1 к полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы)



Дата18.06.2022
өлшемі23,97 Kb.
#37001

1 К полупроводниковым приборам относятся:

  • Интегральные схемы (микросхемы)

  • Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны, диоды Шоттки),

  • Тиристоры, фототиристоры,

  • Транзисторы,

  • Приборы с зарядовой связью,

  • Полупроводниковые СВЧ-приборы (диоды Ганна, лавинно-пролётные диоды),

  • Оптоэлектронные приборы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы, детекторы ядерных излучений, светодиоды, полупроводниковые лазеры, электролюминесцентные излучатели),

  • Терморезисторы, датчики Холла.

2. электрическая проводимость в-ва за счёт движения в нём электронов проводимости (свободных электронов, слабо связанных с ионами). Под действием внеш. электрич. поля электроны проводимости могут упорядочение перемещаться на макроскопич. расстояния. Э. п. обладают металлы, металлич. сплавы и ПП. В зонной теории твёрдых тел различают (в зависимости от заполнения энергетич. зоны электронами) просто Э. п. (л-типа) и аномальную Э. п., наз. дырочной проводимостью (р-типа).


3. Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике.



4 Что означает Собственная проводимость полупроводников?
При помещении кристалла в элек¬трическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости. В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников.

5 Полупроводни́к n-ти́па — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости.


Для того чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток.
Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости.
Обычно легирование проводится до уровня 1013−1019 доноров в см3. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным.

6 Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки.


Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами.
Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева — бор, алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк.
Для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI — селен, теллур, а акцепторными — группы II — цинк, кадмий, ртуть.
Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой, концентрацией акцепторов, энергией акцепторного уровня над энергией верха валентной зоны, эффективной плотностью уровней в валентной зоне.

7 p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодовтранзисторов и других).



8 Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход.

9 Сколько электродов у диода?
Диод (Diode -eng.) – электронный прибор, имеющий 2 электрода, основным функциональным свойством которого является низкое сопротивление при передаче тока в одну сторону и высокое при передаче в обратную.

10 -11 Подключение диода, при котором полупроводник р-типа подключён к положительному полюсу источника, а полупроводник n-типа к отрицательному называют прямым подключением. Если изменить полярность подключения источника, то в этом случае подключение называют обратным.



12 В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы:

  • выпрямительные;

  • универсальные;

  • импульсные;

  • сверхвысокочастотные;

  • стабилитроны;

  • варикапы;

  • туннельные;

  • обращенные;


Достарыңызбен бөлісу:




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет