LiSO4 × H2O кристалын 80К температурада рентген сәулемен тұрақты қоздырған кезде алғашқы кезінде максимумдары 4.5-4.6эВ, 4.1-4.2эВ болатын сәулеленудің кең жолақтар пайда болды. 1-суреттегі 1-қисық. Рентген сәулемен қоздыру аяқталғаннан кейін спектральдық орналасуы бойынша рентгенлюминесценциясының кең жолағымен сәйкес келетін фосфоресценция байқалды. 1-сурет, 3-қисық.
LiSO4 × H2O кристалын 80К температурада рентген сәулемен тұрақты қоздырған кезде алғашқы кезінде максимумдары 4.5-4.6эВ, 4.1-4.2эВ болатын сәулеленудің кең жолақтар пайда болды. 1-суреттегі 1-қисық. Рентген сәулемен қоздыру аяқталғаннан кейін спектральдық орналасуы бойынша рентгенлюминесценциясының кең жолағымен сәйкес келетін фосфоресценция байқалды. 1-сурет, 3-қисық.
Рентген сәулемен қоздырылған LiSO4 × H2O кристалды 80К температурада қыздырған кезде ТҚЛ-ның максимумы 120-160К аралықта 150К болатын интенсивті кең шың пайда болды. 330-380К температура кезінде ТҚЛ-ның әлсіздеу шыңы пайда болады. 150К кезіндегі ТҚЛ-ның спектральдық құрамының сәулелену жолағының шыңы спектральдық орналасуы бойынша рентенлюминесценция жолағымен сәйкес келіп тұрғанын ерекше белгіліп қою керек (1-cурет, 2-қисық). Осындай эксперименттік қорытындылар LiNaSO4 , LiKSO4 кристалдар үшін де алынды.
Рентген сәулемен қоздырылған LiSO4 × H2O кристалды 80К температурада қыздырған кезде ТҚЛ-ның максимумы 120-160К аралықта 150К болатын интенсивті кең шың пайда болды. 330-380К температура кезінде ТҚЛ-ның әлсіздеу шыңы пайда болады. 150К кезіндегі ТҚЛ-ның спектральдық құрамының сәулелену жолағының шыңы спектральдық орналасуы бойынша рентенлюминесценция жолағымен сәйкес келіп тұрғанын ерекше белгіліп қою керек (1-cурет, 2-қисық). Осындай эксперименттік қорытындылар LiNaSO4 , LiKSO4 кристалдар үшін де алынды.