Коллектор  жынысына      электромагниттік  сәулелендірудің  ену

2.3  Коллектор  жынысына      электромагниттік  сәулелендірудің  ену  

тереңдігін есептеу 

 

Электромагниттік  толқындардың  пластқа        ену    тереңдігі      өріс 

жиілігіне  және        орта  қасиеттеріне    байланысты  болады.  Тереңдік  келесі 

формуламен өрнектеледі  

 





0

2



L

,                                                     (2.10) 

 

мұнда  L – электромагниттік толқындардың жынысқа ену тереңдігі (м);  

            ω- электромагниттік тербелістердің циклдік жиілігі (Гц); 

            μ-мұнда ортаның магниттік өткізгіштігі   (Гн/м);  

            γ - ортаның меншікті электрөткізгіштігі [(ом·м)

-1

]. Циклдік жиілік 

 

f





2



 

 

мұнда  f –  электромагниттік тербелістердің  жиілігі ( Гц).  

 

57 

 

Осылайша,  пласттың  электр  өткізгіштігі    жоғары  болған  сайын, 

электромагниттік өрістің  ену тереңдігі  азая береді [38].  Электрөткізгіштікке 

кері   өлшем    меншікті  электрлік  қарсылық деп аталады: 

 





1



,                                                          (2.12) 

 

Бұл өлшем  Ом·м мен өлшенеді.   Тау жынысының меншікті электрлік 

қарсылығы        кеуектігі,        ылғалдылығы,    минералдар    түріне  және   

қасиеттеріне 

байланысты 

болады. 

Кеуектігі 

жоғары 

 

жыныстар   

минералданған  ерітінділер әсеріне  тез ұшырайды,  себебі олардың   меншікті 

электр  өткізгіштігі    судан        төмен.  Сонымен  қатар        температура  өсімімен  

бірге      судың  меншікті    электр  өткізгіштігі,  сәйкесінше        сумен  қаныққан 

жыныстардың да,    артады  

Сумен  салыстырғанда      мұнай    жоғарғы  электрлік  қарсылық 

көрсеткіштеріне ие.    Сондықтан  мұнаймен қаныққан  жыныстың меншікті  

электрлік    өткізгіштігі  төмен  болады.  Осылайша,        электромагниттік 

толқындардың  мұнаймен қаныққан   коллекторға  өтуі    басқа коллекторларға 

қарағанда  терең қашықтықта орын алатын болады.     

Электромагниттік  толқынның  жолында  электр  өткізгіштігі    және    

магниттік  өткізгіштігі  жоғары  орта кездескенде  бол жерде құйында  токтар 

пайда  болады,    олар    уақыт        бойынша  өзгеретін    электромагниттік  толқын 

әсерінен пайда  болған.    Бұл    құйынды   токтың  қасиеті    жыныстың       электр 

өткізгіштігіне  және    өріс тербелісінің жиілігіне байланысты.    Құйынды ток  

өз  кезегінде        бастапқы    өріске    қарсы  бағытта    қозғалатын    магниттік  өріс 

туындатады. Осылайша бұл құйынды токтар электромагниттік толқындардың 

пластқа     қарай  қозғалуына    мүмкіндік  бермей,    олардың энергиясын    қарсы  

бағытталған    электромагниттік  толқынға  айналдырады.  Бастапқы  толқын 

біртіндеп сөнеді. Пластқа енгеннен кейін    электромагниттік толқындар және   

құйынды  толқындар  әлсірейді.  Сәйкесінше  қосалқы  электромагниттік 

толқында әлсірейді [18].  Бұл үрдіс  эффект деп аталады,    ал  электромагнитті 

өрістің    жынысқа    ену    тереңдігі  қабат  деп  аталады.    Бұл    электромагниттік 

өрістің амплитудасы  бастапқы мөлшерінің   1/е құрайтын    тереңдігі.  

Қаныққан    құмдақтың        салыстырмалы      магниттік  өткізгіштігі    

шамамен    1Гн/м.  Ферромагнетиктерден  басқа  көптеген  тау  жыныстары  

осындай магниттік өткізгіштікке ие.   Магниттік тұрақты 

6

10

657

,

1









 Гн/м.  

Онда  магниттік өрістің коллекторға  ену тереңдігі   келесідей болады  

 

 

482

10

1

10

257

,

1

1

10

1094

14

,

3

2

2

6

6

3

























L

(м). 

 

 

Қорытындылар 

58 

 

 

1.

 

Электромагниттік  әсер етудің    мұнаймен қаныққан коллекторға әсерін    

тәжірибе жүзінде анықтау  үшін,    жиілігі  1094 кГц ,  шығыс кернеуі   1000 

кВ  жететін  электромагниттік  өріс  тудыра  алатын,        зертханалық    құрылғы  

жасалынды.    Құрылғы негізіне    ауа  өзекті    резонанстық  трансформатор  

принципі  алынды.        Құрылғы        электромагниттік  толқындардың  жиілігін 

өзгертуге мүмкіндік береді.  

2.

 

Тәжірибелер жүргізу  үшін   жасанды  құм керні  үймегінің   2     моделі  

дайындалды.   Модельдердің  кеуектілігі -  35 %, абсолюттік өткізгіштігі  0,5Д.  

Бірінші модельдің көлемі 1500 см

3

, екіншісі – 261,5 с м

3

.  

Тәжірибе үш бағыт бойынша жүргізілді: 

А. Тазарту басталуы  қысымының    шектік градиентін іздеу және    одан  

өтуге  электромагниттік әсер етудің  әсерін бағалау 

В. Электромагниттік әсер етудің   ығыстыру коэффициентіне  әсері 

С.Электромагниттік  әсер  етудің        қанықтырушы  флюидтің    

қозғалмалылығына әсері 

3.

 

Тәжірибе  жүргізу    нәтижесінде    үймелі  керннің    бірінші  моделі  үшін 

тазарту  басталуы    қысымының        шектік  градиенті  анықталды,  ол    9656,61 

Па/м болды және    жасанды кернді  электромагниттік әсер ету арқылы  өңдеу 

кезінде  өтілді. ЭМ әсер ету кезінде   мұнайдың  ығыстыру коэффициентінің    

сумен поршеньдік ығыстырумен салыстырғанда  орта есеппен 41,5 %ға  артуы 

байқалды.  

4.

 

Қанықтырушы    флюидтің    қозғалмалылығы    ЭМ әсер етумен өңдеу 

кезінде        өсті:      көмекші    ығыстыру  агентісіз      6  есеге  және    магниттік  

сұйықтықты  қолдану  кезінде    9,3  есе.  Қанықтырушы    флюид  ретінде  

техникалық майды қолдану кезінде    ығыстырудың ең төменгі көрсеткіштері 

алынды,    қозғалмалылығы 4,7 есе.  

5.

 

Мұнайдың  қозғалмалылығының      арту  әсері    Ван-дер  ваальс 

күштерімен  байланысты,  ол        фаза  бөлімдерінің    шектеріндегі    беттік  

керілудің    артуымен  өрнектеледі.    Электромагниттік      өріс        пласттық  

сұйықтықтармен  өзара әрекеттесіп  қысымның қосымша    градиенттерінің 

пайда  болуына  алып  келеді.  Бұл      құбылыстар        жоғары  жиілікті    

электромагнитті  өріс  аймағындағы    көмірсутек  молекулаларының    

тербелістерінің    пайда  болуына  байланысты  болады.    Ол            таспалы  және 

капиллярлы-байланысқан    мұнайдың  қосымша  алынуына  алып  келеді,  ол    

ығыстыру коэффициентін арттырады. 

6.

 

Қарастырылып  отырған  жиіліктегі    электромагниттік  толқындардың      

ену тереңдігі  өнімдік пластта  кем дегенде  480м. 

7.

 

Тәжірибенің жағымды нәтижелері мұнаймен қаныққан коллекторлардан  

қосымша  көмірсутектер  алудағы      электромагниттік  әсер  етудің  тиімділігін 

көрсетеді.  

 

 

59 

 

3  Мұнайлық  қабатқа  электрлік  әсер  ететін  электр  жабдықтың 

өнделуі, есептелуі және модельденуі 

 

3.1 Электр жабдықтың басқару жүйесінің және күштік сызбасының 

өңделуі 

 

Жоғары  жиілікті  импульсті  модуляция  көмегімен  жұмыс  жасайтын 

электрлік  әсер  ету  бойынша  электр  жабдық  қағидасының  жүзеге  асырылуы 

техникалық  көз  қарастан  жеткілікті  түрде  қиын  тапсырма  болып  саналады. 

Дәстүрлі  тиристолы  сызбалар  мүмкіндігінше  бұл  электр  жабдықтың  жүзеге 

асырылуы  үшін  қолданады,  бірақ  басқару  мен  коммутацияда  үлкен 

шығындардың пайда болуына алып келеді. Жабдықтың қосылу және айырылу 

мәселесі  замануи  күштік  жартылай  өткізгіш    құралдар,  яғни  толық 

басқармалы  тиристорлар  -  GCT,  IGCT  және  IGBT  күштік  транзисторлар 

көмегісен  ғана  оңай  шешіліу  мүмкін.  Дегенмен  бұл  компоненттердің 

бағасының  жоғарылығы  олардың  санын  қысқартып  өте  аз  ететін  кммутация 

сызбасын  іздеуді  талап  етеді.  Күштік  сызбаны  тандаудан өзге  шешілуге  тиіс 

тағыда  өзіне  коммутациялық  асқын  кернеуден  және  максимальды  токтардан 

күштік  кілттерді  қорғайтын,  жоғары  кернеулі  құрылғының  салыну 

мүмкіндігін қосатын бірсыпыра тапсырмалар бар. 

 

 

 

Сурет 3.1 - Электрлік әсер ету электр жабдық құрылғысының күштік 

сызбасы 

 

Күштік  сызбаның  қарапайым  нұсқаларының  бірі  үш  фазалы  диодты 

көпірдің тұрақты ток жағында күштік транзисторлармен қосылған айнымалы 

токтың үш фазалы жүктемесінің коммутация тәсілі негізінде алынған. Мұндай 

сызба  қымбат  тұратын  күштік  кілттердің  санын  төмендетуге  және  жоғары 

60 

 

кернеулі сызбадағы олардың тізбектей қосылу қарапайымдылығын қамтамсыз 

етуге  мүмкіндік  береді.  Күштік  сызбаның  негізгі  сипаттамалары  3.1  кестеде, 

артықшылықтары және кемшіліктері 3.2 кестеде келтірілген. 

 

Кесте  3.1  -  Көрсеткіштер  және  негізгі  электрлік  әсер  етудің  жаңа 

құрылғысының күштік бөлігінің қатынасы. 

Көрсеткіш 

Сурет 3.1-дегі сызба 

Күштік транзисторладың саны 

1 

Диод пен тиристорлардың саны  

3+3 

Диодтағы кері кернеудің максималды мәні 

U

обр max

=√2∙U

1л

=√3∙√2∙U

1Ф

  

Диодтың максимальды тура тогы 

I

max

=√2∙I

Фmax 

Диодтың орташа тура тогы 

I

СР

≈0,24∙ I

Фmax

 

Транзистордың максимальды тура тогы 

I

Kmax

=1,05∙ I

max

 

Транзистордағы максимальды 

коммутациялағыш кернеу 

U

КЭmax

=3√6∕π∙ U

1Ф

≈2,34∙ U

1Ф

 

 

Кесте 3.2 - Күштік сызбаның артықшылықтары мен кемшіліктері 

 

Сурет 3.2-дегі сызба 

Артықшылықтары 

1. Күштік жартылай өткізгіш 

құрылғылардың. 

