Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»

37 
Табу: U
ЗИ
қима аймағындағы қандай кернеуі, ағар тоғының 4 мА-ға 
тең қанығуына І
С
алып келеді; І
С
= 4 мА жағдайында U
СИ қан 
кернеуі 
қанығуы мәні неге тең. 
Шешімі. (1.5) формуланы пайдаланамыз және U
ЗИ
кернеуін табамыз:
U
ЗИ 
= U
 қим 
(1 - √ І
С
/ І
С бас
)
Алынған көрініске шығыс деректерін қоя отырып, келесіні аламыз: 
U
ЗИ 
= -4 
 
(1 - √ 4/ 8 )
= -1,172 В 
U
СИ қан 
қанығу кернеуін (1.4) формуладан табамыз: 
U
СИ қан 
= U
ЗИ 
– U
қим 
=-1,172 + 4 = 2,83 В.
1.4.2. Бекітпелері оқшауланған дала 
транзисторлары 
Бекітпелері оқшауланған дала транзисторлары — бұл бекітпесі 
электрлік қатынаста арнадан диэлектрик қабатымен бөлінген транзистор 
болып 
табылады. 
Бекітпелері 
оқшауланған 
МДЖ 
(МОЖ)-
транзисторлардың 
екі 
түрі 
болады: 
енгізілген 
арналы 
және 
индукцияланған арналы. Енгізілген арналы транзистордың қарапайым 
құрылымы 1.16, а суретті, ал индукцияланған арналы транзистордың 
қарапайым құрылымы —1.16, б суретте көрсетілген. Бұл сызбалардың 
арасындағы айырмашылық, егер, енгізілген арналы транзисторда өткізгіш 
қабат басынан бастап қалыптастырылған болса, ал индукцияланған арналы 
транзистор бекітпеде кернеу болмаған жағдайда тоқ өткізбейді. МДЖ –
транзисторлардың шартты графикалық белгіленулері 1.16. в – е суретінде 
келтірілген. 
Енгізілген п-арнасы бар МДЖ-транзистор 1.16, а суретінде 
көрсетілген. Ол п
+
( «плюс» белгісі бұл аймақтардың күшті 
қоспаланғандығын білдіреді), және п
+
аймақтарын жалғайтын п
+
-типті, п-
типті электр өткізгіштікті екі аймақ құрылған, р-типті электр өткізгіштікті 
жартылай өткізгіштің, әдетте кремнийдің монокристалы болып табылад

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: