1 к полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы)
жүктеу/скачать 23,97 Kb.
|
элтех контрольные вопросы 5 лаб
|
1 К полупроводниковым приборам относятся: Интегральные схемы (микросхемы) Полупроводниковые диоды (в том числе варикапы, стабилитроны, диоды Шоттки), Тиристоры, фототиристоры, Транзисторы, Приборы с зарядовой связью, Полупроводниковые СВЧ-приборы (диоды Ганна, лавинно-пролётные диоды), Оптоэлектронные приборы (фоторезисторы, фотодиоды, фототранзисторы, солнечные элементы, детекторы ядерных излучений, светодиоды, полупроводниковые лазеры, электролюминесцентные излучатели), Терморезисторы, датчики Холла. 2. электрическая проводимость в-ва за счёт движения в нём электронов проводимости (свободных электронов, слабо связанных с ионами). Под действием внеш. электрич. поля электроны проводимости могут упорядочение перемещаться на макроскопич. расстояния. Э. п. обладают металлы, металлич. сплавы и ПП. В зонной теории твёрдых тел различают (в зависимости от заполнения энергетич. зоны электронами) просто Э. п. (л-типа) и аномальную Э. п., наз. дырочной проводимостью (р-типа). 3. Проводимость полупроводника, в котором основными носителями заряда являются дырки. Такие полупроводники получаются при добавлении к чистому полупроводнику акцепторных примесей (см. Акцептор), что значительно увеличивает концентрацию дырок в полупроводнике. 4 Что означает Собственная проводимость полупроводников? При помещении кристалла в элек¬трическое поле возникает упорядоченное движение «дырок» — дырочный ток проводимости. В идеальном кристалле ток создается равным количеством электронов и «дырок». Такой тип проводимости называют собственной проводимостью полупроводников. 5 Полупроводни́к n-ти́па — полупроводник, в котором основные носители заряда — электроны проводимости. Для того чтобы получить полупроводник n-типа, собственный полупроводник легируют донорами. Обычно это атомы, которые имеют на валентной оболочке на один электрон больше, чем у атомов полупроводника, который легируется. При не слишком низких температурах электроны со значительной вероятностью переходят с донорных уровней в зону проводимости, где их состояния делокализованы и они могут вносить вклад в электрический ток. Число электронов в зоне проводимости зависит от концентрации доноров, энергии донорных уровней, ширины запрещенной зоны полупроводника, температуры, эффективной плотности уровней в зоне проводимости. Обычно легирование проводится до уровня 1013−1019 доноров в см3. При высокой концентрации доноров полупроводник становится вырожденным. 6 Полупроводни́к p-ти́па — полупроводник, в котором основными носителями заряда являются дырки. Полупроводники p-типа получают методом легирования собственных полупроводников акцепторами. Для полупроводников четвёртой группы периодической таблицы, например, таких как кремний и германий, акцепторами могут быть примеси химических элементов группы III периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева — бор, алюминий, индий, галлий, а донорными — группы V — фосфор, мышьяк. Для полупроводниковых соединений типа AIIIBV, например, арсенида галлия донорными примесями являются элементы группы VI — селен, теллур, а акцепторными — группы II — цинк, кадмий, ртуть. Концентрация дырок в валентной зоне определяется температурой, концентрацией акцепторов, энергией акцепторного уровня над энергией верха валентной зоны, эффективной плотностью уровней в валентной зоне. 7 p-n-перехо́д или электронно-дырочный переход — область соприкосновения двух полупроводников с разными типами проводимости — дырочной (p, от англ. positive — положительная) и электронной (n, от англ. negative — отрицательная). Электрические процессы в p-n-переходах являются основой работы полупроводниковых приборов с нелинейной вольт-амперной характеристикой (диодов, транзисторов и других). 8 Полупроводнико́вый диод — полупроводниковый прибор, в широком смысле — электронный прибор, изготовленный из полупроводникового материала, имеющий два электрических вывода (электрода). В более узком смысле — полупроводниковый прибор, во внутренней структуре которого сформирован один p-n-переход. 9 Сколько электродов у диода? Диод (Diode -eng.) – электронный прибор, имеющий 2 электрода, основным функциональным свойством которого является низкое сопротивление при передаче тока в одну сторону и высокое при передаче в обратную. 10 -11 Подключение диода, при котором полупроводник р-типа подключён к положительному полюсу источника, а полупроводник n-типа к отрицательному называют прямым подключением. Если изменить полярность подключения источника, то в этом случае подключение называют обратным. 12 В зависимости от области применения полупроводниковые диоды делят на следующие основные группы: выпрямительные; универсальные; импульсные; сверхвысокочастотные; стабилитроны; варикапы; туннельные; обращенные; жүктеу/скачать 23,97 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|