Атты III халықаралық ғылыми-тәжірибелік конференция жинағЫ
"SCIENCE AND EDUCATION IN THE MODERN WORLD
жүктеу/скачать 8,11 Mb. Pdf көрінісі
|
III TOM
| "SCIENCE AND EDUCATION IN THE MODERN WORLD:
CHALLENGES OF THE XXI CENTURY" NUR-SULTAN, KAZAKHSTAN, JULY 2019 96 TlInS 2х Se 2(1-х) удовлетворяют основным общим требованиям полупроводниковых тензорезисторов: - по возможности высокий коэффициент тензочувствительности; линейная зависимость изменения сопротивления с деформацией; отсутствие гистерезиса характеристик; минимальная чувствительность к влиянию побочных внешних физических факторов. Перечисленные выше параметры определяются, главным образом, свойствами самого полупроводникового материала, хотя заметное влияние на них может оказывать также и технология изготовления тензорезисторов. Чтобы подчеркнуть уникальность предложенного нового материала TlInS 2х Se 2(1-х) , прежде всего отметим, что их характеристики следует сопоставить с параметрами известных и наиболее широко распространѐнных в полупроводниковой тензометрии материалов. Исследование кристаллов TlInS 2х Se 2(1-х) в этом плане привело к весьма интересным результатам. Прежде всего, следует подчеркнуть, что на кристаллах твердых растворах TlInS 2х Se 2(1-х) проявляется сильный пьезорезистивный эффект в направлении [001], что в сочетании с их механическими, упругими, кристаллографическими и ряда других особенностей делает их перспективными для создания новых миниатюрных высокочувствительных медицинских приборов и надежных электромеханических преобразователей как датчики перемещения, усилия, давления и крутящего момента др. Особый интерес с точки зрения полупроводниковой тензометрии представляет их кристаллическая структура. Элементарная ячейка этих соединений содержит две самостоятельные структурные единицы, обеспечивающие для составляющих разноименных катионов из элементов одной и той же группы различные координации, валентные состояния и характер химических связей [4]. Эти особенности являются причиной резкой анизотропии физических свойств данных типов полупроводников. Цепочечное строение и особенности раскалывания их монокристаллов на нитевидные пластинки с зеркальными гранями, являющиеся следствием резкой асимметрии химической связи, приводят к эллипсоидальному типу изоэнергетических поверхностей [5], следующей из реальной атомной симметрии, что делает их весьма перспективными с точки зрения исследования тензорезистивных эффектов. В таблице приведены результаты измерения тензометрических параметров исследованных кристаллов. Там же для сравнения приведены характеристики других полупроводниковых тензодатчиков. Сравнение показывает, что в монокристаллах TlInS 2х Se 2(1-х) проявляется сильный пьезорезистивный эффект в направлении [001]. По своей чувствительности к деформации кристаллы TlInS 2х Se 2(1-х) значительно превосходят все известные нам в полупроводниковой тензометрии материалы. В таблице для сравнения приведены характеристики полупроводниковых тензодатчиков на основе монокристаллов Si‹Ni› [6], являющихся одним и из лучших на сегодняшний день. Коэффициент тензочувствительности монокристаллов твердых растворов TlInS 2х Se 2(1-х) различных серий при 300 К в зависимости от степени относительной деформации ( = ℓ / ℓ= (1 - 57)⸳10 -5 ) варьировался от 2000 до 30300. жүктеу/скачать 8,11 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|