95
(А
1
) айыру тәртібінде және (А
2
) қанығу тәртібінде транзистор теріс кіріс
кернеуімен U
кір
(
р – п –р-транзисторына арналған) ауыстырылады. Сонымен
бірге, U
шығ
кернеуі (3.5-ші сурет) U
К2
= U
КЭқан
(0,2...2,0 В шамасында)
минималды мәніне ие болады. Коллектор тоғы:
І
К2
= Іқан ≈
Ек
𝑅к
;
Қанығу тәртібіндегі база тоғы келесі шартпен анықталады:
І
б
> Ібқан
=
Ікқан
𝛽
;
Транзисторды ашық қалыпқа ауыстыруға арналған кіріс кернеуі,
келесі
шартпен анықталады:
U
кір
>І
бқан
𝑅б +
U
КЭқан
Лайықты кілттің ашық қалыптағы кедергісі шексіздікке тең, ал жабық
қалыпта – нөлге тең. Биполярлы транзисторларға арналған кілттер
қаныққан және қанықпаған деп бөлінеді.
Ашық қалыптағы қаныққан кілттер жоғары тұрақтылықтарымен
ерекшеленеді (сыртқы жүктеменің өзгеруі,
яғни коллектор тізбегіндегі
тоқтың, транзисторды қаныққан қалыптан шығармайды). Қаныққан кілттер
ашық және жабық қалыптарда шағын қуаттылықты тұтынады, өйткені
бірінші жағдайда эмиттер – коллектор өтпесіндегі кернеу нөлге жақын.
Қаныққан кілттер шығыс кернеуінің үлкен құбылуын қамтамасыз етеді.
бірақ, жылдам әрекет етуде қаныққан кілттер қанықпағандарға жетпейді:
базадағы жиналып қалған тасымалдағыштарды таралуы бірқатар уақытты
алады. Ортақ эмиттері бар қаныққан кілттің сызбасы 3.5-суретте
ұсынылған.
«Минусты»
U
кір
кернеуін базаға берген жағдайда, күші
R резистормен
шектелетін база тоғы пайда болады және қаныққан коллектор тоғы
І
Кқан
тек
R
К
резисторымен шектелгенде, транзистор қаныққан тәртіпке өтеді:
І
Кқан
≈
Ек
𝑅к
;
3.5- сурет. Ортақ эмиттері бар қанныққан кілт сызбасы
Кіріс кернеуінің әрекет ету кезеңінде
қанығудың коллекторлық тоғы
І
Кқан
өзгеріссіз қалады. Қанығу тәртібін қамтамасыз ету үшін, база тоғы болуы
қажет:
І
б
≥
ІКқан
𝛽
;
бұл жерде
𝛽 - база тоғын беру коэффициенті, 𝛽 =
Ік
Іб
;
Е
Б
көзі транзисторды сенімді жабады, өйткені кіріс кернеуі сөнген
жағдайда, базаның «плюсіне» қосылатын болады. Егер, Е
Б
көзі болмаса,
және
U
кір
= 0 болса, транзистор жабылады. Қуат көзі
Е
К
база
тізбегінде,
үлкен деңгейде температураға байланысты болатын, І
к.о
кері тоқ
коллекторын жасайды. Кейде оны жылу тоғы деп атайды. Қалыпты
температурада жылу тоғы микроамперлер бірліктерін немесе ондықтарын
құрайды, бірақ температураның ұлғаюымен жылдам артады. Осылай,
герменийден жасалынған транзисторлар үшін температураның 20°С
үстіндегі әрбір 10°С өзгеруінде, І
к.о
тоғы шамамен 2 есеге ұлғаяды.
Коллектордың кері тоғы
І
к.о
R резисторда,
транзистордың ашық қалпы
үшін жеткілікті болуы мүмкін, базадағы теріс полярлылықты кернеудің
құлауын жасайды. Сондықтан,
Е
Б
кернеуі максималды жұмыс
температурасында базаның теріс полярлығын өтеуі қажет.
І
к.о
жылу тоғы
ішінара
R
Б
резисторы арқылы өтеді және онда кернеудің төмендеуін
туғызады.
Транзистордың жабық қалпындағы база – эмиттер өтпесіндегі кернеу:
U
БЭ
=
Е
Б
-
І
к.о
R
Б
.
Ол сенімді жабылу үшін базадағы 0,05...0,1 В оң кернеуді
қамтамасыз
етуі қажет.
І
к.о
коллектордың кері тоғы
Е
Б
тәуелді емес.
R
Б
үлкен кедергісі
және жеткілікті жоғары температура жағдайында,
R
Б
Е
Б
-
дан жоғары болуы
мүмкін және транзистор жабылмайды. Бұл жағдаяттарды
R
Б
және
Е
Б
таңдағанда назарға алу қажет.
Транзистордың ауыстырылып қосылуы уақытын қысқартатын
С
конденсаторы жылдамдатқыш деп аталады. Кіріс сигналын берген кезде
конденсатор қуат алады. Кіріс сигналын
алып тастаған жағдайда,
Е
Б
және
Uкір көздерінің ішкі кедергісі арқылы конденсатордың қуаты сөнеді,
базаның оң әлеуеті ұлғаяды және транзистор жылдам жабық қалыпқа өтеді.
Достарыңызбен бөлісу: