Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)
- Бұл бет үшін навигация:
- индукцияланған арнасы
| 38
Арнаның бетінде, одан да электрлік шығыс – бекітпе жасалынатын, жұқа металдан жасалынған пленка (мысалы, алюминийден) шашырату әдісімен жағылған диэлектрик қабаты болады (кремний диоксиді SiO 2 ). Кейде, түптұғырдан (табанынан) да көзбен қысқаша жалғастырылатын шығыс жасалынады. n-типті енгізілген арнасы бар транзистордың жұмысын қарастырайық. Транзисторды ағар мен көз арасындағы кернеуге қосайық. Бекітпені сөндірілген қалыпта қалдырайық (U ЗИ = 0). Енгізілген арна болғандықтан, транзистор арқылы электрондар ағыны болып табылатын, І С тоғы өтеді. Бекітпеге көзге қатысты теріс кернеу берейік. Арнада электрондарды арна аймағынан төсемеге қарай ығыстыра бастайтын, көлденең электр алаңы пайда болады. Арнадағы электрондар саны азаяды, оның кедергісі артады, және І С тоғы төмендейді. Транзистордың мұндай жұмыс істеу тәртібі кему тәртібі деп аталады. Егер, бекітпеге оң кернеу беретін болсақ, пайда болған электр алаңы электрондарды ағар, көз және түптұғыр аймақтарынан тартатын болады. Арна кеңейеді, оның өткізгіштігі артады, және І С тоғы артады. Транзистор қанығу тәртібіне енеді. Енгізілген арнасы бар МДЖ-транзистор төмендегі ұсынылған екі тәртіпте жұмыс істеуге қабілетті: кему тәртібінде және қанығу тәртібінде. р-типті енгізілген арнасы бар МДЖ-транзистордың жұмыс істеу тәртібі осыған ұқсас, тек бекітпеге көзге қатысты теріс кернеу беру қажет. Енді, индукцияланған арнасы бар МДЖ-транзистордың жұмысын қарастырайық. Ағар мен көздің арасында кернеуді қосамыз. Бұл жағдайда, электр тоғы өтпейді, өйткені п+ аймақтары арасында, электрондарды өткізбейтін р аймағы бар. Бұдан әрі, егер, бекітпеге оң кернеу беретін болса, электр алаңы пайда болады. Ол оң иондарды (саңылауларды) р аймағынан түптұғырға қарай ығыстыратын болады. Нәтижесінде бекітпе астында кемтіктердің шоғырлануы азаяды және олардың орындарын қақпадағы оң кернеу тартатын электрондар басатын болады. Бекітпедегі кернеу өзінің шекті мәніне жеткен кезде, бекітпе маңындағы электрондардың шоғырлануы кемтіктердің шоғырлануынан асып түседі. Ағар мен көз арасында, І С тоғы өтетін, n-типті электр өткізгіштігі бар жұқа арна қалыптасады. Транзистордың қақпадағы кернеу неғұрлым үлкен болған сайын, арна да соғұрлым кең, тиісінше тоқтың күші артады. Дала транзисторының мұндай жұмыс тәртібі қанығу тәртібі деп аталады. Индукацияланған арналы транзистор тек қанығу тәртібінде ғана жұмыс істей алады. р-типті енгізілген арнасы және п-типті түптұғыры бар МДЖ- транзистордың жұмыс принципі де осындай, тек қақпаға көзге қатысты теріс кернеу беру қажет. Дала транзисторын, биполярлы транзистор тәрізді үш негізгі сызбаның бірі бойынша қосуға болады: ортақ көзді (ОК), ортақ ағарлы (ОА) және ортақ бекітпені (ОБ). Іс жүзінде қуаттылығы бойынша неғұрлым үлкен күшті қамтамасыз ететін, ОК (1.17-ші суретті қараңыз) сызбасы қолданылады. |