1.6-шы мысал. p—n-өтпелі және n-арналы дала транзисторы қима
кернеуі U
қим
= -4,0 В және І
С бас
= 8 мА тең.
37
Табу: U
ЗИ
қима аймағындағы қандай кернеуі, ағар тоғының 4 мА-ға
тең қанығуына І
С
алып келеді; І
С
= 4 мА жағдайында U
СИ қан
кернеуі
қанығуы мәні неге тең.
Шешімі. (1.5) формуланы пайдаланамыз және U
ЗИ
кернеуін табамыз:
U
ЗИ
= U
қим
(1 - √ І
С
/ І
С бас
)
Алынған көрініске шығыс деректерін қоя отырып, келесіні аламыз:
U
ЗИ
= -4
(1 - √ 4/ 8 )
= -1,172 В
U
СИ қан
қанығу кернеуін (1.4) формуладан табамыз:
U
СИ қан
= U
ЗИ
– U
қим
=-1,172 + 4 = 2,83 В.
1.4.2. Бекітпелері оқшауланған дала
транзисторлары
Бекітпелері оқшауланған дала транзисторлары — бұл бекітпесі
электрлік қатынаста арнадан диэлектрик қабатымен бөлінген транзистор
болып
табылады.
Бекітпелері
оқшауланған
МДЖ
(МОЖ)-
транзисторлардың
екі
түрі
болады:
енгізілген
арналы
және
индукцияланған арналы. Енгізілген арналы транзистордың қарапайым
құрылымы 1.16, а суретті, ал индукцияланған арналы транзистордың
қарапайым құрылымы —1.16, б суретте көрсетілген. Бұл сызбалардың
арасындағы айырмашылық, егер, енгізілген арналы транзисторда өткізгіш
қабат басынан бастап қалыптастырылған болса, ал индукцияланған арналы
транзистор бекітпеде кернеу болмаған жағдайда тоқ өткізбейді. МДЖ –
транзисторлардың шартты графикалық белгіленулері 1.16. в – е суретінде
келтірілген.
Енгізілген п-арнасы бар МДЖ-транзистор 1.16, а суретінде
көрсетілген. Ол п
+
( «плюс» белгісі бұл аймақтардың күшті
қоспаланғандығын білдіреді), және п
+
аймақтарын жалғайтын п
+
-типті, п-
типті электр өткізгіштікті екі аймақ құрылған, р-типті электр өткізгіштікті
жартылай өткізгіштің, әдетте кремнийдің монокристалы болып табылад
|