1
К
= f
1
(І
Б
);
β
ст
=
f
2
(І
Б
);
β
дин
= f
3
(І
Б
)
Толтырылған кестені және графиканы зертханалық жұмыс бойынша
есепке көшіріп алу.
9.4-кестеге сәйкес зертханалық жұмыс нұсқаларын орындау.
5.
Бақылау сұрақтары.
1.
Биполярлы транзисторды қалай алуға (дайындауға) болады?
9.3-кесте
І
Б
,
мА
0 0,01 0,02 0,03 0,04 0,05 0,06
0,07 0,08 0,09
І
К
,
мА
0
Δ
І
К
,
мА —
β
ст
—
β
дин
—
9.4-кесте
Нұсқа
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
U
КЭ,
В
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
243
2.
Биполярлы транзистордың кіру сипаттамасы деп нені атайды?
3.
Биполярлы транзистордың шығу сипаттамасы деп нені атайды?
4.
p
—
n
—
p-
және
n
—
p
— n-типті биполярлық транзисторлардың
шартты белгіленулерін сызыңыз және транзистор шығыстары
атауларын көрсетіңіз.
5.
Ортақ эмиттерлі сызбада, транзистордың тоқты өткізуі үшін
n—
p
—n-транзисторы базасына қандай кернеу беру қажет (оң немесе
теріс) (өзіңіздің таңдауыңызды
p
—n-өтпелерінің қажетті
ығысуына байланысты түсіндіріңіз)?
6.
І
Б
, I
K
,
1
Э
тоқтарын байланыстыратын теңдікті келтіріңіз.
р
статикалық
және
динамикалық
параметрлерінің
айырмашылықтары қандай?
№ 9.3. Зертханалық жұмысы
Дала транзисторы
1. Жұмыс мақсаты:
дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру,
S
= f
1
(І
С
); І
С
= f
1
(U
ЗИ
) тәуелділіктері графигін құру;
2.
Жұмыс барысында пайдаланылған аспаптар мен толымдаушылар
тізбесі: характериограф,
индукцияланған арнасы бар
MOSFET дала
транзисторы.
3.
Зертханалық жұмыстың сипаттамасы.
Дала транзисторлары
(FET
— Field Effect Transistors) екі типке
бөлінеді:
с басқарушы p
—n- өтпелі (JFET — Junction FET)
дала
транзисторы және оқшауланған бекітпелі дала транзисторы
(MOSFET
— Metal Oxidе Semiconductor FET). Отандық әдебиетте
оқшауланған бекітпелі транзисторлар
МОП-транзистор
немесе
МДП-
транзистор деген атпен белгілі.
Оқшауланған бекітпелі транзисторлар өз
кезегінде индукцияланған арналы транзисторлар және енгізілген арналы
транзисторлар
болып
бөлінеді.
Санамаланған
транзисторлардың
әрқайсысы п-арналы, сонымен бірге р-арналы болулары мүмкін.
Зертханалық жұмыстарда ортақ көзбен сызба бойынша жалғанған, мысалы
2N7000 тәрізді, индукцияланған п-арналы оқшауланған бекітпелі дала
транзисторы пайдаланылатын болады. Бұл транзистордың вольт-амперлік
сипаттамасы,
басқарушы p
—n- өтпелі дала транзисторының вольтамперлік
сипаттамасына ұқсас. Бірақ, ағар – көз тұрақты кернеуі жағдайында,
бекітпе – көз кернеуінің (U
ЗИ)
ұлғаюымен (U
СИ
= const) ағардың тоғы
I
С
кемігеннің орнына артатындығында болатын айтарлықтай ерекшелігі де
бар.
244
Характериографтың көмегімен дала транзисторының вольт-амперлік
сипаттамасын құру қажет. Алынған қисық сызықтарды пайдалана отырып,
9.5-ші кестені толтыру және тәуелділіктер графикасын құру қажет.
1)
Достарыңызбен бөлісу: |
