Транзисторлық сызбалар параметрлерін есептеу мысалдары

30
 
R
к
яғни тораптағы тоқтардың алгебралық сомасы нөлге тең.
Кирхгофтың екінші заңы. Тұйықталған контурдың кейбір 
учаскелеріндегі кернеулердің төмендеуінің, күрделі салаланған тізбектегі 
бөлінген алгебралық сомасы, осы контурдағы ЭДС алгебралық сомасына 
тең. Резистивтік кедергілерге арналған дербес жағдайларда Киргхофтың 
екінші заңы төмендегідей жазылуы мүмкін: 
ƩІ
к
R
к
= ƩЕ
к
, 
яғни, кернеулердің төмендеуінің алгебралық сомасы ЭДС алгебралық 
сомасына тең. 
Киргхофтың екінші заңын қолданған кезде тұйықталған контурдың 
айналмасының бағытын және контурдағы тоқ бағытын ұсыну қажет. 
Әдетте, оң деп тұйықталған контурдың айналмасының бағыты саналатын 
болады. Тоқтың оң бағыты ретінде тоқ көзінің «плюсінен» «минусына» 
қарай бағыт саналады. ЭДС үшін оң деп, қуат беру көзі контурдың 
айналмасының бағытындағы әлеуетті арттыратын, яғни «минустан»
«плюске» баратын бағыт саналады. 
1.3-мысал. 1.13-ші суретте, транзистордың күшею коэффициентін β = 
100, база—эмиттер кернеуінің төмендеуі U
БЭ
= 0,7 В, базаның кедергісі R
Б
= 43 кОм, E
Б
база тізбегіндегі ЭДС = 5 В база тоғын есеп ала отырып І
Б
, 
эмиттер тоғын І
Э
және коллектор тоғын І
К
есептеп шығару. 
Шешімі. Киргхофтың екінші заңын қолдан база тізбегі контуры үшін 
қолдана отырып, жазамыз: 
І
Б
R
Б
= - U
БЭ 
+ E
Б
1.13-сурет. Биполярлы транзисторды 
қосу сызбасы
Осыдан І
б 
=
−𝑈бэ+Еб
𝑅б
=
−0,7+5
43•103
= 0,1 • 103А; 

31 
. 
Коллектор тоғы 
І
К
 = βІ
Б 
= 100 •
0,1 •10
-3
= 10 •10
-3
А = 10 мА
Эмиттер тоғы

жүктеу/скачать 8,62 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: