Үдеткіш тракт бойынша қозғалыстың сақиналы шоғырланған тоғы бар жартылай шектілген

 

145 

деформациялық  аймақтардың пайда  болуы   байқалды,  яғни квазиөлшемді ағындар туатыны   анық. 

Осы себептен жоғары  аққыштық  пайда  болуын   теориялық  және   эксперименталдық  зерттеу өте 

қажет  болып    саналады.  Жұмыста    негізі    қарастырылып    отырған  құйманың  фазалық    өзгеріс   

температурасындағы    аққыштық    қасиетіметаллургия    институтында  зерттелсе,  біз  осы    құйманың   

жылулық  қасиеттерін   қарастырдық.   

Металдарды    жоғары    аққыштық      тәсілмен    өңдеген    кезде      олардың    негізгі      физикалық  

қасиеттерінің  бірі,  жылу   сыйымдылығы  және   жылу  өткізгіштігі   қанша   өзгеретіндігін  білу  өте   

қажет. Біз жоғарыда келтірілген құрамды  Ti(3,0-4,2)% Al(0,7-1,5)% Nb(0,7-1,5)% V(2,0-3,0)Zr  псевдо   

α-құймасының  27 маркасын   қарастырамыз. Термиялық талдау жасау үшін синхрондық  термиялық    

талдау жасайтын STH 449 F3 Jupiter құралы қолданылған. 

Бұл құйманың жылулық қасиеттерін түсіндіру үшін алдымен титан мен алюминийге жеке-жеке 

тоқталып кетейік. Титан (Ti) - элементтердің периодтық жүйесінің IV тобындағы химиялық элемент, 

атомдық нөмірі 22, атомдық массасы 47,88Табиғатта массалық саны 46 – 50 болатын 5 тұрақты және 

жасанды жолмен алынған 5 радиоактивті изотоптары бар. Титанды алғаш ТіО2 түрінде ағылшындық 

ә

уесқой-минеролог У.Грегор ашқан (1790). 1795 ж. неміс химигі М.Г. Клапрот (1743 – 1817) Грегор 

тапқан  “менакит”  элементі  металдың  табиғи  тотығы  ТіО2  екендігін  анықтады,  ал  таза  күйіндегі 

титанды нидерландық зерттеушілер А. ван Аркел мен де Бур алды (1925). Бос күйінде кездеспейді, 

тек оксидтер түрінде болады. Титан кең тараған элемент, жер қыртысындағы салмақ мөлшері 0,57%. 

Құрамында  титаны  бар  70-тен  астам  минералдардың  ішіндегі  ең  маңыздылары:  рутил  (оның 

түрөзгерістері  анатаз  бен  буркит),  ильменит,  титаномагнетит,  перовскит,  лопарит,  титанит  (сфен), 

лейкоксен. Түсі күмістей ақ, созылғыш және берік; 882°С-тан төмен температурада кристалдық торы 

гексагональды тығыз жинақталған (°-Ті), одан жоғары – кубтық көлемді орталықтандырылған (°-Ті); 

тығызд. 4,505 г/см3 (°-Ті) және 4,32 г/см3 (°-Ті), балқу t 1668°С, қайнау t 3330°С. Титан химиялық 

активті  ауыспалы  элемент,  тотығудәрежесі  +4,  сирек  +3,  +2.  500  –  550°С-қа  дейінгі  температурада 

металл бетінде оксид қабаты пайда болатындықтан ауада, теңіз суында, ылғал хлорда, хлоридтер мен 

азот 

қышқылы 

ерітінділерінде, 

күкірт 

қышқылы 

мен 

сілтілердің 

сұйытылған 

ерітінділеріндекоррозияға  тұрақты.  Бөлме  температурасында  HCl,  H2SO4,  CCl3COOH,  HCOOH, 

қыздырғанда оттек (400 – 500°С), азот (600°С-тан жоғары), көміртек және кремниймен (1800°С-тан 

