Байдуллаева Қазақтіліне аударғандар Н. М. Алмабаева, Г. Е. Байдуллаева, К. Е. Раманқұлов Мәскеу и з д а т е л ь с к а я г р у п п а «гэотар-медиа» 1 9

Бұл формула график түрінде кіріс кедергісін есептеуге мүмкіндік береді. 
Сол сиякты шығыс сипаттамалары аркылы шығыс кедергілерін аныктауға 
болады.
ОЭ 
сызба үшін транзистордың статистикалык сипаттамалары 22.12-сурет- 
те (кіріс) және 22.13-суретте (шығыс) көрсетілген. Кіріс сипаттамасы /6 база 
тоғынын 
U6
база кернеуіне тәуелділігін база-эмиттер түр көрсетеді, /6 = Д (/6), 
UK3 = const (UK3l > UK32 > UK3i)
болғанда. Жоғарыда көрсеткенге ұксас кіріс си- 
паттамасының графигі арқылы ОЭ сызбасындағы транзистордың кіріс ке- 
дергісін, ал шығыс сипаттамасынан — шығыс кедергілерін және база тоғынан 
өту коэффициент^ |3 аныктауға болады.
Биполярлы транзистордың сырткы түрі 22.14-суретте кескінделген.
Транзистерлерді одан әрі жетілдіру өрістік транзистерлерге алып келді, 
қазіргі уакытта олардың әртүрлі варианттары бар. Өрістік транзистордың 
р-п-өту
баскарылатын түрін карастырайык. Өрістік транзистордың негізгі 
принципі электр өрісі аркылы («өрістік» термині осы себепті) кіріс тізбегіндегі 
ток өтетін жартылай өткізгіштің енін ұлғайту.
22.15-суретте кимасы көрсетілген, л-типті жартылай өткізгішке электрод — 
қайнар көз 
(Қ)
және кіріс 
(К)
жалғанған. ҚҚ тізбегіне тұракты кернеу көзі 
с
және жүктеменің 
Яж
резисторы косылған. Негізгі жартылай өткізгіштің денесі- 
нер-типті жартылай өткізгіш дәнекерленген, ал оған шығыс болатын электрод 
қосылған, оны 
3
бекіткіш (затвор) деп атайды. Жартылай өткізгіштердің әр- 
түрлі өткізгішті шекарасында 
р -п -ө
ту аймағы пайда болады, олар әртүрлі тасы- 
малдаушылардан қосылып, үлкен кедергіге ие болады. p-w -өтуінің ені электр 
өрісіне тәуелді болғандыктан, кіріс пен бекіткіш арасындағы £/кір кернеуін өз- 
гертіп, кіріс пен шығыс арасындағы тоқ өтетін каналдың енін өзгертуге бола­
ды. Демек кірістегі кернеудің шығыстағы кернеуге әсері жүзеге асырылады, 
ал 
Яж
резисторынан алынады. Өрісті транзисторлар жоғарғы кіріс кедергісіне 
ие, сондықтан олар үшін биопотенциалды күшейткенде кедергілерді үйлестіру 
қиынға сокпайды (§22.5 қараңыз).
Қарастырылған өрісті транзистордың шартты кескіндемесі 22.15, б-суретте 
берілген. 22.15, в-суретте тура осындай өрісті транзистордың шартты белгісі 
берілген, тек мұндар-типті жартылай өткізгіш негізінде жасалған.

жүктеу/скачать 28,1 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: