Биполярлы транзистор деп p-n-өткелінде өзара әрекеттесетін жартылайөткізгішті құрал аталады. Биполярлы транзисторды дайындау технологиясы әр түрлі болуы мүмкін-балқыту, диффузия, эпитаксия, — бұл маңызды түрде аспаптың сипатамасын анықтайды.
Өткізу жолдары әр түрлі n-р-n-транзисторлары мен р-n-р-транзисторын анықтайды. Жазық n-p-n-транзисторының жеңілдетілген құрылығысы 4.1 а, суретінде көрсетілген, оның шарты белгісі—4.1 б суретінде, ал оны ауыстыру сызба нұсқасы — 4.1 в суретінде бейнеленген. p-n-p-транзисторының аналогты ұстанымы 4.1 г, д, е суретінде көрсетілген.
Өткізу жолдары әр түрлі n-р-n-транзисторлары мен р-n-р-транзисторын анықтайды. Жазық n-p-n-транзисторының жеңілдетілген құрылығысы 4.1 а, суретінде көрсетілген, оның шарты белгісі—4.1 б суретінде, ал оны ауыстыру сызба нұсқасы — 4.1 в суретінде бейнеленген. p-n-p-транзисторының аналогты ұстанымы 4.1 г, д, е суретінде көрсетілген.
Сурет 4.1 n-p-n-транзисторының құрылғсы(а), оның схематикалық бейнесі (б) және орын ауыстыру сызбасы (а).
n-p-n-транзисторының құрылғсы(г), оның схематикалық бейнесі (д) және орын ауыстыру сызбасы (е).
Қаралып жатқан құрылымдардың ортаңғы бөлігі база деп, бір шеткі бөлігі –коллектор, ал басқа бөлігі -эмиттер деп аталады. Симметриялы емес құрылымдарда электродтың базасы эмиттерге жақын орналасады, ал базаның ені транзистордың жиілікті диапазонына байланысты және жиіліктің өсуіне байланысты азаяды.Транзистордың электродтарына салынған полярлы кернеулерге байланысты оның келесідей жұмыс тәртібін айқындайды: сызықты (күшейткіш), қанықтыру, кесілген және өзгерту.