электрондық немесе
п - түріндегі электр өткізгіштік деп атайды.
Қоспа ретінде, көбіне, периодтық жүйенің
V (сурьма
Sb, фосфор
Р және т.б.) немесе
III топтарындағы (галий
Ga, индий
In және т.б.) элементтері пайдаланылады.
Жартылай өткізгіштердегі дрейфтік және диффузиялық токтар. Сыртқы электр
өрісінің әсерінен электрондар мен тесіктердің тәртіптелген қозғалысы түрінде кристалда
дрейфтік ток жүреді. Оны
І пдр электрондық және
І рдр тесіктік құраушылар тудырады.
мұндағы
S –кристалдың көлденең қимасы, м
2
;
І nдp және
І pдp - электрондық және
тесіктік дрейфтік тогының тығыздықтары, А/м
2
.
Токтың тығыздығы n -электрондарының және p тесіктерінің концентрациясынан,
олардың
-қозғалмалылығынан және
Е- электр өрісінің кернеулігінен тәуелді болады.
Қозғалмалылық
, м
2
/(В • с), өріс кернеулігі
Е =1В • м
-1
болғандағы зарядтың орын
ауыстыруының орташа жылдамдығына тең [германий үшін
п = 0,39 м
2
/(В-с);
р = 0,19 м
2
/(В-с)] шама. Дрейфтік токтыңқосынды тығыздығы төмендегі өрнекпен есептелініп
шығарылады:
Диффузиялық ток зарядты бөлшектердің (электрондар мен кемтіктердің)
кристалдың
концентрациясы
жоғары
облысынан,
концентрациясы
төменгіге
тасымалдануынан туады. Диффузия бөлшектің меншікті жылулық қозғалысының есебінен
жүреді. Диффузиялық токта дрейфтік сияқты электрондық және кемтіктік құраушылардан
түзіледі. Диффузиялық токтардың электрондық және тесіктік тығыздықтары мынадай
қатыспен анықталады:
Электрондар мен кемтіктердің диффузия коэффициенттері деп аталатын
D n және
D р коэффициенттері 1 с ішінде, бір өлшем аудан арқылы өтетін тасымалдаушылар санымен
анықталады (германий үшін
D n = 9,4• 10
-3
м
2
• с
-1
,
D p = 4,4 • 10
-3
м
2
• с
-1
). Жоғарғы өрнектегі
«-» таңбасы тесіктік токтың (электрондыққа қарсы) дұрыс бағытын есепке алады.
Диффузиялық
токтардың
тығыздығының
шексіз
аз
қашықтықтағы
тасымалдаушыларының концентрациясының өзгеру сипаты, тасымалдаушылардың
градиенттерінің концентрациясынан тәуелді болады:
Диффузиялық токтың қосынды тығыздығы
