Оқулық «Білім беруді дамытудың федералдық институты»
жүктеу/скачать 5,26 Mb. Pdf көрінісі
|
Каз.Морозова Электротехника и электроника
- Бұл бет үшін навигация:
- 11.4. ӘМБЕБАП ДИОДТАР
| 11.5
-сурет. Жазық түзеткіш диодтың конструкциясы: 1 — шығыс; 2 — шыны төлке; 3 — жартылай өткізгішті кристалл; 4 — сомын; 5 — шайба; 6 — негіз; 7 — металл корпус балқыту немесе диффузия əдістері. Балқыту әдісі кезінде донорлық қоспасы бар кристалл пластинасына акцепторлық қоспа таблеткасын салады, ол пеш қызғанда балқиды. Балқыма ішінара кристаллға енеді жəне кристалл массасымен шектелетін p- типті аймақ түзеді. Осы шекарада p —n-ауысу түзіледі. Диффузия әдісімен диодты дайындаған кезде донорлық қоспасы бар кристалды акцептордың газды ортасына (акцепторлық қоспасы бар кристалды - донордың газ ортасына) орналастырады жəне белгіленген температурада ұзақ уақыт ұстайды. Балқыту əдісі қоспаның концентрациясы кенет өзгеретін p —n-ауысу алуға мүмкіндік береді. Диффузия əдісінде p —n-ауысу аймағындағы қоспаның атомдарының концентрациясы біртіндеп өзгереді.. Диодтың негізгі сипаттамасы (11.2, б-суретті қараңыз) оның вольт-амперлік сипаттамасы болып табылады, оның түрі p —n- ауысудың сипаттамасына сəйкес келеді. Айнымалы тоқты түзетуге арналған жартылай өткізгішті диодтар түзеткіш деп аталады. Жартылай өткізгіш диодтар радиоэлектроника, автоматика жəне есептегіш техника құрылғыларында, күштік (теориялық) түрлендіргіш техникада кеңінен қолданылады. Жоғары қуатты диодтар тартқыш электр қозғалтқыштарды, станок жетектерін жəне механизмдерде қолданылады. 11.4. ӘМБЕБАП ДИОДТАР Әмбебап диодтар деп нүктелік немесе микроқоспалы электронды-кемтікті ауысуы бар кремний немесе германий диодтарды айтады. Нүктелік немесе микроқоспалы диодтар n- типті электрондық өткізгіштігі бар кремний немесе германий негізінде дайындалады. n -типті өткізгіштік қалыптастыру процесіне əсер етеді. 170 Кремний жəне германий осы диодтардың базалық аймағы болып табылады. Эмиттер функциясы додтың негізгі кристалының беттерінің біріне акцепторлық қоспаны (индий немесе алюминий) қалыптау (біріктіру) арқылы алынған p-типті жартылай өткізгішті аймақты орындайды. Электр қалыптаудың физикалық мəні мықты қысқа мерзімді тоқ импульстері тура немесе кері бағытта өткізгенде, металл электродтың (иненің) ұшы негізгі жартылай өткізгішпен балқып бірігуі болып табылады. Жəне де электрод атомдарының инеге жанасатын жартылай өткізгіштігінің бетінің тереңдігіндегі диффузияға байланысты р-типті өткізгіштігі бар қабат түзіледі, себебі индий немесе алюминий диффузиялық атомдары акцептор болып табылады. Осылайша, жарты шар тəріздес кішігірім аймақты күрт электронды-тесікке ауыстыру негізгі жартылай өткізгіш пен шекарада қалыптастыру процесінде пайда болған р-типті аймақты құрайды. Диодты нүктелер электронды өткізгіштігі бар жартылай өткізгіштің пластинасы түрінде жасалады, ол төменнен металлдың жұқа қабаты жəне метал негізіне жағылған. Пластинаға вольфрам сымынан жасалған түйіспелі серіппені қолдайды, оның соңында индий немесе алюминий қабаты жабылған. Бұл қабат акцептордың қоспасы болып табылады жəне саңылау өткізгіштікпен жартылай өткізгіш аймақтың аяқталған соңында құруды қамтамасыз етеді. р- жəне n-жартылай өткізгіштер арасында электронды-кемтікті ауысу түзіледі. Диод шыны немесе металл корпусқа салынады, оның ұштарына шығыстары бар түтіктер орнатылған. Корпус жартылай өткізгіш элементті механикалық бүлінуден, ылғалдан қорғайды жəне діріл, сілкілеу жəне соққы жағдайында диодтың қалыпты жұмысын қамтамасыз етеді. Әмбебап диодтар жиіліктердің кең диапазонды түзеткіштерде, сондай-ақ электрлік сигналдардың детекторларында жəне басқа да сызықты емес түрлендіргіштерінде жұмыс істей алады. Қазіргі заманғы жартылай өткізгіш диодтардың мақсатына, физикалық қасиеттеріне, негізгі электрлік параметрлеріне, құрылымдық-технологиялық сипаттамаларына, бастапқы жартылай өткізгіш материалына қарай жіктелуі диодтардың шартты белгілер жүйесінде көрініс табады. Диодтардың шартты белгіленуі мен таңбалау жүйесінің негізіне бастапқы жартылай өткізгіш материал, аспаптардың қосалқы класы (немесе тобы), міндеті (параметрі немесе əрекет ету принципі), құлыптауды ашудың реттік нөмірі туралы ақпаратты көрсететін əріптік-цифрлық код салынған. 171 Бірінші сан немесе əріп жартылай өткізгіш кристалдың материалды білдіреді (1 санымен немесе Г əрпімен германий, 2 санымен немесе K əрпімен - кремний, 3 санымен немесе А əрпі - галий арсениді). Екінші орында диодтың класын білдіретін əріп тұрады (Д - түзеткіш, А - ЖЖС диодтар, B - варикап, С - стабилитрон, И - туннельдік диод). Соңғы үш сан аспаптың қолданылу түрін немесе саласын сипаттайды (егер цифрлар 101...399 щегінде болса, онда диод айнымалы тоқты түзетуга арналған, егер 401...499 шегінде болса, диод жоғары жиілікті жəне аса жоғары жиілікті тізбектерде жұмыс істеуге арналған, егер 501...599 шегінде болса, онда диод импульстік тізбектерде жұмыс істеуге арналған). Соңғы əріп диодтың кейбір конструктивті немесе басқа ерекшеліктерін білдіреді (аспаптың түрі). жүктеу/скачать 5,26 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|