Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Pdf көрінісі

бет	137/159
Дата	10.10.2022
өлшемі	8,62 Mb.
	#42085
түрі	Оқулық

1 ... 133 134 135 136 137 138 139 140 ... 159

Байланысты:
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)

Жұмыстарды орындау тәртібі. 4.1. Дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру.
Компоненттерді таңдау

S
= f
1
(І
С
).
S ағар-бекітпелік сипаттамасының тіктігі келесі ұсынылған
формула бойынша анықталады:
U
СИ
= const
жағдайында S
=
𝛥Іс
𝛥𝑈зи
(9.5)
бұл жерде
Δ
І
С
— ағар тоғының үстемеленуі;
Δ
U
ЗИ
— бекітпедегі кернеудің
үстемеленуі;
2) І
С
= f
2
(U
ЗИ
) — ағар-бекітпелік немесе ауыспалы сипаттама.
Дала транзисторлары туралы техникалық мәліметтер 1.4-ші бөлімшеде
баяндалған.
4.
Жұмыстарды орындау тәртібі.
4.1.
Дала транзисторының шығу сипаттамаларын құру.
Жұмыс алаңында характериографты және 2N7000 дала транзисторын
орналастыру. Оның алдыңғы панелінде үлкейтілген бейне пайда болу үшін
характериограф белгісін басу (9.4, а суреті). Алдыңғы панельдің жоғарғы
бөлігінде оң жақта Компоненттерді таңдау жолағында үшбұрыш
белгісін басу және түсетін мәнмітіндік мәзірде NMOS транзисторын
таңдау қажет.
9.4- сурет. Дала транзисторының шығу сипаттамаларын анықтау:
а — характериограф экраны; б — жалғау сызбасы.

245
Сонымен бірге, алдыңғы панельдің төменгі жағында транзисторды
характериографқа жалғау сызбасы пайда болады. 2N7000 транзисторын
характериографқа 9.4, б суретінде көрсетілген сызбаға сәйкес жалғау
қажет. Енді үлгілеу параметрлерін енгізу қажет. Бұл үшін алдыңғы
панельдегі Үлгілеу жазбаса бар жолқты басамыз. Пайда болған терезеде
үлгілеу параметрлерін енгізу қажет: көз — ағар (V_ds) тізбегі үшін 0-ден
12 В қадама 100 мВ болатын кернеуді енгізу, бекітпе — көз (V_gs)
кергнеуі үшін 2-ден 5 В дейінгі мәнді белгілеу қажет. Үшінші жолда

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу:

1 ... 133 134 135 136 137 138 139 140 ... 159