Әртүрлi типтi өткiзгiштiгi бар екi жартылай өткiзiштердiң түйiсу шекарасынан өтетiн ток тасышулардың өзара диффузиясы осы түйiсуi арқылы болады. n- жартылай өткiзгiштегi электрондар кемтiктiк p- жартылай өткiзгiшке диффузияланады. Сөйтiп, электрондар түйiсу шекара жанындағы n- жартылай өткiзгiш көлемiнен кетедi, бұл көлемде электрондар азаяды, онда шекара манында оң зарядтар артық болады. Тап солай p- жартылай өткiзгiштегi кемтiктiктер диффузиясы шекара манында p- жартылай өткiзгiште терiс зарядтарының артық болуына себеп болады. Нәтижесiнде электронды кемтіктік ауысу шекарасында жуандығы l болатын электрлiк жапқыш қабат пайда болады.
Әртүрлi типтi өткiзгiштiгi бар екi жартылай өткiзiштердiң түйiсу шекарасынан өтетiн ток тасышулардың өзара диффузиясы осы түйiсуi арқылы болады. n- жартылай өткiзгiштегi электрондар кемтiктiк p- жартылай өткiзгiшке диффузияланады. Сөйтiп, электрондар түйiсу шекара жанындағы n- жартылай өткiзгiш көлемiнен кетедi, бұл көлемде электрондар азаяды, онда шекара манында оң зарядтар артық болады. Тап солай p- жартылай өткiзгiштегi кемтiктiктер диффузиясы шекара манында p- жартылай өткiзгiште терiс зарядтарының артық болуына себеп болады. Нәтижесiнде электронды кемтіктік ауысу шекарасында жуандығы l болатын электрлiк жапқыш қабат пайда болады.
Жартылайөткізгіштік диод.
n –p ауысуының токты тек бір бағытта өткізетін қасиеті жартылайөткізгіштік диодтарда қолданылады. Жартылайөткізгіштік диод кремний мен германий кристалдарынан жасалады. Оларды дайындаған кезде қандай да бр типті өткізгіштігі бар кристалға басқа типті өткізгіштік алу үшін қоспа қосады. Жартылайөткізгіштік диод түзеткіштерде айнымалы токты тұрақты тоққа түрлендіру үшін қолданылады.
Жартылайөткізгіштік транзистор.
n –p ауысуы бар жартылайөткізгіштік құралдар транзисторлар деп аталады (ағылш. transfer –тасымалдау және resistor - “кедергі”). Әдетте. Транзисторларды жасағанда германий мен кремний қолданылады. . p-типтi өткiзгiштiгi бар екi аймақтың арасында база деп аталатын n- типтi өткiзгiштiгi бар қабат құрады.
