явилось изучение влияния различных внешних физических факторов, в том числе упругих деформаций на тензорезистивные свойства соединение TlInS 2х Se 2(1-х) . жүктеу/скачать 8,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|