Сборник тезисов докладов


ТРАВЛЕНИЕ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПЛАЗМЕ ВОДОРОДА



Pdf көрінісі
бет85/110
Дата31.12.2021
өлшемі6,55 Mb.
#21673
түріСборник
1   ...   81   82   83   84   85   86   87   88   ...   110
ТРАВЛЕНИЕ УГЛЕРОДНЫХ ПОКРЫТИЙ В ПЛАЗМЕ ВОДОРОДА 

Д.В. Сиделёв

1

, С.Е. Ручкин



1

, Юрьев Ю.Н.

 1

, Уханов С.И.



2

 

1



 Томский политехнический университет, Россия, г. Томск, пр. Ленина, 30, 634050 

2

 ARGOR-ALJBA SA, Швейцария, г. Мендризио, ул. Ф. Борромини 20, 6850 



E-mail: 

sidelevdv@tpu.ru

   

Актуальны задачи по снижению производственного брака при напылении углеродных покрытий 



и восстановлению режущего инструмента для повторного использования (свёрла, концевые фрезы и т.д.). 

Они  могут  быть  решены  при  применении  селективном  травлении  поверхности  изделий.  Технология, 

реализующая этот процесс, должна обладать высокой производительностью (> 1 мкм/ч) и селективностью 

к  материалу  подслоя/подложки  (>  40),  желательно  снизить  скорость  физического  распыления 

поверхности.  Поэтому  было  рассмотрено  ионное  реактивное  травление  изделий  с  покрытием  из 

аморфного  углерода  в  плазме  водорода,  где  вклад  физического  и  химического  травления  можно 

варьировать.  

Схема  установки  показана  на  рис.  1.  В  качестве  источника  плазмы  был  использован 

радиочастотный  плазменный  генератор  РПГ-128  (ООО  "ЛВТ+",  г.  Зеленоград,  Россия). 

Экспериментальные образцы представляли собой полированные подложки из стали 12х18н10т с подслоем 

из титана (~100 нм) и покрытием из аморфного углерода (1,4 мкм). 

 

Рис. 1. (слева) Схема установки и (справа) фотография процесса внутри вакуумной камеры 

 

Анализ экспериментальных данных показал, что в Ar происходит только физическое распыление, 



скорости  травления  C  и  Ti  сопоставимые.  С  добавлением  водорода  в  газовую  смесь  и  последующим 

увеличением его потока в вакуумную камеру наблюдается значительное повышение производительности 

(до  2,5  мкм/ч)  и  селективности  (40  и  более).  В  смеси  Ar  и  H

2

  процесс  травления  происходит 



преимущественно посредством химического механизма. 

       


 

Рис. 2. (слева) Скорость травления углерода и (справа) селективность по отношению к Ti  

в зависимости от состава смеси 

Методами оптической эмиссионной спектроскопии и рамановской спектроскопии показано, что 

после расчётного времени травления образцов на их поверхности остаётся только металлический подслой 

(титан ~50-100 нм). Углеродного покрытия обнаружено не было. В качестве иллюстрации эффективности 

данной  технологии  дополнительно  было  выполнено  несколько  серий  экспериментов  с  натурными 

образцами  (концевые  фрезы,  свёрла,  лезвия  и  пр.),  модифицированными  углеродными  покрытиями  в 

плазме магнетронных распылительных систем и дуговых импульсных испарителей.  

На  сегодняшний  день  в  НОЦ  Б.П.  Вейнберга  ТПУ  подготовлен  проект  автоматизированной 

вакуумнойплазменной установки для реактивного ионного травления углеродных покрытий. 



Водород. Технологии. Будущее 

23–24 декабря 2020 г.  

 

 

52 



 



Достарыңызбен бөлісу:
1   ...   81   82   83   84   85   86   87   88   ...   110




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет