Фототранзисторы — это полупроводниковые приборы с двумя p-n переходами, предназначенные для преобразования светового потока в электрический ток. От обычного биполярного транзистора фототранзистор конструктивно отличается тем, что в его корпусе предусмотрено прозрачное окно, через которое свет может попадать на область базы. Напряжение питания подается на эмиттер и коллектор, его коллекторный переход оказывается закрытым, а эмиттерный — открытым. База остается свободной. При освещении фототранзистора в его базе генерируются электроны и дырки. В коллекторном переходе происходит распределение электронно-дырочных переходов, достигших в результате диффузии, границы перехода. Дыры (неосновные носители зарядов в полупроводнике), перебрасываются полем перехода в коллектор, увеличивая его собственный ток, а электроны (основные носители зарядов) остаются в базе, снижая ее потенциал. Снижение потенциала базы приводит к образованию дополнительной прямого напряжения на эмиттерном переходе и усиления инжекции дырок из эмиттера в базу. Инжектированных в базу дырки, достигая коллекторного перехода, вызывают дополнительное увеличение тока коллектора.
Ток коллектора освещенного фототранзистора оказывается достаточно большим; отношение светового тока к темнового достигает нескольких сотен. Применяют два варианта включения фототранзисторов: диодное — с использованием только двух выводов (эмиттера и коллектора) транзисторное — с использованием трех выводов, когда на вход подают не только световой, но и электрический сигнал. В оптоэлектронике, автоматике и телемеханике фототранзисторы используют для тех же целей, что и фотодиоды, но они уступают им по порогу чувствительности и температурному диапазону. Чувствительность фототранзисторов растет с интенсивностью их освещения.
Фототиристор— это полупроводниковый прибор с четырехслойной p-n-p-n структурой, который сочетает в себе свойства тиристора и фотоприемника и преобразует световую энергию в электрическую. При отсутствии светового сигнала и управляющего тока фототиристор закрыт и через него проходит только темновой ток. Открывается фототиристор световым потоком, который поступает на базы p2 и n1 через «окно» в его корпусе и создает электронно-дырочные пары. Это приводит к возникновению первичных фототоков и образования общего фототока. Из этого следует, что при поступлении светового потока на базы p2 и n1 возрастает эмиттерный ток, коэффициент передачи тока α от эмиттера к коллектору является функцией освещенности, которая меняет ток p-n nepexoда. Сопротивление фототиристора изменяется в пределах от 0,1 Ом (в открытом состоянии) до 10 8Ом (в закрытом), а время переключения составляет величину 10-5— 10-6 с.
Из световой характеристики Iпр. = F (Ф) при Uпр. = Const видно, что при включении фототиристора ток через него возрастает до Iпр. = Епр. / Rнагр. и больше не меняется, то есть фототиристор имеет два стабильных состояния и может быть использован как элемент памяти. По вольтамперной характеристике Iпр. = F ( Uпр.) при Ф = const (Ф 2 > Ф1> Фо) видно, что с увеличением светового потока напряжение и время включения уменьшаются.