Оқулық «Білім беруді дамыту федералдық институты»


= 2 кОм, Е К = 20 В, U БЭ = 0,7 В, β = 100.  Шешімі



Pdf көрінісі
бет44/159
Дата10.10.2022
өлшемі8,62 Mb.
#42085
түріОқулық
1   ...   40   41   42   43   44   45   46   47   ...   159
Байланысты:
Иванов Электроника және микропроцессорлық техника. Оқулық (2)

  = 2 кОм, Е
К
= 20 В, U
БЭ
= 0,7 В, β = 100. 
Шешімі. (2.11) формуласы бойынша Е
экв
мәнін есептеп шығарамыз: 


60
 
Е
экв
= (
R2
R1

R2
)
Ек
=
5
5+30
· 20 = 2,85 В; 
(2.14) формуласы бойынша коллектор тоғын есептеп шығарамыз: 
І
к
=
Еэкв− UБЭ

=
2,85−0,7
2
1,075 мА; 
Кирхгофтың екінші заңына пайдалана отырып, шығыс тізбегі үшін 
жазамыз: 
-
I
K
R
K
-

I
Э
R
Э
=
-
Е
К
-
КЭ
.
І
Э
 ≈ І
К
, болғандықтан келесіні аламыз:
U
КЭ 
Е
к
 - I
K
(R
K
 
+
 
R
Э
) =_20 - 1,075 • 10
-3
• (1 • 10
3
+ 2 • 10
3
) = 16,77 В. 


61
 
2.2.2. Кернеу айырғышпен жылжу сызбасын есептеу әдістемесі 
 
Базалық жылжуы 2.6, а суретінде көрсетілгендей, кернеу айырғышпен 
жасалынатын, тұрақты тоқ бойынша ортақ эмиттері бар күшейткішті 
есептеу әдістемесін келтіреміз. Есептеу әдістемесі R
K
, R
Э
, R
1
, R

резисторларының кедергісін анықтауда болып табылады. Кедергіні тадау 
міндетін, 2N4J23 шетелдік аналогы сәйкес келетін, KT3J02A нақты 
транзисторы үшін қарастырамыз. Күшейткішті есептеуді, әдетте, 
транзистордың кіріс және шығыс вольт-амперлік сипаттамаларын 
пайдалана отырып, графоаналитикалық әдіспен жүргізеді. Бірақ, бұл 
сипаттамалар болмай қалулары мүмкін, сондықтан күшейткішті есептеудің 
шамалас аналитикалық әдісін келтіреміз. 


Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   40   41   42   43   44   45   46   47   ...   159




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет