Материалтану
Имитациялық қондырғылардың сәулелену көздері
жүктеу/скачать 5,17 Mb.
|
keqyGSjJbAf41ImazFiVHY2d8lrWwT
Имитациялық қондырғылардың сәулелену көздеріМодельдеу қондырғыларында, жоғарыда айтылғандай, ғарыш кеңістігіне тән корпускулалық ағындардың зерттелетін объектіге әсері ғарыштық сәулеленудің әсерінен туындаған басым радиациялық әсерлердің жеткілікті дәл көбеюі жағдайында басқа сипаттағы сәулеленудің әсерімен ауыстырылады. Мұндай ауыстыру үшін радиоактивті изотоптар жиі қолданылады, олар кванттар, бөлшектер немесе трансуран элементтерінің ядроларының өздігінен бөліну өнімдері және рентген мен лазерлік сәулеленудің қуатты көздері болып табылады. Имитаторлардағы негізгі квант ағындары әдетте 60Co (квант энергиясы 1,17 және 1,33 МэВ) және 137Cs (квант энергиясы 0,66 МэВ) ұзақ өмір сүретін изотоптардың көмегімен жасалады. 238Pu және 239Pu изотоптарына негізделген имитаторлар бар, олар сәйкесінше 5,58 және 5,23 МэВ энергиясы бар бөлшектерді шығарады. Интегралды схемалардағы бір сәтсіздіктерді зерттеу үшін 252Cf изотопы қолданылады, ол өздігінен бөліну кезінде екі фрагменттер тобын шығарады: орташа массасы 106,2 а.е.м. және орташа энергиясы 102,5 МэВ (жеңіл топ) және орташа массасы 142,2 а.е.м. және энергиясы 78,7 МэВ (ауыр топ). Si- дегі мұндай сынықтар үшін СЭБ мәні шамамен 43 МэВ×см 2·мг-1 -ге тең, бұл бөлімде көрсетілгендей асып түседі. 5.4.6. Іркілістердің туындауы үшін шекті мәні болып келеді. Алайда, микросхеманың затындағы сынықтардың орташа жүгірісі тек 14 мкм құрайды, нәтижесінде мұны қолдана отырып, бір сәтсіздіктер пайда болған кезде, чиптен қорғаныс қабығын алып тастау қажет. Бұл қосымша техникалық қиындықтар туғызады. Бірақ, екінші жағынан, сынықтардың бос жүрісінің ұзындығы қысқа, радиоактивті препарат пен зерттелетін объект орнатылатын эксперименттік камерадағы қысымды өзгерту арқылы зерттелетін чиптің бетіне жететін энергияның біркелкі өзгеруіне мүмкіндік береді. Бір сәтсіздіктерді зерттеу жартылай өткізгіш материалда электронды тесік жұптарын жасау үшін жеткілікті энергиясы бар фотондар шығаратын пикосекундты импульстік лазерлердің көмегімен де жүзеге асырылады. Мұндай имитаторларда толқын ұзындығы = 1,06 мкм болатын неодимдік лазер қолданылады, оған фотондардың энергиясы E ф = 1,16 эВ сәйкес келеді. Жиіліктің екі еселенуіне байланысты = 0,53 мкм және E ф = 2,32 эВ мәндеріне жетеді. Көрсетілген толқын ұзындығында микросхеманың материалына сәулеленудің ену тереңдігі сәйкесінше 300 және 1,3 мкм құрайды. Жасалған имитаторларда импульстегі лазер сәулесінің энергиясы ~10-20 пс импульс ұзақтығы кезінде 0,1-ден 30 мДж-ге дейін құрайды. Нысанаға бағытталған лазер сәулесінің диаметрі 4- 5 мкм-ге тең. Рентгендік имитаторларда максималды энергиясы 50-100 кэВ кванттар ағыны құрылады, ол ~3-10 Гр·с-1 нысана материалында сіңірілген дозаның қуатына қол жеткізуді қамтамасыз етеді. жүктеу/скачать 5,17 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|