жоғары)  әрекеттесіп,  сутек  және  басқа  да  ауа  газдарын  өзіне  сіңіреді.  Фтормен  150°С-та,  хлормен 

300°С-та,  иодпен  550°С-та  әрекеттесіп,  сәйкес  галогенидтерін  түзеді.  Бор,  көміртек,  селен, 

кремниймен әрекеттесіп, металға ұқсас қосылыстар түзеді. Титан қосылыстарының балқуы қиын, өте 

қатты, түстері  әр түрлі  болып келеді. Титанды өндірісте  кентас концентраттарын хлорлап, алынған 

TіCl4-ті  магниймен  (кейде  натриймен)  тотықсыздандырып,  титан  кірмесін  (губка)  алады.  Оны 

вакуумдық  доғалы  пештерде  балқытып,  кесек  металл  алынады.  Титан  авиация,  зымыран,  кеме, 

автомобиль жасауда қолданылатын беріктігі жоғары титан құймаларын (Al, V, Mo, Mn, Cr, Sі, Fe, Sn, 

Zr, Nb, т.б.) дайындауға және радиоэлектроникада, тамақ, шарап,  қағаз, бояу өнеркәсіптеріне қажетті 

аспаптар мен қондырғылар жасауда кеңінен қолданылады.  

Алюминий (Al), элементтердің периодтық жүйесінің ІІІ тобындағыхимиялық элемент, реттік 

нөмірі  13,  атомдық  массасы  26,9815.  Бір  тұрақты  изотопы  бар.  Жер  қыртысында  таралуы 

бойынша  элементтер  арасында  4,  металдар  арасында  1-ші  орында.  Табиғатта  жүздеген 

минералдары  кездеседі,  оның  көпшілігі  –  алюмосиликаттар  болып  келеді.  Алюминий  латынша 

Alumіnіum;  алюминий  алу  үшін  пайдаланылатын  негізгі  шикізат  –  боксит.  Алюминийді  бос  күйінде 

алғаш  рет  1825  жылы  даниялық  физик Ханс  Кристиан  Эрстед алған.  Алюминий  –  күміс  түсті 

ақ металл,  жылуды  және  электр  тогын  жақсы  өткізеді,  созуға,  соғуға  икемді,  меншікті  салмағы 

2,7 г/см3; балқу температурасы 660ӘС, қайнау температурасы 2500ӘС; коррозияға берік, қалыпты 

температурада  тұрақты,  себебі  бетіндегі  алминий  оксидінен  тұратын  жұқа  қабыршақ  оны 

тотығудан қорғайды. Сондай-ақ ол амфотерлі элемент, сондықтан қышқылдармен де, сілтілермен 

де әрекеттеседі. Алюминий – практикалық маңызы зор металл. Ол негізінен жеңіл құймалар өндіру 

үшін  пайдаланылады.  Алюминий  құймалары  авиа,  авто,  кеме,  ядролық  реактор,  химиялық 

аппараттар  жасауда,  құрылыста,  т.б.  салаларда,  таза  металл  түрінде  электртехникасында  ток 

өткізгіш  сымдар,  тұрмысқа  қажетті  бұйымдар  дайындау  үшін  қолданылады.  Техникалық 

қасиеттері жағынан өте бағалы құймасы – дюралюминий. Оның құрамында 94% алюминий, 4% мыс 

және аздаған мырыш, марганец, темір болады.

 

Титан  –  алюминий    27  құймасының    әртүрлі      күйдегі      микроқұрылымы      әртүрлі  болады.  

Егершынықтыруда  β-ауданынан  бастап   α-ауданынының     жоғары   деңгейінде   аяқтасақ,    онда   

үлгіміз      ұсақ    құрылымды      болады.    Жоғары    температурадағы    шынықтыру    кезінде    мартендік 

талшықтардың ұсақталғаны байқалады. Жоғары  температуралы  β-ауданында  титан   құймаларында 

 

146 

қомықты полиэдралық   құрылымдар  пайда  болады  да, ол  құйма толық суыған кезде де  сақталады.   

27   құйманың   бұл   қасиеті  бөлме температурасында да сақталады. Яғни 27 құймасының өзгеріс   

кезіндегі   қасиеттерін біз бұл үлгілердің   жылулық  қасиеттерін  ( ЛКТ-2 )  құралының  көмегімен   

зерттей  аламыз.    

Кез  келген  заттардың  жылу  сыйымдылығын  есептеу  кезінде  әр  түрлі  фонондарды  

дисперсиялық    заңдылығынын  білмейміз.    Сондықтан      кристаллдардың  жылулық  қасиеттері  негіз 

тәжірибе  арқылы    анықталады.  Біз  қарастырып    отырған    үлгілердің      β-фазада  кристалдардың   

өзгерісі  олардың  ұсақталуы  байқалады.  Біздің  тәжірибеміздің  нәтижесінде  27  құйманың    өте   

аққыштық      тәсілімен      өңдеген      кейінгі    үлгісінің      жылу    сыйымдылығы    қалыпты  жағдайдағы   

үлгінің   жылу  сыйымдылығынан   2,7%  артық  екені  анықталды.  Біз  оны  кристаллдар құрамы   

ұсақталғаннан  кейін  иондардың  тербеліс   амплитудасының өзгерісімен, яғни фонондардың  орташа  

санының   өзгерісіне  байланысты  деп  санаймыз.   Деформация  әсерінен   кристалдардың   құрамы   

өзгерумен  қатар  олардың  жылулық  қасиеттері  өзгереді. 

 

Ә

ДЕБИЕТ 

1.  А.В.  Паничкин,    Р.К.  Аубакирова,    А.А.  Мамаева,   Б.Б.  Кшибекова,    Т.Б.Бегимов,    А.Т.  Имбарова.  

Иницирование  эффекта  сверхпластичности  конструкционного  сплава    ti-al-zr-nb-v  //Сборник  трудов  2-

Международной научной конференции "Высокие технологии - залог  устойчивого развития" Алматы - 2013. - 

С.205-209 

2.   А.В. Паничкин,  Р.К. Аубакирова,  А.А. Мамаева,  Т.Б.Бегимов,  А.Т.Имбарова,  М.Н. Квятковская,  

Г.М.  Ибраева.    Проявление  сверхпластичности  в  сплаве  ti-al-zr-nb-v    в  температурной  области  развития 

фазовых  превращении.  //  Сборник  трудов  2-Международной  научной  конференции  "Высокие  технологии  - 

залог устойчивого развития" Алматы - 2013. - С.201-205 

3. А.А. Пресняков, Р.К. Аубакирова. Сверхпластичность металлических материалов и сплавов. //Алма-

ата. -1982, 232 с. 

 

 

 

 

 

Кусаинов И.С., Конакбаев Т.Ж., Бақытова М.Б. 

Тепловые характеристики сплава титан-алюминий  (TI-Al-ZR-NB-V) 

Резюме. В статье показаны определение тепловых характеристик а также определение теплоемкости 

сплава титан-алюминий.  

 

Ключевые слова: теплоемкость, фазовые изменения, пластичность. 

 

KussainovI., Konakbayev T. 

 

Thermal characteristics of titanium-aluminum alloy (TI-Al-ZR-NB-V) 

 

Resume. This paper demonstrates the identification of the thermalcharacteristics and the heat capacity  of the 

titanium-aluminum alloy.  

Key words: heat, phase changes, plasticity.  

 

  

Ә

ОЖ 537.1   

 

Тоқтыбаева Ш.М.

1 

магистрант, Парманбеков Ө.К.

2

, Избасарова М.А.

2 

 

1

Қ.И.Сәтбаев атындағы қазақ ұлттық техникалық университеті, 

2

Қазақ мемлекеттік қыздар педагогикалық университеті, 

Алматы қ., Қазақстан Республикасы 

toktybaeva_sh@mail.ru 

 

CDS КРИСТАЛЫНДАҒЫ ЕРКІН ЭКСИТОНДАРДЫҢ ТАСЫМАЛДАУ ҚҰБЫЛЫСЫ 

 

Аңдатпа.  CdS  кристалдарының  рекомбинациялық  сәулелену  спектрлерін  қоздыру  интенсивтілігімен 

температуралардың кең облысында зерттеген кезде бірінші рет еркін экситонның сызығының тарылуын және 

таралуын  сонымен  бірге  стокстық  компоненттердің  (Е  сызығы)  төменгі  энергетикалық  жағына  ығысуы 

оптикалық  қоздырудың  өсуіне  байланысы  байқалады.  Бұл  құбылысты  түсіндіруге  еркін  экситондардың 

электрон-кемтікті плзманың плазмондарға серпімді емес таралуы жайындағы интерпретация ұсындық.  

Түйінді сөз: экситон, сәулелену рекомбинациясының спектрлері, электрондардың эффективті массасы, 

байланыс энергиясы. 

 

Бұл жұмыста сульфид кадмий кристалындағы еркін экситондардың сәулелену рекомбинациясы 

кезіндегі эксперименттік нәтижелерді қарастырамыз.  

 

147 

Алынған  сәулелену  рекомбинациясының  спектірі  1-суретте  көрсетілген.  Бұл  спектр  әртүрлі 

температурада,  әртүрлі  геометрияда  және  әртүрлі  интенсивтегі  қоздыру  кезінде  алынған.  Суретте 

байқалатыны,  қоздырудың  интенсивтілігі  артқан  сайын,  еркін  экситондардың  спектр  сызықтары 

тарамдала бастайды, ал оның стокстық компоненті Е қоздырудың интенсивтілігі артқан сайын, еркін 

экситондардың сызығынан ұзын толқынды облысқа қарай ығысады. 2-суретте айырмасының немесе 

ығысу  шамасының 

  әр  түрлі  температура  кезіндегі  қоздыру  интенсивтілігіне  байланысты 

көрсетілген.  Ығысу  шамасы 

интенсивтіліктің  нақты  мәндерінде  температура  өскен  сайын  өсіп 

отырады,  әсіресе  қоздыру  интенсивтілігінің  зерттелген  диапозондарының 

  кезінен 

бастапығысу 

 жақсы байланыста және осы кезден бастап оның өсуі анық көріне бастайды. 

жұмыста  рекомбинациялық  сәулеленуі  зерттелген  кезде, 

  болған  кезде,  мынандай 

болжам  айтылған,  яғнирекомбинациялық  сәулелену  кезінде  пайда  болған 

  -  сызығына  еркін 

экситондардың рекомбинациясының энергиясының дефициті жауапты, бұл энергия электрон-кемтікті 

плазмадағы  колллективті  тербелуі  плазмон  мен  оптикалық  фотондарды  қоздыру  үшін  жұмсалады. 

Біздің алған спектріміз жұтылуға сәйкес болса, онда   жұмыста шағылу спектірін алған. Спектрдің 

өзгеруіне анализ жасаған кезде, электрон-кемтікті рекомбинацияның негізгі механизмі плазмондарды 

қоздыру болып табылатынын байқаймыз. 

Ә

рине  осы  айтылған  механизмнің  дұрыстығын  дәл  деп  айту  қиындау,  өйткені  тура  дәлел 

болған жоқ. Осы айтылғанды растау үшін 

жұмыстың авторлары рекомбинациялық сәулеленудің 

спектрлерін қоздырудың интенсивтілігімен температурасының көптеген кең интервалында нақтылы 

зерттеулер жүргізді. 

жұмыстарға сәйкес ығысу шамасы 

 мынадай түрде анықталуға тиіс: 













2

1

2

1

2

2

2

2

2

2

2

4

2

1

2

1



























L

P

P

L

P

L























                                (1) 

;

2

0

2

T

L













*

2

2

4

e

P

m

ne











 

мұндағы

,

2

T



2

L



-көлденең және қима фотондардың жиілігі. 







-ның  мәндерін  жоғарғы  айтылған  теориялық  болжам  бойынша  эксперименттік 

нәтижелермен  салыстыру  үшін,  еркін  экситондар  мен  еркін  тасымалдаушылардың 

концентрацияларын экспериментті өткізген тепературалардың интервалында есептеу керек. 

 

 

 

Бұл үшін п

х

және п

е

өзгеру жылдамдығына арналған теңдеуді қарастырамыз 

x

e

t

x

e

n

n

G

dt

dn













2

 

                                    (2) 

                    

x

x

t

x

x

x

x

n

n

n

dt

dn

















2

 

мұндағы 

G

- генерация екпіні; 

t



-  еркін  тасымалдаушылардың жылулық  жылдамдығы;



  -  еркін  экситондардың  термиялық 

иондануының ықтималдығы. 

1-сурет. Cds кристалының сәулелену 

рекомбинациясының спектрлері. 

 

поляризациясында. 

;

*

10

*

,

10

*

5

1

2

18

9

3









с

см

I

c

t

1-2; 2-20;  

3-2*10

2

; 4-5*10

3

; 5-5*10

4

;  6-5*10

5

, ф-42К; б-70К;  

в-90К 

 

 

148 

(2)  теңдеуді  жазған  кезде  мынадай  жағдайды  ескердік,  тепе-тең  емес  электрон  кемтікті 

қосақтардың  жойылып  кету  каналдары  экситонға  бірігу  және  экситонның  күші  арқылы 

рекомбинациялану.  Олай  болса  (2)  теңдеуден  стационар  күйде  болғанда 





x

n



 

  болса,  бұдан 

алынатыны: 

x

x

G

n





                                                                             (3) 

Осы  уақытта  еркін  тасымалдаушылар  мен  еркін  экситондардың  арасында  термодинамикалық 

тепе-теңдік болатын болса, онда: 

n

e

x











                                                                         (4) 

x



-  еркін  экситонның,   

e



-  электронның, 

n



-  кемтіктің  химиялық  потенциалдары.(4) 

теңдеуден әсерлесетін массалар заңы бойынша: 

 





























kT

n

k

m

h

kT

m

m

n

n

e

x

dk

dn

de

x

e

exp

2

3

2

2

2

2



 

 

 

 

       (5) 

мұнда, 

de

m

-  электрондардың  эффективті  массасы, 

dn

m

-  кемтіктің  эффективті  массасы, 

dk

m

- 

экситонның эффективті массасы. 





8

5

жұмыстарда  еркін  тасымалдаушыларда  плазманың  болуы,  байланысқан  күйлердің  бір-

біріне жабылуына келтіреді, осыған орай (5) теңдеуде: 

байланысын пайдаланады.

 – еркін тасымалдаушылардың концентрациясына 

байланыс  энергиясы. 

  функциясының  анықталған  түрі  бірін-бірі  жабудың  шамасына 

байланысты. Бірақ 





8

5

 жұмыстарда жеткілікті дәлдікпен статистик плазмондардың жуық шамамен 

бір-бірін жабуын пайдалануға болады: 

                                                         (6)  

                                 (7)  

 – бірін-бірі жабу радиусы, F – Ферми функциясы.Сонымен біз (7) теңдеуді ескере отырып, 

(5)  теңдеу  бойынша  кез-келген  әрбір  температуралық  нүктелерге  еркін  экситондардың,  еркін 

электрондардың,  концентрацияларының  температураға  байланысты  n

x

=f(n

e

)  графигін  алдық.  Одан 

кейін  (3)  теңдеудің  көмегімен  генерация  екпінен  экситондардың  концентрациясы  мынадай 

қатынаспен анықталады: 

x

x

G

n





 

 

 

 

 

 

 (8) 



I

G 

                                                                               (9) 

Мұнда,  І  –  түскен  сәуле  ағынының    интенсивтілігі;



  –  жұтылу  коэффициенті;

x



-  еркін 

экситондардың  өмір  сүру  уақыты.  Есептеген  кезде 

 

.

9

10

1

5





см



 

e

x

n

n

f

n

A



байланысынан 

T=const  болған  кезде 

x

n

мәнін  таптық.  2-суреттегі 





h

h





-  көрсетілген  қисықтар  (1)  теңдеу 

бойынша әртүрлі температураларға сәйкес есептеледі.  

Экспериментте  экситондардың  өмір  сүру  уақыты      тікелей  анықталған  жоқ.  Біз  оны  CdS 

кристалы  үшін  рекомбинациялық  сәулелену  пикосекундтық  импульсті  жарықпен  болған  кездегі 

эксперименттен сәйкес етіп алдық. 





 

10

10

25

5

.

0

9

c

x









 (1) теңдеу арқылы есептелген шамалар эксперименттік нәтижелер мен 

теориялық есептеулер температурасының барлық интервалдарында бір-бірімен жақсы сәйкес келетіні 

көрініп  тұр.  (1)  теңдеуде 

x

n

-  өскен  кезде,  2-суреттен  байқайтынымыз  графиктегі  максимум 

e

n

 

заңына сәйкес ығысады және бұл (1) формуладан да көрініп тұр. 

n

x

- экситондардың концентрациясы;

 

n

e

 -  электрондардың концентрациясы; 

R

x

 - байланыс энергиясы. 

 

 

149 

 

 

Бізге қажетті негізгі сұрақ алынған спектрлік сызықтардың интенсивтіліктерінің қатынастары. 

Ә

рине  бұндай  қатынастарды  3-суреттегі  алынған  шамалармен  жасау  қиынға  соғады.  Шынымен  де 

сәулелену сызығының интенсивтілігі 

 

 

 

  

 

                (10) 

Мұндағы 

  –  рекомбинациялық  сәулеленудің  спектральдық  профилі. Тағы айта  кететін 

жағдай, кристалдың түбінен шығатын қайта сәулелену құбылысын ескерсек, онда 

 шамасын 

мына шамаға ауыстырамыз: 

 

Айта кететін жағдай, яғни І

 болғандағы көрінетін Е сызығы өзінің алатын орыны 

бойынша экситондық соғылудың әсерінен пайда болатын Е-сызығымен сәйкес келеді





13

11

. 

 

13

-те  көрсеткендей  серпімсіз  оже  процесс  кезінде  сызықтың  орнынан  қозғалуы  мына 

формуламен анықталады: 

 

 

 

 

 

       (11) 

(11)  теңдеуден  байқалатыны,  серпімсіз  экситондық  сығылудың  рекомбинациясы  кезінде  Е 

сызығының температураға байланысты сызықты  болуға тиіс, бірақ айта кететін жағдай, Е сызығы бір 

температурада  пайда  бола  бастаған  кезінен  бастап  оның  нольге  тең  емес,  еркін  экситонның 

сызығымен салыстырғанда және (11)-ге сәйкес айырымы бар.  

 

     

 

 

 

Сонымен,  Е-сызығы  айтылған  сәулелену  рекомбинация  механизмімен  түсіндірілмейді.                    

2-суреттен байқасақ, қоздыру интенсивтілігі өскен сайын, 

 –ның теориялық есептеулеріне сәйкес 

келмейді. Бұл жағдай қоздыру интенсивтілігінің қандай да бір І

 түріне  сәйкес келеді. Бірақ 

 интенсивтілігі кезінде сәулеленудің сипаттамасы өзгереді. Сәулелену рекомбинациясы кезінде 

2-сурет. 







-ның интенсивтілікке 

байланысы. Нүктелер - эксперименттік 

мәндері.1-42К; 2-60К;3-70К; 4-90К 

 

1 

2 

3 

3-сурет. Сызықтардың максимумындағы 

интенсивтіліктің қоздыру интенсивтілігіне 

байланысы.  

1.еркін экситон сызығы, 2.   – сызығы,  

3. L – сызығы 

 

 

150 

пайда болатын сызықтар 

 сонымен бірге осыларға қоса 

 тұрақты өшу 

коэффициенті бар сәулелену қосылады. 

Экситондарды тіркеу ~α

-1 

тереңдігінен болса, айтылған эффект, тепе-теңдікзаңдылыққа сәйкес, 

экситон-плазмондық  әсерлесудің  тұрақты  болуына  келтіреді.  Рекомбинациялық  сәулелену  кезіндегі 

пайда  болған  L-жолақтағы  өшу  константасының  өсуі  еркін  экситондардың  көлемдік  өмір  сүру 

уақытының беттік қабаттағы өмір сүру уақытына қарағанда артуы болып табылады 

 

15

. 

L -жолақтың пайда болу механизмін қазіргі кезде мынадай болжам айтуға болады. Кристалдың 

1





 тереңдігінде бір текті емес электрон кемтікті плазмоды генерация жасағанда, кристалдың түбіне 

бағытталған, біртекті емес фонондардың ағыны пайда болады, экситондардың алатын көлемі артып, 

экситондық сәулелену тұрақталады. 

 

Ә

ДЕБИЕТ 

1.  L. V. Keldesh. Tr. IX Int. conf. on semiconductor physics. L., 1968. "Science", L. (1969), L. Keldysh. In Sat: 

excitons in semiconductors. "Science", M. (1971). 

2. J. С. Неnsеl, Т. G. Phillips, G. А. Тhоmаs. Sо1. St. Рhys., 32, 87 (1977); Т. М. Rice., Sо1. St. Рhуs., 32, 1 (1977). 

3. К. Воhnert, G. Sсhmiеder, С. Klingshirn. Рhys. st. Sо1. (b), 98, 175 (1980). 

4.  С. М. Ryvkin. Рhуs. St. Sо1., 11, 285 (1965); С. В. а 1а Сui1lаume, J.-М. Dеbеvеr, F. Sа1vаn. Рhуs. Rеv., 

177, 567 (1969). 

5. Н. Sаitо, S. Shiоnоуа. J. Рhуs. Sоc. Jараn, 37, 423 (1974). 

6. J.М. Нуаm. Sо1. St. Соmmun., 26, 373 (1978). 

7. Н. Schrеу, С. Кlingshirn. Рhуs. St. Sо1. (b), 90. 67 (1978). 

8.  В. Г. Лысенко, В. И. Ревепко, Т. Г. Тратас, В. Б. Тимофеев. ЖЭТФ. 68.335 (1975). 

9.  R. Е. Leheny, J.Shah. Рhуs. Rеv. Lett., 38, 511 (1977). 

 

10. G. О. Мuller, Н. Н. Wеbеr, V. С. Lуsеnко, V. I. Rеvеnко. V. В. Тimofeev. Sо1. St. Соmmun.,21, 217 (1977). 

11. Н. Sаitо, S. Shiоnоуа. Sо1. St. Соmmun., 27, 1331 (1978). 

12.  R. Е. Leheny, J. Shah., С. С. Chiang. Sol. St. Соmmun., 25. 621 (1978). 

13.  S. Таnака, Н. Коbауаshi, Н. Sаitо, S. Shiоnоуа. Sо1. St. Соmmun., 33. 167 (1980). 

14.  Н. Yоshida, Н. Sаitо, S. Shiоnоуа. V. В. Тimofeev..Sо1. St. Соmmun., 33, 161 (1980) 

15.  В. N. Silvеr. Рhys. Rev., В11, 1959 (1975); В12, 5689 (1975). 

 

Тоқтыбаева Ш.М., Парманбеков У.К., Избасарова М.А. 

жүктеу/скачать 37,51 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: