Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»



Pdf көрінісі
бет46/159
Дата10.10.2022
өлшемі8,62 Mb.
#42085
түріОқулық
1   ...   42   43   44   45   46   47   48   49   ...   159
Байланысты:
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)

62
 
Е
бал 
анықтау үшін 2.6, б суреттегі кіріс тізбегінің баламалы жүйесіне 
арналған Киргхофтың екінші заңын жазамыз: 
І
Б
-R
бал
+ І
Э
R
Э
Е
бал
 
 
U
БЭ

(
2.15)
I
Б
= I
К
/β, I
Э
I
К
, теңеуін ескере отырып (2.15) теңеуді қайтадан жазамыз:
І
Э
β
Rбал
+
ІЭR
Э 
= Ебал — UБЭ
; 
Кремнийден жасалынған транзисторларына арналған U
БЭ
, келесіні жазуға 
болады: 
І
Э
(
Rбал
β
+
R
Э
) =
Ебал
− 0,7;
(
2.16)
 
(2.16) формуладан
І
Э
табамыз: 
І
Э
=
Е
БАЛ
−0,7
Rбал/β
+
R
Э
;  
R
Э
>> R
экв
/
β туындыдағы бірінші қосқышқа мән бермеуге болады, онда 
теңеу келесідей түрге енеді: 
І
Э
=
Е
БАЛ
−0,7

; (
2.17)
 
Бұл көрініске тыныштық нүктесінің параметрлерін қоя отырып, Е
бал
табамыз:
Е
бал
I
Э
R
Э
 + 0,7 = 0,05 • 12 + 0,7 = 1,3 В.
R
бал
табу үшін ортақ эмиттері бар сызбаның тұрақтылығы 
коэффициентіне арналған көріністі пайдаланамыз. [5] сәйкес бұл көрініс 
төмендегідей болады: 
S
=
β
(1−β(
ɖІ б
ɖІ к
))
;  
бұл жерде S — тұрақтылық коэффициенті.
1
Э
= 1
К
+ 1
Б
теңеуін ескере отырып, 2.6, б суреттегі сызбаға арналған 
төмендегі формулаға ие боламыз: 
І
Б 
=
Ебал−
𝑈бэ
𝑅бал+ 𝑅э

𝑅э
𝑅бал+ 𝑅э
= Ік; 
Бұл көріністің І
К 
бойынша дифференциялануы төмендегіні береді:
ɖІ б
ɖІ к
=

𝑅э
𝑅э+ 𝑅бал
; 
Бұл көріністі 
S 
арналған формулаға қоя отырып, келесіні аламыз: 
S
=
𝛽(𝑅э+ 𝑅бал)
(𝛽+1)𝑅э+ 𝑅бал
;
Β ≥ 1 болғандықтан, бірлік туындысына мән бермеуге болады. 


63
 
Нәтижесінде аламыз: 
S
=
𝛽(𝑅э+ 𝑅бал)
𝛽𝑅э+ 𝑅бал
; (
2.18)
 
Сызбаның тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін S коэффициентінің 2-ден 
10-ға дейінгі диапазондағы мәнін қамтамасыз ету қажет. Мысалы, S 
= 10. 
онда (2.18) шарттан келесіні аламыз: 
𝑅бал
=
𝛽𝑅э(S−1)
𝛽−S
=
100 ·12(10−1)
100−10
= 120 Ом;
бұл жерде 𝛽=100 КТ3102А транзисторының төлқұжаттық деректеріне 
сәйкес. 
XSC1
2.7-сурет. Биполярлы транзистордағы күшейткіш каскадты 
үлгілеу.


64
 
а
 
2.8- сурет. Күшейткіштің кіріс және шығыс сигналдарының 
осциллограммасы :
а — кіріс сигналы амплитудасы 0,4 В; б — кіріс сигналы амплитудасы 0,7 В


65
 
2.3.
 
R

=
Rбал
−Ек
Ебал
=
120 •12
1,3
= 1 107 Ом; 
R

арналған, 
R
1
= 1,1 кОм жақын стандартты мәнді қабылдаймыз; 
R

=
Rбал
−Ек
Ек−Ебал
=
120 •12
12−1,3
= 134,6 Ом; 
Шамалас үлкен R
2
= 140 Ом стандартты мәнін қабылдаймыз. 
Сонымен, біз күшейткішке кіретін барлық резисторлардың 
номиналдарын анықтадық:: R
К
= 120 Ом; R
Э
= 12 Ом; R
1
= 1,1 кОм; R
2

140 Ом.
Күшейткіштің есептелген параметрлермен қалай жұмыс істейтінін 
тексерейік. 2.7-ші суретте Multisim 10 бағдарламасында жасалған 
күшейткіштің сызбасы келтірілген. Сызбаға төмендегілер қосылған: C
2
, С
3
тарату сыйымдылықтары, R

жүктеме резисторы, тұйықтағыш конденсатор 
C
1
. С
1
конденсаторы, ауыспалы құрамдас бөліктері бойынша каскадтағы 
теріс кері байланыстың көрінуін жоққа шығара отырып, R
Э 
резисторын 
тұйықтайды. 
С
1
конденсаторы,ның 
болмауы 
сызбаның 
күшею 
коэффициентінің кемуіне алып келер еді. Күшейткіштің кірмесіне 
синусоидалды сигналды береміз және осциллографтың экранында 
кірмедегі (төменгі амплитуда сигналы) және шықпадағы (жоғары 
амплитуда сигналы) сигналдары үлгісін бақылаймыз. 
2.8, а суретте амплитудасы 0,4 В және жиілігі 1 000 Гц болатын кіріс 
сигналы және шығыс сигналы көрсетілген. Шығыс сигналы дұрыс 
синусоида үлгісіне ие, бұл сигнал бұрмаланусыз күшейетінін көрсетеді. 
Кіріс сигналы амплитудасын 0,7 В ұлғайтамыз және 2.8, б суретте 
көрсетілген осциллограмманы аламыз. Шығыс сигналы осциллограммасы 
үстінен және астынан кесіледі.
Бұл біріншіден, кіріс сигналы амплитудасының аса үлкен екендігін 
және шығыс сигналының төменнен кесу аймағына түсетінін, ал жоғарыдан 
– қанығу аймағына түсетінін білдіреді; екіншіден, біз жүктеме қисық 
сызығының жұмыс нүктесін айтарлықтай дәл таптық, өйткені сигнал 
үстінен және астынан симметриялы кесіліп отыр. 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   42   43   44   45   46   47   48   49   ...   159




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет