Лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі жалпы мағлұматтар. Электротехникалық материалдар, бұйымдар және олармен жұмыс. Жоспар Электр қондырғыларын түрге бөлу 1 лекция Электр қондырғылары және қауіпсіздік техникасы жөніндегі жалпы
ИМС элементтері мен компаненттерін жасау технологиясы
жүктеу/скачать 371,9 Kb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- ИМС элементтері мен компаненттерін жасау технологиясы
- Шалаөткізгіштік ИМС жасау үшін диаметрі
| ИМС элементтері мен компаненттерін жасау технологиясы
1.ИМС элементтері мен компаненттерін жасау технологиясы 2. Шалаөткізгіштік технология 3. Қабыршақтық технология 4. Гибридтік технология Негізгі түсініктемелер сөздігі: диффузия, эпитаксия, жұқа кқабыршақтық және қалың қабыршақтық. ИМС элементтері мен компаненттерін жасау технологиясы ИМС жасау технологиясы интегралдық деген атты латын сөзінен (integre — бүтін, берік немесе тығыз байланысқан) иеленген. Техникалық сұлба (немесе схема) тұрғысынан транзисторлық және интегральдық электрониканың айырмашылығы жоқ, себебі интегральдық схемада құрылғының принципиальдық схемасындағыдай барлық элементтерін ажыратып қарауға болады. Тек бір айырмашылығы – интегральдық микросхемалардың барлық элементтері тұтас бір корпуста жасалып, өлшемі микронмен өлшенетіндігінде. Интегральдық микросхемаларды дайындау технологиясының дамуы ондағы элементтердің тығыздығын күрт өсіріп, 1см3 көлеміндегі элементтер тығыздығын 106 жеткізді, тіпті оданда асырып жіберді. Шалаөткізгіштік ИМС жасау үшін диаметрі 30 — 60 мм және қалыңдығы 0,25 — 0,4 мм кремнийдің монокристалл пластинасы пайдаланылады. Микросұлба элементтері — биполяр және өрістік транзисторлар, диодтар, резисторлар және конденсаторлар — шалаөткізгіш пластина бетінде дискретті шалаөткізгіш прибор дайындау технологиясымен (селективті диффузия, эпитаксия әдістерімен) қалыптастырылады. Бұдан соң кристалдың беті электрлік оқшаулау үшін кремний тотығымен (немесе қабыршағымен) жабылады. Тек транзистордың эмиттер, база, коллектор аймағында контакт үшін ашық терезелер қалдырады. Ал элементтер арасындағы байланыс кремнийдің тотықталған (электрлік оқшауланған) бетіне (сыртына) жіңішке өткізгіш алюминий жолдарды (немесе сым тәрізді өткізгіш ретінде ) шаңдандыру арқылы, орны ашық қалған, тотық бетіндегі терезелерді жалғау арқылы жасалады. Микросұлба элементтерін сыртқы контактілерге қосу үшін өткізгіш сымдарды (алюминийден жасалған) кең аймақтар – контактілік аудандар дайындалады. Төмендегі суретте дискретті биполяр транзистор дайындау технологиясы көрсетілген. Сурет54. Дискретті биполяр транзистор дайындау технологиясы Сурет55. Дискретті биполяр транзистор кристалын ортасынан кесіп қарағандағы көрінісі. 54-суретте көрсетілгендей, шалаөткізгіш микросұлбаны бір пластинада (1) функционалдық құрылымы (элементтер жиынтығы мен элементаралық байланыстары) бірдей бірнеше элементтер бірден, топтастырып жасалады. Пластинадағы элементтер мен аралық байланыстар қалыптастырылып, толығымен өңделіп болған соң, жеке кристалға (2) кесіледі. Әрбір кристал құрамында тек бір функциональдық құрым бар. Әрбір кристалды корпус табанына (3) бекітіледі. Контактілік аудандар микросұлбаның шығыс котеактілеріне жіңішке метал сымдармен (дұрысырақ айтсақ, жіптермен) дәнекерлеу арқылы бекітіліп, сыртқы ортаның әсерінен қорғау үшін корпус табанына герметикалық кақпақ (4) орнатылады. Әдетте, микросұлбада, егер керек номиналды диффузиялық резисторларды шалаөткізгіш (селективті диффузия, эпитаксия әдістерімен) технологиямен іске асыра алмаса, резистивті элемент ретінде жоғарыомдық метал қабыршағынан жасалған жолдар (сымдар) арқылы, элементаралық байланыс түріндегі жолдар сияқты, кремнийдің оқшаулауға арналған тотығы бетіне жасайды. Мұндай резисторларды қабыршақтық кедергі деп атайды. Сурет56. ИМС кристалы: электрлік сұлбасы (а), кристалдың жоғарыдан көрінісі (б), кристалдың А-А кескіні (в). Шалаөткізгіш микросұлбаның кристал бетіндегі контактілік аудандар, кристал көлеміндегі элементтер және элеменаралық байланыстар көрінісі жоғары бетінен көрсетілген (56-сурет,б). Бұл суретте бір типтес белгілеулер бірдей әріп-сандармен белгіленген. R1, R2, R3 – қабыршақтық әдіспен жасалған кедергі, 1, 2, 3, 4, 5 – элеменаралық жолдар және контактілік аудандар, Э- эмиттер шығысы, К- коллектор шығысы, Б- база шығысы. Бұл элементтердің жоғарғы бетінен қарағандағы ауданы 1x1мм. 56-сурет (в) кристал ауданының А-А кескіні жанынан көрсетілген. Бұл қарастырылған кристал құрамында екі транзистор және үш резистор ғана бар. Өндірісте шығарылатын микросұлбаларда элементтер саны әлдеқайда көп, тіпті бірнеше мың болуы да мүмкін. жүктеу/скачать 371,9 Kb. Достарыңызбен бөлісу:
|