Электронные приборы
Характеристики транзистора
жүктеу/скачать 4,87 Mb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- 4.3.2. Экспериментальная часть
4.3. Характеристики транзистора4.3.1. Общие сведенияСвойства транзисторов описываются следующими четырьмя семействами характеристик. Входная характеристика показывает зависимость тока базы IБ от напряжения в цепи база/эмиттер UБЭ (при UКЭ = const). Выходная характеристика показывает зависимость тока коллектора IК от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы. Характеристика управления представляет собой зависимость тока коллектора IК от тока базы IБ (при UКЭ = const). Характеристика обратной связи есть зависимость напряжения цепи база ¤ эмиттер UБЭ, соответствующего различным неизменным значениям тока базы, от напряжения цепи коллектор/эмиттер UКЭ при различных фиксированных значениях тока базы. 4.3.2. Экспериментальная частьЗадание Снять экспериментально и построить графики четырех семейств характеристик биполярного транзистора n-p-n типа. Порядок выполнения экспериментов Соберите цепь согласно схеме (рис.4.3.1). Потенциометр 1 кОм используется для регулирования тока базы, резисторы 100 и 47 кОм – для ограничения максимального тока базы. Измерение тока базы IБ и напряжения UБЭ производятся мультиметрами на пределах 200 μА и 2 В соответственно. Регулирование напряжения UКЭ осуществляется регулятором источника постоянного напряжения, ток коллектора IК и напряжение UКЭ измеряются виртуальными приборами (пределы измерения коннектора изменяются в ходе работы по мере необходимости или по подсказкам компьютера). Установите первое значение тока базы 20 μА и изменяя напряжение UКЭ согласно значениям, указанным в табл. 4.3.1, снимите зависимости IК(UКЭ) и UБЭ(UКЭ). Повторите эти измерения при каждом значении IБ, указанном в таблице. Рис.4.3.1 жүктеу/скачать 4,87 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|