Bv напряжение пробоя, В; для стабилитронов вместо этого параметра используется параметр vzt напряжение стабилизации
жүктеу/скачать 373 Kb.
|
Диоды
- Бұл бет үшін навигация:
- Theoretical information
| Laboratory work №1 Topic 1.2 Group _________. Full Name _______________________________________________________ Mark__________. Laboratory work №1 Topic: Study of semiconductor diodes using the Electronics Workbench software package. Purpose: 1. study the voltage and current of the diode at forward and reverse bias of the p-n junction. 2. construction and study of the current-voltage characteristic (CVC) for a semiconductor diode. 3. measurement of the bending voltage of the current-voltage characteristic. Theoretical information The “Diodes” section (Fig. 1.1.) contains semiconductor diodes, zener diodes, LEDs, thyristors or dinistors, symmetrical dinistor, symmetrical thyristor, rectifier bridge. Рис.1.1. – semiconductor diodes; – Zener diodes; – LEDs; – rectifier diode; Let's look at the properties of the diode, which are set by the user; to do this, double-click the left mouse button on the diode and in the “Diode Properties” dialog box, select the desired diode on the “Models” tab. If you need to change the parameters, click the “Edit” button. In the dialog box, which consists of two identical-looking tabs (the first of them is shown in Fig. 1.2., the second is shown in Fig. 1.3.), using which you set the following parameters: N – injection ratio; EG – band gap; FC – nonlinearity coefficient of the barrier capacitance of the forward biased junction; Рис.1.2 – Appearance of the menu for setting diode parameters. BV – напряжение пробоя, В; для стабилитронов вместо этого параметра используется параметр VZT – напряжение стабилизации; ІBV –початковий ток пробоя при напряжении BV, А; для стабилитронов вместо этого параметра используется параметр ІZT – начальный ток стабилизации; XTI – температурный коэффициент тока насыщения; KF – коэффициент фліккер-шума; AF – показатель степени в формуле для фліккер-шума; TNOM – температура диода, 0 С. Рис.1.3. – Внешний вид меню для установления дополнительных параметров диода. Исследование прямой ветки ВАХ диод может быть проведен с помощью схемы рис.1.4. Она состоит из источника тока И, амперметра А (можно обойтись и без него, поскольку ток в амперметре точно ровный заданному ), исследуемого диода VD и вольтметра V для измерения напряжения на диоде. Рис.1.4 – Исследование прямой ветви ВАХ диода. Для исследования обратной ветки ВАХ диода используется схема на рис.1.5. В ней вместо источника тока используется Ui с предохранительным резистором Rz для ограничения тока через диод в случае его пробоя. Рис.1.5. – Исследование обратной ветви ВАХ диода. Для вычисления тока диода используют следующие формулы: Іпр = (Е - Unp)/R, (9.1), где Іпр - ток диода в прямом направлении, Е - напряжение источника питания, Unp - напряжение на диоде в прямом направлении. Изменив полярность включения диода в той же схеме рис. 9.1, можно снять ВАХ диода по той же методике и в обратном направлении Іобр = (Е - Uобр)/R, (9.2), где Iобр - ток диода в обратном направлении, Uобр - напряжение на диоде в обратном направлении. жүктеу/скачать 373 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|