Дәріс жартылай өткізгіштік физика негіздері. Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі. P-n ауысу теориясы. Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Негізгі ақпарат
Шартты белгіленуі төменде келтірілген жартылайөткізгішті аспап қалай аталады?
жүктеу/скачать 1,04 Mb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Дәріс 6 БИПОЛЯРЛЫ ТРАНЗИСТОРДЫҢ ЖӘНЕ ӨРІС ЭФФЕКТІНІҢ ТРАНЗИСТОРЫНЫҢ ЖОҒАРЫ ЖИІЛІКТІК ҚАСИЕТТЕРІ
| 5 Шартты белгіленуі төменде келтірілген жартылайөткізгішті аспап қалай аталады?
A) Варикап; B) Түзеткіш диод; C) Стабилитрон; D) Шоттки диоды; E) Сәуле шашатын диод. Дәріс 6 БИПОЛЯРЛЫ ТРАНЗИСТОРДЫҢ ЖӘНЕ ӨРІС ЭФФЕКТІНІҢ ТРАНЗИСТОРЫНЫҢ ЖОҒАРЫ ЖИІЛІКТІК ҚАСИЕТТЕРІ ЭЛЕКТР ТІЗБЕГІНДЕГІ ТРАНЗИСТОРДЫҢ ЖҰМЫСЫ. БИПОЛЯРЛЫ ТРАНЗИСТОРДАҒЫ КАСКАДТАРДЫҢ ТЕМПЕРАТУРА ТҰРАҚТЫЛЫҒЫ. Өрістік транзисторлар Өрістік транзистор күшейту қасиеті өткізуші арна арқылы өтетін негізгі тасымалдағыштар ағымымен және басқарушы электрлік өріспен анықталынатын шала өткізгіш аспап. Өрістік транзистор – униполярлы транзистор деп аталады, өйткені оның жұмысы тек негізгі тасымалдағыштарды қолдануға ғана негізделген. Сондықтан өрістік транзисторда негізгі емес зарядтардың жиналып қалған үлкен көлемін сору сияқты үрдістер болмайды. Құрастыру және технологиялық дайындау жолдары бойынша өрістік транзисторды екі топқа бөлуге болады: басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзистор және оқшауланған затворы бар транзистор. Өрістік транзистордың жұмысшы тоғы қалыптасатын өткізуші қабат арна да өрістік транзистор І тоқпен емес, U кернеумен (электр өріспен - өрістік деп аталуы осыдан) басқарылады. Тоқ өткізуші арна жоғары беттік (оқшауланған бекітпесі бар транзисторлар) және көлемдік (басқарушы р-п өткелі бар транзиторлар) болуы мүмкін. Жоғары беттік арна шала өткізгіштегі донорлық қоспалар әсерінен қалыптасқан қаныққан қабат болуы мүмкін және сыртқы өріс әсерінен пайда болған инверсті қабат болуы мүмкін Мұндай өрістік транзистор МДП (МОП-бекітпе, бастау, құйма) деп аталынады. Өрістік транзистордың жұмыс істеу ұстанымы биполярлы транзистордан өзгеше, ол негізгі тасымалданыштар қозғалысына негізделген. Оқшауланған бекітпенің Rкір өте үлкен болғандықтан кернеумен басқарылады. МОП құрылымына байланысты транзисторлар (униполярлы, өрісті, арналы) екіге бөлінеді басқарушы р-п ауысуы бар және оқашуланған бекітпесі бар. Басқарушы р-п ауысуы бар өрістік транзисторлар – бекітпесі электрлік тұрғыда р-п ауысыз мен арнадан жекеленген, кері бағытта ауытқыған өрістік транзистор. Арнаға заряд тасымалдағыштарын кіргізетін электрод – бастауда; арнадан заряд тасымалдарын шығаратын электрод құйма деп аталынады; арнаның көлденең қимасын реттеуге арналған электрод – бекітпе деп аталынады. Бастауға ( n арналған үшін) теріс, ал құймаға оң кернеу берген кезде арнада бастаудан кұймаға қарай бет алған электрондарын, яғни транзистордың негізгі заряд тасымалдағыш қозғалысы нәтижесінде қалыптасқан электр тоғы пайда болады. Заряд тасымалдағыштарының электронды кемтіктік ауысу арқылы қозғалысы өрістік транзистордың тағы бір ерекшелігі болып табылады. Бекітпе және арна арасында пайда болған электрлік өріс арнадағы заряд тасымал-дағыштарының тығыздығын, яғни ағып өтетін тоқ шамасын өзгертеді. Басқару кері ығысқан р-n – ауысуы арқылы орындалатындықтан басқарушы электрод пен арна арасындағы кедергі жоғары болады да, ал бекітпе тізбегінде сигнал көзінен тұтынатын қуат өте аз болады. Сондықтан өрістік транзистор электромагниттік тербелістерді қуат бойынша, тоқ бойынша сондай-ақ кернеу бойынша күшейте алады. Үлкен көлемді арнасы бар өрістік транзисторда арнаның көлденең кесіндісі кері қосылған р-п ауысуының біріккен қабаттарының ауданының өзгеру есебінен өзгеріп тұрады төмендегі суретте басқарушы р-п ауысуы ортақ басталулы сұлба бойынша қосылған өрістік транзистордың құрылымы көрсетілген р-п ауысуына (Бекітпе-бастау) Uбб кері кернеуі беріледі. Uбб кернеуін төмендеткенде біріккен қабат (көлемдік зарядаймағы) тереңдігі өседі, ал арнадағы тоқ өткізу қабаты жіңішкереді. Бұл жағдайда арна, кедергісі жоғарылап, транзистордың Іқ шығыс тоғы азаяды. Uбб тоғы р-п ауысуына кері бағытта ығысқандықтан Ібекітпе тоғы айтарлықтай аз және басқарушы кернеден тәуелді емес. Өрістік транзистор үшін кіріс сипаттамасы (Ібекітпе тоғының Uқұйма-бастау кернеудің тиянақты мәні кезіндегі U бекітпе –бастау кернеуінен тәуелділігі) қолданылмайды, және есептеулер кезінде тек беріліс сипаттамалары мен вольт-амперлік шығыс сипаттамалары қолданылады. Uбекітпе-бастау кернеуінің төмендеуі әсерінен BAC қисығы төмендейді, нәтижесінде транзистордың шығ кедергісі өседі.Uқұйма бастау өзгергендігі Iқұйма шығыс тоғының өзгеруі Uқұйма бастау қанығу = Uбекітпе бастау – Uбекітпе бастау жабық теңдігіне тең болатын шығыс кернеуінің мәнін анықтауға дейін орындалады, мұнда Uбекітпе бастау жабық - басқарушы кернеу, бұл жағдайда Iқұйма =О (қиылу (жабық) режим); Uбекітпе бастау- траназистордың қарастырылып отырған BAC-на сәйкес келетін басқарушы кернеу. Енді орнатылған және индуцияланған арнасы бар МДП-транзторды қарастырайық. Басқарушы p-n ауысуы бар өрістік транзторлар сызықтық сұлбалар, сызықтық күшейткіштер, аналогты кілттер және т.б жасауда қолданылады. Бекітпесі оқшауланған МОП- транзисторлар екіге бөлінеді: орнатылған арналы (біріккен тип) және индуцияланған арналы (қанықан тип). Соңғысы цифрлық интегралдық сұлбаларда кеңінен қолданылады. жүктеу/скачать 1,04 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|