2. Жоғары кернеулі сызбадағы олардың 

тізбектей қосылуының қарапайымдылығы  

Кемшліктері 

1. Коммутациялаушы ток пен кернеудің 

үлкен мәні. 

2. Қосылудың қиындығы ((a,b,c) 

фазаларының бастамасы сиякты (x,y,z) 

соңдарын шығару керек) 

 

Сурет  3.1-дегі  сызбаны  аз  қуатты  және  төменгі  кернеулі  (380  В-қа  дейінгі) 

жабдықтар және де жоғары кернеулі жабдықтар үшін қолдану ойға қонымды. 

Жоғары  кернеулі  сызбада  сызбаны  таңдау  үшін  анықтаушы  фактор  болып 

күштік жартылай өткізгіш құралдардың кіші саны, сондай-ақ олардың бағасы 

жеткілікті  жоғары  және  де  көбіне  бір  транзистордың  орнына  кернеуді 

коммутациялаушыны  үлкейту  үшін  бірнеше  транзисторлардың  тізбектей 

қосылуының талап етілетіні табылады. 

Электр жабдықтың ғылыми тәжірибелік зерттеуі үшін қуаты 4 кВт тең 

зертханалық  қондырғы  жобаланды.  Солай  болғандықтан  зертқаналық 

қондырғыда аз қуаттысы қолданады, күштік сызба мақсатында сурет 3.1 сызба 

қолданылған.  Ұсынылып  отырған  қондырғының  іс  жүзінде  іске  асырылуы 

үшін  күштік  сызбаны  таңдайдаудан  басқа  шешуге  тиісті  асқын  кернеуден 

күштік кілтті қор,ау болып табылатын бірсыпыра сұрақтар қатары бар. 

 

3.2 Асқын кернеуден күштік кілтті қорғау  

 

Жоғары  кернеулі  (300  В  артық)  және  сәйкесінше  төменгі  жиілікті   

(1...10  кГц)  обылыста  векторлы-импульсті  қағида  бойынша  жұмыс  жасайтын 

61 

 

электрлік әсер ететін құрылғы үшін күштік электронды кілтті тандау шынайы 

міселе  болып  табылады.  Таңдаудағы  қателік  құрылғының  өз  мүмкіндіктерін 

жүзеге  асыра  алмауына  алып  келуі  мүмкін,  өте  көп  қуатты  жоюы  және 

соңында бәсекеге қабілетсіз болуы болады. 

Сурет  3.2-де  замануи  толық  басқармалы  күштік  жартылай  өткізгіштер 

құралдарының  ұсынылған  қолдану  обылысының  диаграммасы  көрсетілген. 

Күштік электронды кілттердегі ағушы есептік токтардың ауқымы 20-дан 100 

А-ге  дейін  өзгереді,  кернеу  500-ден  1500  В-қа  дейін  өзгереді.  Сурет  3.2өде 

көрсетілген график талдауы кернеу 1-ден 6,5 кВ-қа дейінгі және ток 100-ден 

1000  А-ге  дейінгі  кезде  IGBT  транзисторлардың  басымырақ  қолданатыны 

туралы қортынды жасалды. 

 

 

 

 

 

 

Сурет 3.2 - Күштік жартылай өткізгіштердің қолдану аясы 

 

Әйткенмен,  IGBT  транзисторларының  өзінің  қолдану  аясын  шектейтін 

технологиялық кемшіліктері бар. Қазіргі уақыттың IGBT биполярлы бөлігінің 

базасында негізгі емес заряд тасушылардың сорылуы және транзисторлар мен 

жүргізушілердің  сыртылдатуға  бейім  келетіні  айтарлықтай  шынайы 

мәселелердің  бірі.  IGBT  транзисторлардың  сыртылдауының  себебі  болып 

62 

 

IGBT  биполярлы  бөлігінен  және  паразитті  NPN  транзистормен  түзілген 

триггер  құрылымының  бар  болуы  табылады.  Күштік  түрлендіргіш 

құрылғысының  сенімді  жұмыс  жасауының  кепілі  кірмелік  күштік  кілттердің 

дұрыс қосылуы болып табылады. Байланыс желісінің тарату индуктивтілігінің 

әсерін  азайту  үшін  бекітпемен  басқармалының  сызбасын  IGBT  модуліне 

барынша  жақын  орналасуы  тиіс.  Бірқатар  жағдайларда,  мысалы  кілттердің 

пареллельді 

жалғануымен 

басқаруы 

кезіндегі 

талабын 

орындау 

қиындатылған.  Егер  жүргізуші  мен  күштік  кілт  арасындағы  арақашықтық       

5  см-ден  асса  онда байланыс  есу  жұбымен  орындалу  керек.  Қолайлы  шешім 

болып  әсіресе  үлкен  қуатты  түрлендіргіштің  IGBT  корпусында  жүргізушінің 

орналасуы болып табылады. 

Күштік  тізбектің  арнайы  монтаж  есебінен  паразитті  индуктивтіліктің 

азаюымен  байланысты  кернеудің  төмендеуінің  классикалық  әрекеті  бұл 

жағдайда 

айтарлықтай 

нәтиже 

бермейді. 

Сондықтан 

транзистор 

қорғанысының  жалғыз  нұсқасы  болып  арнай  қорғаныстық  тізбектерді 

қолдануы  табылады.  Шашыраудың  индуктивтілігнен  басқа  кернеу  пигінің 

мәніне  коммутация  кезіндегі  транзистордағы  ағушы  ток  әсерін  тигізеді.  Ток 

мәні  жібергіш  жұмысның  режиміне:  қалыпты  режиміне,  жіберілімге,  қысқа 

тұйықталуға  сәйкес  әртүрлі  болуы  мүмкін.  Осыған  орай,  қорғаныс  тізбегін 

жобалау кезінде міндетті түрде қалыпты және апаттық режимдғр үшін әртүрлі 

нұсқалар алдын-ала қарастырылады. 

Қалыпты  режимде  транзистор  токтың  қалыпты  мәнін  1-5  есеге  артқан 

кезде  айырылады.  Кернеу  индуктивті  шайқалуын  алдын  ала  тоқтату  үшін 

кондесатор,  резистор  және  диодтан  тұратын  классикалық  қорғаныстық 

тізбекті қабылдау жөн болады (сурет 3.3) [38-40]. 

 

 

 

Сурет 3.3- Қорғаныстық RCD тізбегінің сызбасы 

 

Қорғаныстық  тізбек  элементтерінің  номинальдары  келесі  өрнек 

бойынша есептеледі [41]: 

Кондесатор сыйымдылығы: 

 

63 

 





2

2

0

cc

pk

s

sn

U

U

I

L

C







,                                                  (3.1) 

 

Резистордың кедергісі: 

sw

sn

sn

f

C

R







6

1

,                                                   (3.2) 

 

Резистордың қуаты: 

 





sw

sn

r

s

cc

pk

sn

R

f

R

t

I

L

U

U

C

P































2

0

2

2

2

125

,

1

2

1

,                   (3.3) 

 

мұндағы: 

0

I

- коммутация кезіндегі транзистор арқылы өтетін ток; 

                 

cc

U

-  тұрақты  токтың  шинасының  кернеуі  (жалпы  алғанда 

торап кернеуі 380 В болғанда); 

                 

pk

U

-  транзистордағы  кернеудің  максимальды  жіберілімді 

кернеуі;  

                 

sw

f

- транзистордың қосылу жиілігі; 

                  

r

t

- транзистордың қосылуы кезіндегі токтың өсу уақыты. 

 

3.3  Басқару  жүйесі  микропроцессорының  өңделуі  мен  электр 

жабдықтың күштік элементерің есептелуі   

 

Басқару  алгоритмін  жүзеге  асыру  үшін  микроконтроллер  алынған 

ақпаратты  жоғары  жылдамдықпен  өңдеуді,  алынған  сигналдардың 

түрлендіретін  құрылғы  қасиетін  иемдену  керек.  Аналогтық  сигналдарды 

түрлендіру  үшін  10-12  екілік  разрядтартан  кіші  емес  және  осы  уақытта  5-10 

мкс кем емес түрлендіретін кеңейтілімі бар қондырылған АЦТ барды иемдену 

керек. АЦТ сегіз каналы фазалардың тогы бойынша кері байланыс сигналдар 

дын  қабылдау  үшін  емес,  соған  қоса  кернеу  және  тогы  бойынша  кері 

байланыс  сигналдарын,  және  де  сыртқы  жетекші  сигналдарды  қабылдауына 

жеткілікті.  Векторлы  басқарудың  алгоритмі  математикалық  аппаратқа  және 

микроконтроллер  ОҚУ  жадының  көлеміне  күшейтілген  талап  ұсынады. 

Замануи  арзан  микроконтроллердің    сипаттама  талдауының  нәтижесінде  32 

разрядты  микроконтроллер  NXP  LPC2148  фирмасының  LPC2100  туындысы 

ARM7  TDMI  архитектурасымен  тандалды  қазіргі  таңда  шығарылып  жатқан 

аспаптар  54  MIPS  дейінгі  өнімділікті  қамтамасыз  ете  отыратын  60  МГц 

дейінгі ырғақты жиілікте істейді, 128-битті шинасымен 512 Кбайт көлемі бар 

қондырылған  Flash-жады,  көлемі  64  Кбайт  статикалық  оперативтік  жады 

(SRAM), ЕИМ модульды, 10 канальды 10-битті АЦТ модульді, 10-битті ЦАТ 

64 

 

модульді, I

2

C, CAN, SPI интерфейстерін, екі UART (бір UART толық модемді 

интерфейсімен), USB иемденген. 

LPC2100 

микроконтроллер 

базасындағы 

электр 

жабдықтың 

функционалды  сызбасы  сурет  3.3,  ал  микроконтроллерге  басқару  жүйесі 

сигналдарының қосылуының принциалды сызбасы сурет 3.4 келтірілген. 

 

 

 

Сурет 3.4 - LPC2148 микроконтроллер базасындағы басқару жүйесінің 

функционалды сызбасы 

 

 

 

 

 

 

65 

 

 

 

Сурет 3.5 - LPC2148 микроконтроллер базасындағы басқару жүйесінің 

принцпиалды сызбасы 

 

Сызбаның күштік бөлігі үшфазалы диодты көпір VD

1

-VD

6

 және тұрақты 

ток  жағынан  VT

1

  коммутациялаушы  бір  IGBT  транзистор.  R

2

,  VD

7

,  C

1

 

элементтері коммутация кезігде кернеу лақтыруынан транзисторды қорғайтын 

тізбек болып табылады. Кедергі R

1

 максималды токтан қорғайтын сызба үшін 

тетік.  Басқару  жүйесінің  микропроцессорының  басқарушы  бағдарламасы  үш 

модульден тұрады. 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

66 

 

Қорытынды 

 

1.  Мұнайды  қайтаруды  арттыру  мақсатымен  өнімді  қабатқа  элекртлік 

және  электрмагнитті  әсер  ету  туралы  әртүрлі  ақпарат  көздерін  зерттеу 

нәтижесінде  өте  тиімді  және  талқандамай    мұнай  ұстаушы  коллекторға  әсер 

ететін  жоғары  кернеулі  өте  жоғары  жиілікті  электрмагнитті  әдісі  болып 

табылады. 

2. Мұнай ұстаушы қабатқа электрмагнитті әсер ететін сынақтың әртүрлі 

ауқымдағы  жиіліктерде,  ток  күштерінде  және  кернеулерде  жұмыс  жасатйын 

зертханалық зерттеу қондырғысы жиналып өңделді.  

