«Радиоэлектроника негіздері» пәні бойынша
Биполярлы транзистор құрылысы
жүктеу/скачать 2,83 Mb. Pdf көрінісі
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Транзистордың жұмыс істеу принципі
| Биполярлы транзистор құрылысы
1,а-суретінде көрсетілген. Электр өткізгіштігі п - түріндегі қалыңдығы 0,15-0,2 мм микрокристалл пластинаның екі жағында электр өткізгішті р-тү ріндегі кристалл қабаты жасалған. Кристалдың электрлік шығысы бар орталық бөлігін база, бір шеткісін - эмиттер, екіншісін - коллектор деп атайды. Эмиттер, база және коллектор арасында екі р-п ауысулары бар: эмиттерлік (1) және коллекторлық (2). Базаның электр өткізгіштігі электрондық та, тесіктік те болуы мүмкін; соған сәйкестітранзисторы да р-п-р немесе п-р-п құрылымды болады. Транзистордың электродтары кіріс (эмиттер- базалық) және шығыс (коллектор- базалық) екі электр тізбегі түзілетіндей Е Э жэне Е К тұрақты э.қ.к-інің көздеріне қосылады. Кіріс тізбегіне тербеліс көзі (ТК) қосылуы, ал шығысқа - жүктеме резисторы R K қосылуы мүмкін. Тербелісті күшейту үшін транзисторды пайдаланғанда оның эмиттерлік ауысуы тура, ал коллекторлық - кері бағытта қосылады. 1-сурет Транзистордың жұмыс істеу принципі оның электродтардың токтарын басқару ауысуға жеткізілген кернеуден тәуелділігіне негізделген. Жалпы жағдайда бұл тәуелділік өте күрделі, сондықтан біз транзисторлардың қасиетіне әсер ететін факторларды ескермейтін, оның қарапайым моделін қарастырамыз. Сыртқы кернеу (1,ә-суретіндегі Е Э және Е К нөлге тең) болмағанда кристалл энергетикалық тепе-теңдікте болады: барлық қоспалы атомдар иондалған, Ферми деңгейі акцепторлардың деңгейінен жоғары р - облыстарында жатады, ал базалық қабатта (п- облысында) - донорлардан төмен деңгейде жатады (қараңыз: 2,в,г-суреті). 1,ә-суретінде пунктир сызығымен көрсетілгендей екі ауысуда да бірдей 0 < 0 электр потенциалдары қалыптасады. База облысында потенциалдың нөлге дейін көтерілуі оның нөлдік потенциал нүктесіне, яғни корпусқа қосылғандығымен түсіндіріледі. Эмиттерлік ауысуға Е э сыртқы кернеу көзін (эмиттерге оң полюсті, терісін базаға) қосқанда және коллекторлық ауысудың электродтары қысқа тұйықталғанда, бұл тура ауысу болып, потенциалдар айырымы Б = 0 + U ЭБ шамасына азаяды, тесіктерді р- облысынан п облысына тасмалдау - инжекциясы басталады.База облысында тасымалдаушылардың белгілі бір бөлігі Е Э көзінен келетін электрондармен рекомбинацияланады; қалған бөлігі хаосты түрде қозғалып, коллекторлық ауысуға тақалып, базамен қосылған коллектор арқылы еркін өтіп кетеді. Екі тізбекте де ток пайда болады. Осы тектес эффект коллектор тізбегінде коллекторлық ауысуды сыртқы кернеуге (оң полюсті коллекторға) қосқанда және эмиттерлік ауысудың шығыстары қысқа тұйықталғанда байқалады. Сыртқы Е к кернеуінің полярлығын өзгерткенде, яғни коллекторда теріс потенциал болғанда, коллекторлық ауысу теріс ығысқан болып шығады. Эмиттерді ажыратқан кезде, ауысу облысында күшті электр өрісі туады. Ол өріс базалық қабатта болатын негізгі емес тасымалдаушылар - тесіктеді «жұтып», олар онша көп болмағандықтан жүктеу/скачать 2,83 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|