транзистордың жүмыс режімі

параметрлер нақты дәлелденеді. Транзисторлардың параметрлері және сипаттамалары әр 
түрлі жағадайлардан күшті тәуелділікте болады. 
Барлық параметрлерде және коллектордың меншікті (басқарылмайтын) кері 
I
КБО
 
ТОГЫНЫҢ 
температура әрбір 10°С-ге көтерілген сайын, екі еселенеуі осы 
температураның ықпалын 
бейнелейді. Температура өскен сайын кіріс статикалық 
сипаттамалар үлкен токтар облысына қарай ығысады, себебі эмиттерлік ауысудың 
потенциалдық 
тосқауылы 
төмендейді 
және 
зарядтарды 
тасымалдаушылардың 
диффузиясы күшейе түседі. Бұл процесс коллектор тогының 

І
кбо
-ға өсуіне жол ашады. 
Нәтижесінде жұмысшы нүктесі 
П
 
жүктеменің шығыс сипаттамасының сызығымен солға 
және жоғары орын ауыстырады, күшейтілген сигналдың симметриялығы бұзылып, оның 
бұрмалануына әкеп соғады. 
Қоректендіру көзінің кернеуінің тұрақты болмауы азаюы немесе көбеюі де 
күшейтілген сигналдың симметриялы болмауына (ассиметриялығына) әкелеуі мүмкін. 
Жиілік сипаттамалары 
транзистордың ауысуларының сыйымдылық және 
тасымалдаушылардың диффузиялық процесстерінің инерциялығына байланысты болып, 
ол токтың (және кернеудің) берілу коэффициентіне әсерін тигізеді. Транзистордың шекті 
жиілігінде токтың берілу коэфициенті 

2
есе шамасына азаяды. Транзистордың 
параметрлері жіберілуге тиісті мәнінен артпаған жағдайда, ол ол тиімді режімде жұмыс 
жасайды (параметрлері - қуат, ток, кернеу, жиіліктің максимал шамалары және 
температураны шектеу қадағалануы қажет). 
Транзисторларды шартты белгілеу. Өнеркәсіп биполярлық транзисторлардың көп 
түрлі серияларын шығарады. Олардың сыртқы пішіндері де әр түрлі болып келеді. 5,а-
суретінде, мысалға КТ802А қуаты үлкен 
(Р=5Вт) 
транзистордың типтік құрамы 
көрсетілген. Мыс негізіне (1) кристалл (2) дәнекерленген. Ол негіз кристалл (4) 
р- 
түрінде 
қалыңдығы0,15... 0,25 мм және диаметрі 9 мм-ге дейінгі база болып табылады. Эмиттер 3 
және 
п- 
түріндегі коллектор 5 облыстары меза-планарлық әдіс-пен жасалған, яғни оларға 
галий диффузияланған 
(р 
базасының қабаты) және фосфор атомдары диффузияланған 
(п 
эмиттер қабаты). 
5-сурет 
Ауысудың шеттері кремний қос тотығы пленкасымен жабылған. Коллектор қабаты 
барлық жазықтығымен жылуды интенсивті алып кету үшін массивті негізге 
дәнекерленген; қуаты аз транзисторларда базалық қабат корпусқа бекітіледі. Кристалл 
корпуспен (6) жабылған. 
Б 
және Э электродтары шыны изолятор (7) арқылы шығарылған. 
5,а,ә-суреттерінде биполярлық транзисторлардың 
р-п-р 
және 
п-р-п 
құрамдары; 
б) 
тасқындық (лавиналық) 
п-р-п 
құрылымы; 
в) 
көп-эмиттерлік 
р-п-р 
құрылымы графиктік 
символ түрінде белгіленген. 
Транзисторлар әріптерден және цифрлардан тұратын шартты шифрлармен 
белгіленеді. 
2Т802А транзисторының белгілену мысалы: 2-кремнийлік, 
Т 
- биполярлық, 802 - 
үлкен қуатты орташа жиіліктілік, A- жасалу тобы. 

жүктеу/скачать 2,83 Mb.

Достарыңызбен бөлісу: