3.Орташаланғанрелаксации уақыты ерекшеленбеген жартылай өткізгіш үшін:
Ал ерекшеленген жартылай өткізгіш үшін:
32. Жартылай өткізгіштердің электрөткізгіштігі.
1.Магнит өрісінсіз, температуралары барлық нүктелерде бірдей біртекті жартылай өткізгіштегі ток тығыздығы
Мұндағы, тензор () коэффициенті меншікті кедергі тензорына тең.
жағдайда, ерекшеленбеген жартылай өткізгіш үшін орташаланған релаксация уақыты гамма-функция арқылы өрнектеледі:
Мұнда Г(р)-гамма –функия оның мәнә р-нің әр түрлі болуына байланысты (ол есептелген, әрі арнайы таблицасы бар()).
3.Ерекшеленбеген жартылай өткізгіштерде орташаланған релаксация уақыты бетіндегі тасушылардың релаксация уақытына тең болады.
4.Кинетикалық теңдеуден : заряд тасушылардың дрейфтік қозғалғыштығы релаксация уақытының энергия бойынша орташаланған мәнімен анықталады:
33. Гальваномагниттік эффектілер. Тогы бар жартылай өткізгіш магнит өрісіне ендіргенде гальваномагниттік құбылыстар туады. Егер жартылай өткізгіш қоршаған ортаменн жұмыс алмаспаса, яғни ∆Q=0 болса, онда адиабаталық гальваномагниттік құбылыстар деп аталады.
Егер жылу алмасуға жартылай өткізгіштегі ток бағытына перпендикуляр жазықтықта температураны тұрақты, Т=constетіп ұстаса , онда –изотермиялық гальваномагнитті құбылыс деп аталады.
Тогы бар жартылай өткізгіш магнит өрісіне ендіргенде көлденең электр өрісі туатын болса- Холл эффектісі
-Холл тұрақтысы
Магнит өрісі әсерінен жартылай өткізгіштің кедергісі өзгерсе – магниторезистивтік эффект.(магнето кедергі).
Эттингсгаузен эффекті, немесе, көлденең гальваномагниттік,- көлденең температура градиентінің пайда болуы:
- Эттингсгаузен коэффициенті
Нерст –бойлық гальваномагниттік эффект –ток бойына салыстырғанда температура градиентінің пайда болуы:
Ток бағыты өзгерсе, онда барлық гальваномагниттік эффекттілердің таңбасы өзгереді,яғни өріс бағыты мен температура градиентінің бағыты өзгереді.
Магнит өрісінің бағыты өзгергенде, Холл және Эттингсгаузен эффектілерінің таңбалары өзгереді, ал магниторезистивтік және Нерст эффектілерінің таңбасы сақталады.
Берілген ток бағытындағы электрондар мен тесіктердің дрейф қозғалысының бағыттары қарама-қарсы болады және ол дрейфтік жылдамдыққа байланысты магнит өрісінде ауытқалары бірдей болады. Осыған байланысты Холл өрісінің бағыттары электрондық және тесіктік жартылай өткізгіштерде таңбалары әр түрлі болады.
Ал Эттингсгаузен, Нерст эффектілерінің және магнетокедергі заряд тасушылардың таңбасына тәуелсіз болады.
Эттингсгаузен эффекті тек адиабаттық , ал қалғандары адиабаттық та, изотермиялықта болуы мүмкін.
Эттингсгаузен және Нерст эффектілерінің таңбалары шашырау механизміне байланысты, өйткені, ал -аз кезде
P=0 болғанда, заряд тасушының еркін жүру жолының салыстырма өзгерісі энергияға тәуелсіз болады. Сондықтан жылдамдықтар айырмашылығы магнит өрісінде ток құрамына әсер етпейді де Эттингсгаузен және Нерст эффектісі болмайды. Егер p>1/2 «қызба» электрондардың токтағы үлесі кішірейеді. Сөйтіп жартылай өткізгіш заряд тасушылар бағытында суйыйды. ток( ) бағытымен бағыттас электрондық жартылай өткізгіште, қарама-қарсы тесіктік өткізгіште р<0«қызба» токта электрондар үлесі ұлғаяды және температура градиентінің бағыты ток ( ) бағытына қарама-қарсы өзгереді.