Состояние вывода Защита массива данных 24C01A 24C02 24C04 24C08 24C16 Напряжение Полностью
(1К)
Полностью
(2К)
Полностью
(4К)
Обычные
операции
чтения/записи
Верхняя
половина
массива
(8К)
Земля
Обычные операции чтения/записи
2.2.4.4 Организация памяти
Рисунок 12. Структурная схема памяти EEPROM AT24C01A, 1K последовательная E 2 PROM. Внутренняя память,
состоящая из 128 однобайтовых страниц общим объемом в 1 К, для
произвольного доступа к которой требуются 7-битные адреса.
AT24C02, 2K последовательная E 2 PROM. Внутренняя память, состоящая
из 256 однобайтовых страниц общим объемом в 2К, для произвольного доступа
к которой требуются 8-битные адреса.
AT24C04, 4K последовательная E 2 PROM. Внутренняя память объемом в
4К, состоящая из 256 страниц по 2 байта каждая. Для произвольного доступа к
данным требуются 9-битные адреса.
AT24C08, 8K последовательная E 2 PROM. Внутренняя память объемом в
8К, состоящая из 4 блоков. Каждый блок содержит 256 4-байтных страниц. Для
произвольного доступа к данным требуется 10-битная адресация.
