Исследование вах диода при различных температурах
тока германиевых p-n переходов
жүктеу/скачать 448,07 Kb. Pdf көрінісі
|
| тока германиевых p-n переходов. Это связано с различием ширины запрещенной зоны: Wз
Ge = 0,72 эВ; Wз Si = 1,12 эВ. Ток насыщения определяется в основном неосновными носителями заряда, имеющими место в примесном полупроводнике. Так, например, в полупроводнике n-типа это дырки – p n , концентрация которых определяется в соответствии с законом действующих масс: p n = n i 2 / n n . Известно, что n i Ge 10 13 см -3 , а n i Si 10 10 см -3 . При равной концентрации примеси получаем, что концентрация неосновных носителей заряда в кремниевом полупроводнике на шесть порядков меньше, чем в германиевом примесном полупроводнике, поэтому ток I о в кремниевом p-n переходе пренебрежимо мал. Обратный ток германиевого p-n перехода включает следующие составляющие: I обр Ge I о +I у ,а обратный ток кремниевого p-n перехода - I обр Si I тг +I у . Для германиевых p-n переходов обратный ток в основном определяется током насыщения и имеет величину десятки микроампер. 5 Ток термогенерации у них мал и им обычно пренебрегают. Незначительный наклон обратной ветви ВАХ германиевых p-n переходов обусловлен током утечки. Обратный ток кремниевого p-n перехода примерно на три - четыре порядка меньше обратного тока германиевого перехода и определяется током термогенерации, т.е дрейфовым током неосновных носителей, возникающих в результате тепловой генерации в самом p-n переходе. I тг увеличивается с ростом обратного напряжения, так как происходит расширение p-n перехода. Ток термогенерации невелик из-за малого объема p-n перехода, ток утечки при современной технологии изготовления p-n перехода имеет незначительную величину. Отсюда в целом обратный ток кремниевого p-n перехода имеет небольшое значение, по сравнению с обратным током германиевых p-n переходов При повышении температуры абсолютная величина изменения обратного тока в кремниевом диоде значительно меньше, чем в германиевом. жүктеу/скачать 448,07 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|