Атты III халықаралық ғылыми-тәжірибелік конференция жинағЫ
жүктеу/скачать 8,11 Mb. Pdf көрінісі
|
III TOM
- Бұл бет үшін навигация:
- Ключевые слова
- Key words
| 2(1-х)
(0 ≤ х ≤ 0,3) - ЭФФЕКТИВНЫЙ МАТЕРИАЛ ДЛЯ СОЗДАНИЙ МИНИАТЮРНЫХ ВЫСОКОЧУВСТВИТЕЛЬНЫХ МЕДИЦИНСКИХ ПРИБОРОВ Умаров С.Х., Ходжаев У. О., Облокулов А. Р., Халлоков Ф. К.,Нарзуллаева З. М., Сафарова Р. С., Хамроев А. Т. Бухарский медицинский институт им. Абу Али ибн Сино, Бухара, Узбекистан Аннотация. Исследованы тензорезистивные характеристики монокристаллов твердых растворов TlInS 2х Se 2(1-х) в интервале концентрации 0 ≤ х ≤ 0,3, наличие сильного пьезорезистивного эффекта в кристаллах TlInS 2х Se 2(1-х) позволяет надеяться, что на их основе можно создать высокочувствительные датчики перемещения, усилия, давления, ускорения, и датчики крутящего момента. Установлено, что на основе этих результатов сделан вывод о том, что электронная структура зон в монокристаллах TlInS 2х Se 2(1-х) имеет многодолинный характер. Ключевые слова: тензорезистивные, монокристалл, пьезорезистивного эффекта, датчики перемещения, усилия, давления, ускорения, крутящего момента, многодолинный. Abstract.Tensoresistive characteristics of single crystals of solid solutions TlInS 2х Se 2(1- х) in the concentration range 0 ≤ x ≤ 0,3 are investigated, the presence of a strong piezoresistive effect in TlInS 2х Se 2(1-х) crystals allows us to hope that on their basis it is possible to create highly sensitive sensors of displacement, force, pressure, acceleration and torque sensors. It is established that on the basis of these results it is concluded that the electronic structure of zones in single crystals TlInS 2х Se 2(1-х) has a lot of fieldcharacter. Key words:tensoresistive, single crystal, piezoresistive effect, displacement sensors, force, pressure, acceleration, torque, multi valley. Введение: На сегодняшний день наиболее массово применяемыми в полупроводниковой электронике материалами являются кремний и германий. Это обусловлено широким распространением кремния на земле, близостью структуры германия и кремния, уникальными свойствами этих материалов и, как следствие, наибольшей изученностью их физико-химических характеристик. Однако всевозрастающие требования современной науки и техники не удовлетворяются только этими материалами и требуют материалов, обладающих разнообразными свойствами. Поэтому, наряду с усовершенствованием свойств имеющихся, поиск новых полупроводниковых материалов и исследование их различных характеристик в данное время является одной из кардинальных общих задач современной физики твердого тела и ведѐт к открытию очень многих полупроводниковых материалов, в том числе тройных и более сложных соединений. Выявление новых материалов, изучение взаимосвязей состава, структуры и свойств многокомпонентных полупроводниковых соединений, помимо углубления фундаментальных научных представлений о полупроводниках, открывает и новые перспективы: новые соединения, как правило, проявляют новые качества и, тем самым, способствуют решению необходимых технических задач. Согласно вышеуказанного, в последние годы резко возрос интерес к полупроводниковым тензорезисторам. Причины, вызвавшие столь бурное развитие |