37
Табу:
U
ЗИ
қима аймағындағы қандай кернеуі, ағар тоғының 4 мА-ға
тең қанығуына
І
С
алып келеді;
І
С
= 4 мА
жағдайында U
СИ қан
кернеуі
қанығуы мәні неге тең.
Шешімі. (1.5) формуланы пайдаланамыз және
U
ЗИ
кернеуін табамыз:
U
ЗИ
=
U
қим
(1 - √
І
С
/ І
С бас
)
Алынған көрініске шығыс деректерін қоя отырып, келесіні аламыз:
U
ЗИ
=
-4
(1 - √
4/ 8 )
= -1,172 В
U
СИ қан
қанығу кернеуін (1.4) формуладан табамыз:
U
СИ қан
= U
ЗИ
–
U
қим
=-1,172 + 4 = 2,83 В.
1.4.2. Бекітпелері оқшауланған дала
транзисторлары
Бекітпелері оқшауланған дала транзисторлары — бұл бекітпесі
электрлік қатынаста арнадан диэлектрик қабатымен
бөлінген транзистор
болып
табылады.
Бекітпелері
оқшауланған
МДЖ
(МОЖ)-
транзисторлардың
екі
түрі
болады:
енгізілген
арналы
және
индукцияланған арналы.
Енгізілген арналы транзистордың қарапайым
құрылымы
1.16, а суретті, ал
индукцияланған арналы транзистордың
қарапайым құрылымы —
1.16, б суретте көрсетілген. Бұл сызбалардың
арасындағы айырмашылық, егер, енгізілген арналы
транзисторда өткізгіш
қабат басынан бастап қалыптастырылған болса, ал индукцияланған арналы
транзистор бекітпеде кернеу болмаған жағдайда тоқ өткізбейді. МДЖ –
транзисторлардың шартты графикалық белгіленулері 1.16.
в – е суретінде
келтірілген.
Енгізілген
п-арнасы бар МДЖ-транзистор 1.16,
а суретінде
көрсетілген. Ол
п
+
( «плюс» белгісі бұл аймақтардың күшті
қоспаланғандығын білдіреді), және
п
+
аймақтарын жалғайтын
п
+
-типті,
п-
типті электр өткізгіштікті
екі аймақ құрылған,
р-типті электр өткізгіштікті
жартылай өткізгіштің, әдетте кремнийдің монокристалы болып табылад
