1.1. Эффект p-n перехода в диодах 1.1.1. Общие сведения
Двухэлектродный полупроводниковый элемент - диод содержит n - и p -проводящий слои (рис. 1.1.1). В n-проводящем слое в качестве свободных носителей заряда преобладают электроны, а в p-проводящем слое - дырки. Существующий между этими слоями p-n переход имеет внутренний потенциальный барьер, препятствующий соединению свободных носителей заряда. Таким образом, диод блокирован.
П
Рис. 1.1.1
ри прямом приложении напряжений («+» к слою p, «—» к слою n) потенциальный барьер уменьшается, и диод начинает проводить ток (диод открыт). При обратном напряжении потенциальный барьер увеличивается (диод заперт). В обратном направлении протекает только небольшой ток утечки, обусловленный неосновными носителями.
1.1.2. Экспериментальная часть
Задание
Снять вольтамперную характеристику полупроводникового диода в прямом и обратном направлениях.
Порядок выполнения эксперимента
К диоду (рис.1.1.2а) при прямой полярности приложите напряжение постоянного тока UПР, величины которого указаны в табл. 1.1.1, измерьте с помощью мультиметра соответствующие токи IПР и их значения занесите в таблицу. Используйте при этом схему измерения с погрешностью по току.
в
Рис.1.1.2
Таблица 1.1.1
Достарыңызбен бөлісу: |
