Исследование вах диода при различных температурах
Методика проведения эксперимента
жүктеу/скачать 448,07 Kb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Особенности измерения статических ВАХ полупроводниковых приборов с помощью прибора ИСХ1.
|
Методика проведения эксперимента Особенности измерения статических ВАХ полупроводниковых приборов. Для измерения статических ВАХ полупроводниковых диодов имеет значение выбор схемы включения измерительных приборов. На рис. 5 представлены две возможные измерительные схемы. а) б) Рис. 5 Если внутренне сопротивление амперметра равно нулю, а внутреннее сопротивление вольтметра стремиться к бесконечности, то эти две схемы идентичны. При работе с реальными измерительными приборами эти условия не выполнимы. Схему рис. 5а принято применять в случае, если внутреннее сопротивление вольтметра намного больше сопротивления исследуемого полупроводникового прибора (например, диод в прямом смещении). Схему рис. 5б принято применять в случае, если внутреннее сопротивление амперметра намного меньше сопротивления исследуемого полупроводникового прибора (например, диод в обратном смещении). При составлении измерительной схемы очень важно правильно соблюсти полярность генератора и измерительных приборов, а так же учесть их возможную электрическую связь друг с другом (гальванически развязаны, имеют общую «землю» или какое-то сопротивление связи). Особенности измерения статических ВАХ полупроводниковых приборов с помощью прибора ИСХ1. Исследование вольт-амперных характеристик диода производится с помощью модульного учебного комплекса МУК-ТТ2 рис. 6, в состав которого входит измеритель статических характеристик ИСХ1. Он содержит в себе генератор испытательных сигналов, амперметр и два вольтметра. 6 Прибор ИСХ1 позволяет проводить запись полученных данных на ЭВМ через СОМ-порт. Для этого необходимо воспользоваться программой управления прибором ish1.exe. Генератор напряжения и вольтметры имеют общую «землю», а амперметр имеет сопротивление связи 1 МОм. Входное сопротивление вольтметров составляет 1 МОм, а сопротивление амперметра (в диапазоне с масштабным коэффициентом 10 мА/дел.) составляет 3 Ом. На экране измерителя ИСХ1 может отображаться одновременно ВАХ прямого и обратного смещения диода. По этой причине одна из характеристик в зависимости от выбора схемы включения будет отображаться с систематической погрешностью. Рекомендуется для исследования диода выбрать схему для обратного смещения рис. 7. В этом случае обратная ветвь будет отображаться корректно, а прямая - иметь ошибку определения падения напряжения на диоде не более 10%. Для тока 20 мА падение напряжения на внутреннем сопротивлении амперметра составляет 3*20=60мВ. При этом прямое смещение диода составляет 0.6-0.7 В. Исследование обратной ветви ВАХ необходимо осуществлять при больших температурах, т. к. исследуемый кремниевый диод КД212 при напряжении 15 В и комнатной температуре имеет обратный ток менее 1 мкА. Рис. 7 жүктеу/скачать 448,07 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|