Основные понятия и термины нанонауки и нанохимии


Атомно-силовая микроскопия



Pdf көрінісі
бет7/14
Дата17.10.2022
өлшемі1,04 Mb.
#43640
түріРеферат
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   14
 
3.3.2.3. Атомно-силовая микроскопия 
Атомно-силовая микроскопия (АСМ) – один из методов зондовой 
сканирующей микроскопии, применяемый для исследования локаль-
ных свойств поверхности, в котором анализируют силу взаимодейст-
вия иглы кантилевера (зонда) с поверхностью исследуемого образца в 
процессе сканирования (рис. 3.9). АСМ также используется для на-
правленного модифицирования поверхности вещества (материала) на 
уровне отдельных атомов. 
Атомно-силовой микроскоп был создан Биннигом, Куэйтом и 
Гербером в 1986 г. Фундаментальное различие между СТМ и АСМ со-
стоит в том, что первый измеряет силу туннельного тока между скани-
рующим зондом и поверхностью образца, а второй – силу взаимодей-
ствия между ними. 
Рис. 3.9. Схема работы атомно-силового микроскопа 
(
https://commons.wikimedia.org/w/index.php?curid=10487376
В отличие от сканирующей туннельной микроскопии, АСМ по-
зволяет исследовать как проводящие, так и непроводящие поверхно-
сти. Пространственное разрешение атомно-силового микроскопа зави-


28 
сит от размера кантилевера и кривизны его острия. Разрешение дости-
гает атомарного уровня по горизонтали и существенно превышает его 
по вертикали. Под взаимодействием понимают притяжение зонда и 
поверхности под действием сил Ван-дер-Ваальса и отталкивание за 
счет электростатических сил. Когда игла находится на достаточно 
большом расстоянии от образца, зонд слабо притягивается к образцу. 
С уменьшением расстояния это притяжение усиливается до тех пор, 
пока электронные облака иглы и атомов поверхности не начнут испы-
тывать электростатическое отталкивание. Силы притяжения и оттал-
кивания уравновешиваются на расстоянии порядка длины химической 
связи (несколько десятых нм); при меньших расстояниях доминирует 
отталкивание. 
Изображение наноструктуры, в которой светлые вертикальные 
поверхности высотой ~ 15 нм представляют собой оксид, созданный на 
поверхности GaAlAs анодным окислением с помощью АСМ и обра-
зующий барьер для движения двумерного электронного газа, приведе-
но на рис. 3.10. 
 
Рис. 3.10. Квантовая гетероструктура GaAlAs. Автор: Dr. A. Fuhrer 
(Цюрих, Швейцария). Портал SPMage Prize, www.icmm.csic.es/spmage
В зависимости от типа взаимодействия, которое используют для 
построения изображения, различают различные режимы работы мик-
роскопов: контактный, полуконтактный и бесконтактный.
При контактном режиме расстояние от иглы до образца составляет 
порядка нескольких десятых нанометра. Игла АСМ находится в мяг-
ком физическом контакте с образцом и подвержена действию сил от-
талкивания. Взаимодействие между иглой и образцом заставляет кан-
тилевер изгибаться, повторяя топографию поверхности. Топографиче-


29 
ские изображения в АСМ обычно получают в одном из двух режимов: 
постоянной высоты или постоянной силы. При использовании АСМ в 
нанолитографии работа ведется в контактном режиме с контролируе-
мым перемещением острия зонда по заданной схеме. 
При бесконтактном режиме (режиме притяжения) кантилевер с 
помощью пьезокристалла колеблется над изучаемой поверхностью с 
амплитудой ~ 2 нм, превышающей расстояние между зондом и по-
верхностью. По изменению амплитуды или сдвигу резонансной часто-
ты колебаний в ходе сканирования поверхности определяется сила 
притяжения и формируется изображение поверхности. 
Полуконтактный режим аналогичен бесконтактному режиму с тем 
отличием, что игла кантилевера в нижней точке своих колебаний слег-
ка касается поверхности образца. 
При использовании специальных кантилеверов можно также реги-
стрировать силы трения, магнитные, электростатические и адгезион-
ные силы, распределения поверхностного потенциала и электрической 
емкости и т.д.


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3   4   5   6   7   8   9   10   ...   14




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет