Жартылай өткізгіш диод қазіргі кезде электроника саласында көп қолданыс табуда. Жалпы жартылай өткізгіштік қасиеттері бар материалдар көп емес, жоғарыда айтылғандармен бірге селенді де (Sе) айтуға болады. Мұндай материалдар қазір де де ізделіну үстінде. Өндірістік масштабта кеңінен қолданылатындардың бірі ретінде галлий арсенидін (GaAs) айтуға болады. Оның жұмыс температурасы Цельсий бойынша 3000 – қа дейін барады. Жалпы, есте болатын нәрсе – диэлектриктер мен жартылай өткізгіштердің арасындағы шекара тек шартты түрде ғана. Өйткені, температураны өте жоғары көтерген уақытта диэлектриктеріміз өздерін жартылай өткізгіш сияқты сезінеді. Ал өте төменгі температураларда жартылай өткізгішіміз диэлектрикке айналады.
Егер де біз жоғарыда айтылған n — типті және p — типті екі жартылай өткізгіштерді бір — бірімен қоссақ, онда диод деген құралды алсақ, диодтың жұмыс істеу сенімділігі жоғары болат.
ПАЙДАЛАНЫЛҒАН ӘДЕБИЕТТЕР ТІЗІМІ
1. Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963.
2. Роуз А. Основы теории фотопроводимости. – М.: Мир, 1966.
3. Элементарный учебник физики. Т. 2. Электричество и магнетизм/Под ред. Г.С. Ландсберга. – М.: Наука, 1967.
4. Сахаров Д.И., Блудов М.И. Физика для техникумов. – М.: Наука, 1967.
5. Маделунг О. Физика полупроводниковых соединений элементов ІІІ и V
групп. – М.: Мир, 1967.
6. Жданов Л.С., Маранджян В.А. Курс физики для средних специальных
Учебных заведений. Ч. 2. Электричество. Оптика. Атомная физика. – М.:Наука, 1968.
7. Блудов М.И. Физика жайлы әңгімелер. 2 бөлім. – Алматы: Мектеп, 1969.
8. Цидильковский И.М. Электроны и дырки в полупроводниках. – М.:Наука, 1972.
9. Тамм И.Е. Основы теории электричества. –М.: Наука, 1976.
10. Зеегер К. Физика полупроводников. –М.: Мир, 1977.
11. Ансельм А.И. Введение в теорию полупроводников. – М.: Наука, 1978.
12. Пикус Г.Е. Основы теории полупроводниковых приборов. – М.-Л.:Наука, 1978.
13. Смит Р. Поупроводники. – М.: Мир, 1982.
14. Зи С. Физика полупроводниковых приборов. – М.: Мир, 1984.
