Транзисторлық күшейткіштің күшейткіштік қасиеті оның сапалы сипаттамаларымен бағаланады, оларға: кіріс және шығыс кедергісі, күшейу коэффициенті және П.Ә.К, динамикалық диапазон, жиіліктік, фазалық және ауыспалы сипаттамалар жатады.
7
|
№ 7 дәріс. Транзистор - күшейткіш элемент
Жоспар: 1. Транзисторлардағы күшейткіштер схемасы.
Күшейткіштердің шығу каскадтары.
Транзисторларды істен шығудан сақтау.
Операциялық күшейткіштер.
Қазіргі уақытта электроникада және автоматикада диодтық және транзисторлық кілт элементтерімен импульстік құрылғылар кеңінен қолданылады. Құрылғылардың жұмысының импульстік жүйесі келесілерді рұқсат етеді:
белсенді жұмыстар арасындағы уақытта арнайы жинақтағыш құрылғыларда электр энергиясының концентрациясын жасау, сосын аз уақыт ішінде оны жүктемеге локализациялау, қорытындысында импульс күші энергия көзінің күшін бірнеше есеге күшейтеді;
температура әсерін азайту және импульстік құрылғылардың жұмысына жартылай өткізгіштердің кілттік режим жұмысы арқылы транзистор параметрлерін түсіру;
аппараттың сенімділік, габарит, салмақ және баға сияқты құрастырмалы-экономикалық көрсеткіштерін біршама жақсартатын біркелкі сұлбаларды қолдану;
Көптеген импульстік сұлбалардың негізгі элементтерінің бірі басқарушы сигналдардың көмегімен жүктеме комутация тізбегіне арналған электрондық кілт болып табылады. Кез келген электрондық кілттің негізін сызықтық емес кілттік режимде жұмыс жасайтын жартылай өткізгіш (диод немесе транзистор) құрайды. Кілт сапасы үнсіз жағдайдағы қысымның төмендеуімен, қозғалыстағы ток жағдайымен және бір жағдайдан екінші жағдайға ауысқандағы жылдамдықпен анықталады.
Электрондық кілттік сұлбаны жартылай өткізгіш транзисторға және диодқа құрастыруға болады. Кілттік сұлбада диодтарды қолдану оның токты тек бір бағытта бағыттау қабілетімен байланысты. Диодтың вольтамперлік сипаттамасынан диодтың қарсылығы оған қосылған кернеудің полярлығына байланысты екенін көреміз. Диодқа тікелей кернеу қосылған кезде оның тікелей қарсылығы аз болады. Кері кернеуде ол үлкен болады (Rтік<қарс).
Диодты жүктемемен жалғау әдісіне байланысты кілт сұлбасын тізбектей және паралель деп бөлеміз. Тізбектей жалғауда диод VD жүктемемен Rн тізбектей жалғанады (1(а) сурет). Егер Rтік<қарс, Rтік<н шарты орындалса, онда оң U1 кернеу кірісінде U2 – нің шығыс кернеуін былайша анықтауға болады:
(1)
Кері кіріс кернеуінде:
(2)
сурет – Диодтық кілттердің тізбектей схемалары
Сондықтан, оң кернеу диод кілті арқылы өтеді де, терісі - өтпейді. Диод қосылған кездегі поляр өзгеруі кезінде (1(б) сурет) сол талаппен диод кілті арқылы шығысқа тек теріс кернеу шығып отырады да, оңы – шықпайды.
Кілттің бір жағдайдан екінші жағдайға ауысу жылдамдығы диод инерциясына байланысты. Соңғысы диодтың ажыратылғандағы қосылу және сору уақытымен, зарядтың қанығу қоры уақытымен анықталады. Сонымен қатар, кілттің ауыстырып-қосқыш жылдамдығына сұлбаның паразит сыйымдылығы әсер етеді.
Кілттік сұлбаларда транзистор ашық және жабық екі шекаралық жағдайда орналасады. Транзистордың жабық жағдайы бөлу режимі деп аталады, ал ашығы қанығу режимі деп аталады. Кілтті басқару транзистордың коллекторлық тізбек коммутациясы жүруінің арқасында транзисторға оң кернеуді Uб берумен жүзеге асады. Кілттің бастапқы жағдайы резистордың қарсылығымен Рб және орын ауыстыру қысымымен Eб анықталады. Транзистор бөлу режимінде орналасатындай етіп таңдалып алынады (2 сурет).
2 сурет – Транзисторлық кілттің схемасы
Онда кілттің бастапқы жағдайы үнсіз жағдайға сәйкес келеді. Егер кіріске жеткілікті ұзындықпен оң қысым Uб берілсе, онда транзистор кілттің үнсіз жағдайына сәйкес келетін қанығу режиміне көшеді.
Транзистордың кілттік сапасы, диодтың жылдамдығы секілді зарядтарды сору p-n ауысуларымен және сұлбаның сыйымдылығымен анықталады. Транзисторлық кілттер алдыңғы уақытта оқытылатын импульстік техниканың (триггердің, бір вибраторлық және мультвибраторлық импульстік техниканың) 3 маңызды негізін құрайды.
|
|
