Кез-келген температурада кристалл торындағы атомдар тербеліс қозғалыста болады. Бір-бірімен кинетикалық энергиямен алмасып, бұл алған кинетикалық энергия бөлме температурасында нүктелі ақау пайда болуға қажетті энергия мәнінен кіші болады, бірақ кинетикалық энергияның флуктуациясының есебінен кейбір атомдар қасындағы атомдар тудырған потенциалдық тосқауылынан өтіп кетуі мүмкін. Кристалл торының түйіннен атом шыққан кезде түйін аралығында «қосарланған Френкель ақауы» деп аталатын қосалқы вакансия түйінаралық (дислоцирланған) атом пайда болады.
.
Кристалл бетінен атом сыртқа шықса, кристаллдың беткі қабатында вакансия пайда болады, ол кристалл ішінде жатқан атомға еніп, вакансия кристаллдың ішкі қабатына өтеді. Мұндай вакансияны Шотки вакансиясы деп атайды. Шотки және Френкель типті ақаулардың концентрациясына температура, сәулелендіру және пластикалық деформация әсер етеді, яғни көбейтеді.
.
Нүктелі ақаулардың бір-бірімен әсерлесуінің арқасында әр түрлі комплекстер пайда болады. Екі вакансияның бірігуімен дивакансия пайда болады, олардың қозғалу дәрежесі моновакансияға қарағанда жылдамырақ болады. Көптеген вакансиялардың бір-бірімен бірігуі де орын алуы мүмкін. Түйін арасындағы атомдар бір-бірімен қосылып қосақталған және одан да үлкен бірігулер болуы мүмкін.
.
Нүктелі ақаулар пайда болғанда ақауды қоршаған атомдар елеулі орнынан ығысады. Вакансияны қоршаған атомдар атомы жоқ түйінге қарай ығысады, ал түйінаралық атом керісінше қоршаған атомдарды өзінен кері қарай ығыстырады. Сонымен нүктелі ақаулар кристалл торларын локальды серпімді созу немесе қысу орталығына айналады. Бұл орталықтың аумағындағы кернеу және деформация шамалары локальды орталықтан алшақтаған сайын ара қашықтықтың үшінші дәрежесіне пропорционал кернеу мен деформация төмендейді .Атомдардың орнынан ығысуы бір-екі атомдар диаметріне тең ара қашықтыққа дейін ғана елеулі болады.
.
Кристаллдарда қоспа атомдардың болуы нақты кристаллдардағы ақаулардың ең кең тараған және негізгі нүктелі ақаулардың бірі болып табылады. Қазіргі кездегі кристаллдарды тазалау тәсілдері абсолют таза материалдарды алуға мүмкіндік бермейді. Ең тазаланып алынған кристаллдарда 10-9% - ға дейін қоспа атомдар кездеседі, басқаша айтқанда 1м3 затта 1017 қоспа атомдар болады. қоспа атомның кристаллға енуі олардың негізгі атом аралықтарына енудің (внедрение) немесе атом орналасқан орнына орналасу, яғни тордың түйініне орналасудың (замещение) арқасында болады. Бірінші жағдайда қоспа атомды ену қоспасы, ал екінші жағдайда орналасқан (замещение) қоспа деп атайды. Қоспа атомдардың физикалық табиғаты және өлшемі негізгі атомдардан өзгеше болуы, қоспа атомның кристаллда болуы, кристалл торларының формасын өзгертеді.
Дислокация - бұл сызықтық ақау, Атом жазықтықтарының дұрыс ауысуы.
Сызықты ақау дегеніміз идеал құрылымның сызық бойынша тура болмауы(нарушение), құрылымның тура болмауы тура сызық бойымен болуы қажетті емес. Сызықты ақаудың тұрақты болмауы, яғни тұрақсыздығы тізбектелген нүктелі ақауларға (вакансия немесе түйінаралық атомдар) тән қасиет; бұл ақаулар ұзақ сақталып қала алмайды. Кристаллда тұрақты болу дислокацияға тән қасиет. Дислокация спецификалық сызықты ақау, бұл атом жазықтарының қайталанбауын көрсетеді. Дислокацияның нүктелі ақаудан айырмашылығы нүктелі ақау жақын реттіліктің бұзылуын көрсететін болса, дислокация кристаллдағы ұзақ реттіліктің болмауын (бұзылуын) көрсетеді, сонымен қатар барлық құрылымының өзгеруін көрсетеді.
Дислокацияның екі шекті түрі бар, олар шеттік және бұрандалы дислокациялар. Кез-келген нақты дислокацияны осы екі типті дислокацияның жинағымен көрсетуге болады. Идеал торлы кристаллды бірбіріне параллель атомдар жазықтығы арқылы көрсетуге болады («а» сурет). Егер атом жазықтығы кристалл ішінде үзілсе, оның шетті шеттік дислокациясын тудырады ( «б» сурет). «в» суретте көрсетілген дислокацияны бұрандалы дислокация деп атайды.
Экстра жазықтық сына сияқты әсер етеді, ол кристалл торында өзінің төменгі шетінің аймағында кристалл торын қатты бұзады. Кристаллдың жоғарғы қабаты сығылады, ал төменгі жағы созылады, яғни экстра жазықтықтың шетінен жоғары жағында атом ара қашықтығы бұзылмаған тордағы атомдар ара қашықтығынан кіші, ал экстра жазықтықтың шетінен төменгі жазықтығында атом ара қашықтығы үлкен болады.
Бұрандалы дислокацияларда кристаллдың бір бөлігі екінші бөлігінен ығысқаннан пайда болады. Бұл кездегі кристаллдың ығысу кезіндегі пайда болған баспалдақ (ступенка) барлық кристалл ені бойынша өтпейді. Кристаллдың ығысқан бөлігін ығыспаған бөлігінен бөлетін сызықты бұрандалы дислокация сызығы деп атайды. Шеттік дислокация сияқты бұрандалы дислокацияда да тордың бұзылуы (ауытқуы) дислокация сызығының қасында болады, диаметрі бірнеше атом қабатына тең жіңішке аумақта (облыста, аймақта) болады.
Бұрандалы дислокация
Екі дислокацияның (шеттік және бұрандалы) бір-бірінен негізгі айырмашылығы бұрандалы дислокация бірнеше перпендикулярлық жазықтарда қозғала (сырғанай) алады, яғни көлденең сырғанай алады, ал шеттік дислокация тек жазықтықта қозғала (сырғанай) алады, ол сырғанау жазықтығы – дислокацияның өзі тұрған жазықтық.