Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»
жүктеу/скачать 8,62 Mb. Pdf көрінісі
|
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)
| 62
Е бал анықтау үшін 2.6, б суреттегі кіріс тізбегінің баламалы жүйесіне арналған Киргхофтың екінші заңын жазамыз: І Б -R бал + І Э R Э = Е бал — U БЭ . ( 2.15) I Б = I К /β, I Э ≈I К , теңеуін ескере отырып (2.15) теңеуді қайтадан жазамыз: І Э β Rбал + ІЭR Э = Ебал — UБЭ ; Кремнийден жасалынған транзисторларына арналған U БЭ , келесіні жазуға болады: І Э ( Rбал β + R Э ) = Ебал − 0,7; ( 2.16) (2.16) формуладан І Э табамыз: І Э = Е БАЛ −0,7 Rбал/β + R Э ; R Э >> R экв / β туындыдағы бірінші қосқышқа мән бермеуге болады, онда теңеу келесідей түрге енеді: І Э = Е БАЛ −0,7 Rэ ; ( 2.17) Бұл көрініске тыныштық нүктесінің параметрлерін қоя отырып, Е бал табамыз: Е бал = I Э R Э + 0,7 = 0,05 • 12 + 0,7 = 1,3 В. R бал табу үшін ортақ эмиттері бар сызбаның тұрақтылығы коэффициентіне арналған көріністі пайдаланамыз. [5] сәйкес бұл көрініс төмендегідей болады: S = β (1−β( ɖІ б ɖІ к )) ; бұл жерде S — тұрақтылық коэффициенті. 1 Э = 1 К + 1 Б теңеуін ескере отырып, 2.6, б суреттегі сызбаға арналған төмендегі формулаға ие боламыз: І Б = Ебал− 𝑈бэ 𝑅бал+ 𝑅э − 𝑅э 𝑅бал+ 𝑅э = Ік; Бұл көріністің І К бойынша дифференциялануы төмендегіні береді: ɖІ б ɖІ к = − 𝑅э 𝑅э+ 𝑅бал ; Бұл көріністі S арналған формулаға қоя отырып, келесіні аламыз: S = 𝛽(𝑅э+ 𝑅бал) (𝛽+1)𝑅э+ 𝑅бал ; Β ≥ 1 болғандықтан, бірлік туындысына мән бермеуге болады. 63 Нәтижесінде аламыз: S = 𝛽(𝑅э+ 𝑅бал) 𝛽𝑅э+ 𝑅бал ; ( 2.18) Сызбаның тұрақтылығын қамтамасыз ету үшін S коэффициентінің 2-ден 10-ға дейінгі диапазондағы мәнін қамтамасыз ету қажет. Мысалы, S = 10. онда (2.18) шарттан келесіні аламыз: 𝑅бал = 𝛽𝑅э(S−1) 𝛽−S = 100 ·12(10−1) 100−10 = 120 Ом; бұл жерде 𝛽=100 КТ3102А транзисторының төлқұжаттық деректеріне сәйкес. XSC1 2.7-сурет. Биполярлы транзистордағы күшейткіш каскадты үлгілеу. 64 а 2.8- сурет. Күшейткіштің кіріс және шығыс сигналдарының осциллограммасы : а — кіріс сигналы амплитудасы 0,4 В; б — кіріс сигналы амплитудасы 0,7 В 65 2.3. R 1 = Rбал −Ек Ебал = 120 •12 1,3 = 1 107 Ом; R 1 арналған, R 1 = 1,1 кОм жақын стандартты мәнді қабылдаймыз; R 2 = Rбал −Ек Ек−Ебал = 120 •12 12−1,3 = 134,6 Ом; Шамалас үлкен R 2 = 140 Ом стандартты мәнін қабылдаймыз. Сонымен, біз күшейткішке кіретін барлық резисторлардың номиналдарын анықтадық:: R К = 120 Ом; R Э = 12 Ом; R 1 = 1,1 кОм; R 2 = 140 Ом. Күшейткіштің есептелген параметрлермен қалай жұмыс істейтінін тексерейік. 2.7-ші суретте Multisim 10 бағдарламасында жасалған күшейткіштің сызбасы келтірілген. Сызбаға төмендегілер қосылған: C 2 , С 3 тарату сыйымдылықтары, R 3 жүктеме резисторы, тұйықтағыш конденсатор C 1 . С 1 конденсаторы, ауыспалы құрамдас бөліктері бойынша каскадтағы теріс кері байланыстың көрінуін жоққа шығара отырып, R Э резисторын тұйықтайды. С 1 конденсаторы,ның болмауы сызбаның күшею коэффициентінің кемуіне алып келер еді. Күшейткіштің кірмесіне синусоидалды сигналды береміз және осциллографтың экранында кірмедегі (төменгі амплитуда сигналы) және шықпадағы (жоғары амплитуда сигналы) сигналдары үлгісін бақылаймыз. 2.8, а суретте амплитудасы 0,4 В және жиілігі 1 000 Гц болатын кіріс сигналы және шығыс сигналы көрсетілген. Шығыс сигналы дұрыс синусоида үлгісіне ие, бұл сигнал бұрмаланусыз күшейетінін көрсетеді. Кіріс сигналы амплитудасын 0,7 В ұлғайтамыз және 2.8, б суретте көрсетілген осциллограмманы аламыз. Шығыс сигналы осциллограммасы үстінен және астынан кесіледі. Бұл біріншіден, кіріс сигналы амплитудасының аса үлкен екендігін және шығыс сигналының төменнен кесу аймағына түсетінін, ал жоғарыдан – қанығу аймағына түсетінін білдіреді; екіншіден, біз жүктеме қисық сызығының жұмыс нүктесін айтарлықтай дәл таптық, өйткені сигнал үстінен және астынан симметриялы кесіліп отыр. жүктеу/скачать 8,62 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|