3.  Жоғарыда  келтірілген  тиристорлар  мен  транзисторлардың  кейбір 

техникалық  көрсеткіштерін  салыстыра  отырып  транзисторлардың  өзіне  тән 

айтарлықтай  артықшылықтары  бар  екенін  көрдің.  IGBT  транзисторлардың 

осы  қасиеттерін  пайдалан  отырып  осыған  дейінгі  қолданып  аз  ауқымда 

басқарылатын күштік сызбаны жаңа, замануи, қарапайым, арзан және де кең 

ауқымда  басқарылатын  күштік  сызбаға  айналдырдым.  Оған  қоса  IGBT 

транзисторлармен толық таныса отырып күштің сызбаны одан әрі жетілдіріп 

қарапайымдандырылып қолдану аясын кеңейту ұсынылады. 

4.  Тау-кен  қысымы  мен  температурасы  жағдайындағы  шынай  тау 

жыынысы үлгісіндегі зертханалық ғылыми тәжірибелерді өткізу ұсынылады. 

5.  Келтірілген  обылыстағы  зерттеулерді  жалғастыру  және  өндірістік 

қондырғының  машықтанған  үлгісіе  қолдана  отырып  шынайы  кен  орындарда 

сынақтар жүргізілуі ұсынылады.  

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

67 

 

Қолданылған әдебиеттер тізімі 

 

1.Айрапетян  М.  А.  Исследования  в  области  высокочастотного  нагрева 

нефтяного пласта. Алма-Ата, 1959. Т. 2. 105-132 беттер.. 

2.Айрапетян  М.  А.  О  перспективах  разработки  нефтяных    горизонтов 

электрическими полями токов высокой частоты. Алма-Ата. 1958. Т. 1. 36 - 45 

беттер. 

3.Алексеева  Л.  И.  Моделирование  электрического  поля.  Методические 

рекомендации – Иркутск,  2001, 11-13 беттер. 

4.Багиров  М.  А.  Электротермические  способы  увеличения  нефтеотдачи 

пластов. Баку. 1962, 169-181 беттер. 

5.Барышников  А.  А.  Методы  электрического  воздействия  на  пласт  с 

целью  увеличения  нефтеотдачи.  Нефтепромысловое  дело  №7.2013,  32-37 

беттер. 

6.Барышников  А.  А.  Применение  электромагнитного  и  плазменно- 

импульсного  воздействия  для  повышения  нефтеотдачи.  Нефтепромысловое 

дело №6.2013, 34-37 беттер. 

7.Барышников  А.  А.  Повышения  нефтеотдачи  пластов  за  счет 

воздействия  электромагнитным  полем.  Научное  обозрение  №4.  2013,  91-94 

беттер. 

8.Барышников  А.  А.  Повышение  нефтеотдачи  пластов  за  счет 

воздействия  электромагнитным  полем,  Проблемы  геологии  и  освоения  недр: 

материалы  XVII  Международный  научный  симпозиум  имени  академика 

М.А.Усова студентов и молодых ученых. Томск: ТПУ, 2013, C.669-675 

9.Барышников  А.  А.  Метод  повышения  нефтеотдачи  пластов 

посредством  нагнетания  магнитной  жидкости.  Нефть  и  газ  №5.2012,  40-41 

беттер. 

10.Барышников  А.  А.  Новый  метод  интенсификации  притока  нефти  из 

пласта путем закачки магнитной жидкости, Нефть и газ 2012: материалы 66-й 

международной молодежной конференции. 2012, 100-105 беттер. 

11.Барышников  А.  А.  Применение  магнитной  жидкости  в  качестве 

вытесняющего  агента  с  целью  повышения  нефтеотдачи  пластов,  2 

Конференция молодых ученых и специалистов ЖШС «Лукойл-Инжиниринг» 

2012, 27-28 беттер. 

12.Барышников  А.  А.  Новый  метод  увеличения  нефтеотдачи  пласта 

путем  закачки  магнитной  жидкости,  Проблемы  геологии  и  освоения  недр: 

материалы  XV  Международный  научный  симпозиум  имени  академика  

М.А.Усова студентов и молодых ученых Томск: ТПУ, 2012, 84-85 беттер. 

13.Барышников  А.  А.  Новая  технология  вытеснения  нефти  из  пласта 

путем  закачки  магнитной  жидкости,  Геология  и  нефтегазоносность  ЗСМБ: 

материалы седьмой Всероссийской конференции  2011, 45-46 беттер. 

14.Болдырев  М.  Патенті  РФ:  Устройство  для  интенсификации  добычи 

углеводородов. ЖШС «Волгахимэкспорт»  - № 367856 29.12.2003 бастап 

68 

 

15.Болдырев  М.  Патенті  РФ:  Устройство  для  интенсификации  добычи 

углеводородов, ЖШС «Волгахимэкспорт»  - № 360957 29. 12. 2003 бастап. 

16.Болдырев  М.  Повышение  нефтеотдачи  методом  воздействия 

импульсами электрического тока на продуктивный пласт. 1995, 19-45 беттер. 

17.Браганчук  А.  М.  Патенті  РФ:  Способ  импульсного  и  ионного  – 

плазменного воздействия на нефтяной пласт - № 2213960  22.10.2001 бастап 

18.Вайнштейн  JI.  A.  Электромагнитные  волны.  М.:  Советское  радио, 

1957, 20-21 беттер. 

19.Вахитов  Г.  Г.  Использование  физических  полей  для  извлечения 

нефти из пластов . М.: Недра, 1985, 231-233 беттер. 

20.Вахитов  Г.  Г.  Термодинамика  призабойной  зоны  нефтяного  пласта. 

М.: Недра, 1978, 217-221 беттер. 

21.Гиматудинов  Ш.  К.  Физика  нефтяного  и  газового  пласта.  М:  Недра, 

1971, 300-316 беттер. 

22.Годунина Н. Б. Использование данных магнитного  моделирования в 

расчетах фронта вытеснения нефти водой. Тюмень, 1985, 22-29 беттер. 

23.Губин В. Б. Некоторые электрофизические свойства Мангышлакской 

нефти.  РНТС:  Транспорт  и  хранение  нефти  и  нефтепродуктов,  1967,  12-16 

беттер. 

24.Дебай  П.  Теория  электрических  свойств  .M.;  Л.:  ОНТИ,  1935, 49-51 

беттер. 

25.Дебай П. Полярные молекулы. M.; JI.: ОНТИ, 1931, 17-24 беттер 

26.Демьянов  А.  А.  Исследования  диэлектрических  параметров  нефти  и 

ее  фракций  в  диапазонах  сантиметровых  и  миллиметровых  волн  с  целью 

создания влагомеров. М., МИНХиГП, 1969, 28-31 беттер 

27.Денисов 

С.  Б.  Высокочастотные  электромагнитные  методы 

исследования нефтяных и газовых скважин М.: Недра.  1986, 143-144 беттер 

28.Дыбленко В. П. Волновые методы воздействия на нефтяные пласты с 

трудноизвлекаемыми запасами. Обзор и классификация. 2008, 23-25 беттер. 

29.  Құдайбергенов  Р.  Техникалық  терминдер  сөздігі:  50  мыңға  жуық 

термин. - Алматы: «Таймас» баспа үйі, 2009.-616 бет.   

30.Нурахметов  Н.  Н.,  Шаяхметов  Ш.Ш.  Химия  терминдерінің  орысша-

қазақша сөздігі. – Алматы :  «Ана тілі», 1992. – 192 бет.   

 31.Рама  Редди  С.  Основы  силовой  электроники.  М.:  Техносфера.  2006 

ж. , 286 бет.;  

32.Сауранбаев  Н.  Т.  Орыссша-Қазақша  сөздік:  70  000  сөз.  -  Алматы: 

Дайк-Пресс, 2005. - 1152 бет.