Ю., Ташкеева Г.Қ. Физикалық материалтануға кіріспе
жүктеу/скачать 5,26 Mb.
|
treatise13466
Р–Т-проекциядағы үш фазаның тепе-теңдігіне үш фазалық тепе-теңдік сызықтары қиылысатын нүктелер сияқты Р–Т – проекциясына проекцияланатын төрт фазалық тепе-теңдік сызықтары сәйкес келеді. Р–Т – проекцияларына таза компоненттің екі фазалық сызықтары мен үштік нүктелері де енгізіледі (3.23-суретті қараңыз). Жоғарыда аталғандай, құрамына оңай ұшатын компоненттер кіретін құрам жартылай өткізгіштер бар жүйелер үшін Рдис–Т–Х-диаграммасының маңызы зор, мысалы, AIIIBV қосылысындағы фосфор мен мышьяк. АIIВVI (CdS, HgTe) қосылыс түріне теллур аниондары ие емес, сондай-ақ сынап және кадмий катиондары секілді катиондары да ие. Жоғарыда аталғандай, жартылай өткізгіштердің бәрі көп немесе аз гомогенділіктің ұзартылған аумағына ие, яғни өзінде қандай да аса стехиометриялық құрамды немесе «үшінші» компонент –вакансияны ерітуге қабілетті. Стехиометриялық құрамнан кез келген тебілу электр физикалық қасиеттерге әсер етеді. Сондықтан берілген қасиеттермен кристалдарды стабильді алу үшін берілген құрамды қосылыстың кристалдарын стабильді алу қажет. Сәйкес жүйенің Рдис–Т–Х-диаграммасы белгісіз болса, онда соңғы тапсырма шешусіз қалады. Бұл бір компоненттің ұшқыштығы вакансияның туындауына – анионды және катионды (қандай да бір компонент диссоциация қысымының жоғары болуына тәуелді) және басқа компоненттің шығынына алып келеді. Вакансиялардың қосылу қатарында электр физикалық қасиеттерге әсер ете отырып, акцепторлы және донорлы аумақтар түзеді. Деңгейлердің саны мен орны элемент табиғатына, орын ауыстырған вакансияға, қосылыс құрамына және т.б. тәуелді. А және В позициясында вакансиялардың туындау энергиясы бірдей болмайды, сондықтан анионды және катионды вакансиялар концентрациясы да әртүрлі, қосылыстың гомогенділік облысы стехиометриялық құраммен салыстырғанда симметриялы емес болып шығады. Сәйкесінше, мұндай қосылыстар үшін балқу температурасының максимумы стехиометриялық құрамның құймасына сәйкес келмейді, яғни орналасқан стехиометриялық қосылыс түзіледі. Егер жоғары температура кезіндегі диссоциация қысымына тең ұшқыш компоненттің сыртқы қысымы кезіндегі құйма немесе ерітіндіден оны өсірсек, қосылыс құрамын өзгеруінің компоненттер көмегімен алдын алуға болады. Бұл шарт Рдис–Т–Х-диаграмма көмегімен де таңдалынады. жүктеу/скачать 5,26 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
| ||||||