Дәріс жартылай өткізгіштік физика негіздері. Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі. P-n ауысу теориясы. Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Негізгі ақпарат
жүктеу/скачать 1,04 Mb.
|
Д ріс жартылай ткізгіштік физика негіздері. Жартылай ткізгіште
| Өрістік транзистордың құйма отсечки UЗИ.отс – бастау тоғы берілген төменгі мәнге тең болатын қанықпау режимінде жұмыс істейтін p-n өткелі бар немесе тұйықталған бекітпесі бар транзистордың бекітпесі мен бастауы арасындағы кернеу.
Өрістік транзистордың тірек кернеуі Uс.ост – бастау тоғы берілген төменгі мәнге ие болатын қанығу режимінде жұмыс істейтін бекітпесі және бастауы тұйықталған транзистордың бекітпесі мен бастауы арасындағы кернеу. Өрістік транзисторы сипаттамасының тереңдігі, S – ортақ бастауы бар сұлба бойынша қосылған транзистордың шығысындағы айнымалы тоқ қысқа уақытқа тқйықталған кездегі тоқтың бекітпедегі кернеудің өзгеруіне байланысты өзгеруі. Өрістік транзистордың кіріс сийымдылығы, С11и – ортақ бастау сұлбасы бойынша қосылған сұлба шығысындағы айнымалы тоқтың қысқаша тұйықталуы кезіндегі бекітпе мен бастау арасындағы сйымдылық. Өрістік транзистордың шығыс сийымдылығы, С22.и – ортақ бастау сұлбасы бойынша қосылған сұлба кірісіндегі айнымалы тоқтың қысқаша тұйықталуы кезіндегі құйма мен бастау арасындағы сйымдылық. Өрістік транзистордың өтпелі сйымдылығы, С12.и – ортақ бастау сұлбасы бойынша қосылған сұлба кірісіндегі айнымалы тоқтың қысқаша тұйықталуы кезіндегі бекітпе мен бастау арасындағы сйымдылық. Бекітпе-құйма сйымдылығы СЗСО – басқа қалған шығыстардағы айнымалы тоқтардың қысқаша тұйықталу кезіндегі бекітпе мен құйма арасындағы сйымдылық. Бекітпе-бастау сйымдылығы, СЗИО – басқа шығыстардағы айнымалы тоқтар бойынша тқйықталмаған бекітпе мен бастау арасындағы сйымдылық. Қуат бойынша күшейту коэффициенті Кур – нақты бір жиілік және қосылу сұлбасы кезіндегі өрістік транзистордың шығысындағы қуаттың кірісіндегі қуатқа қатынасы. Өрістік транзисторлардың жиіліктік қасиеттері бектіпенің RC-тізбегінің тұрақты уақытымен анықталады. p-n өткелді транзисторлардың кіріс сийымдылығы үлкен болғандықтан (оншақты пикофарад), оларды жиілігі жүздеген килогерц – бірлікті мегагерц аспайтын диапазонда ғана үлкен кіріс кедергісі бар күшейткіш каскадтарда қолдануға болады. Ауыспалы сұлбаларда жұмыс істеген кезде ауысу жылдамдығы бекітпенің RC-тізбегінің тұрақты уақытымен анықталады. Бекітпесі тұйықталған қрістік транзисторларда кіріс сймдылығы айтарлықтай төмен, сондықтан олардың жиілікті қасиеттері p-n өткелі бар өрістік транзисторларға қарағанда жақсырақ. Шекаралық жиілік формуласымен анықталады, мұнда fгр - жиілік, МГц; S – транзистор сипаттамасының тереңдігі, мА/В; - шығыс тізбегінің айнымалы тоғының қысқаша тұйықталу кезіндегі бекітпе мен бастау арасындағы сйымдалақ, пФ. Өрістік транзисторлардың шулық қасиеттері шу коэффицентқталады, Кш, ол құйма-бастау кернеуіне, құйма тоғына және қоршаған орта температурасына (С-төмен) онша тәуелді емес және сигнал көзінің жиілігі және ішкі кедергісі азайған сайын жалап өсіп отырады. Шу коэффиценті берілген режимде тұрақты тоқ бойынша , нақты бір жиілікті өлшенеді. Шу коэффицентінің орнына кейбір жағдайларда өрістік транзистордың шулық кернеуін көрсетеді. Өрістік транзисторлардың вольтамперлік сипаттамалары құйма тоғының UCИ немесе UЗИ кернеулерінің бірінен тәуелділігін анықтайды. n-типті индуцирленген арнасы бар МДП-транзисторлардың ерекшелігі арнаның негізгі тасымалдағыштарына қанықпаған және қаныққан режимдерінде тұрақты ығысу кернеуінсіз (UЗИ =0) жұмыс істеу мүмкіндігі. Орнатылған арнасы бар МДП-транзистордың вольт-амперлі сипаттамасы төменде көрсетілген. Өрістік транзисторларды қолдану бойынша нұсқаулар. Өрістік транзисторлардың вольт-амперлі сипаттамалары лампалыларға тән транзисторлрдың барлық қасиеттеріне ие. Бұл оларды электронды шамдар қолданатын сұлбаларда қолдануға мүмкіндік береді, мысалы, жоғарыомды кірісі бар тұрақты тоқты күшейткіштерде, электрометрикалық күшейткіштерде, түрлі уақыт релелерінде, төменгі және инфратөменгі жиіліктердің синусоидалдық тербелістерінің RS-генераторларында аратәрізді тербеліс генераторларында, ішкі кедергісі жоғары қорек көздерінен жұмыс істейтін төменгі жиілік күшейткіштерінде, төменгі жиіліктің RC-фильтрлерінде қолдануға мүмкіндік береді. Тұйықталған бекітпесі бар өрістік транзисторлар жоғары жиілікті күшейткіштерде, ығыстырғыштарда, кілттік құрылғыларда қолданылады. Төменде сериялы МОП-транзистордың шығыс вольт-амперлі сипаттамасының шығыс топтамасы берілген, ол квадратты формаға ие. МОП-транзистодың параметрлері: qc – шығыс өткізу қабілеті, qm – сипаттама тереңдігі; Uпор –шектік кернеу; тасымалдағыштардың ұшып өту уақыты арна ұзындығына тең Тс = L2. МОП-транзисторлардың жылдамдығын жоғарлату үшін арна ұзындығын қысқарту керек L. Тс = (L2/nUс ), L=1 мкм және одан төмен, n –тасымалдағыштардың өткізу қабілеті. Өрістік транзисторларды қолдануға арналған нұсқаларға келесідей толықтырулар еңгізіледі. 1. p және n арнасы бар өрістік транзисторлардың бекітпесіне келесідей кернеулер беру керек: p арналы транзисторға теріс кернеу; n арналық транзисторға оң кернеу беру керек. 2. Бекітпесі оқшауланған өрістік транзисторларды қысқартылған шықпалармен сақтау керек. Транзисторларды сұлбаға қосар кезде статикалық электрлік зарядтарды жоюға арналған барлық шараларды қолдану керек. Қажетті дәнекерлеу жұмыстары жерге қосылған металл тақшаларында іске асуы керек. Жұмыс кезінде синтетикалық киімдер киюге болмайды. Өрістік транзисторларды сұлбаға қоспас бұрын оның шықпаларын алдына қысқарту керек. жүктеу/скачать 1,04 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|