Бағдарламасы 1 бет 25 беттің Қазақстан Республикасының Министерство Білім және ғылым образования и науки
жүктеу/скачать 330,85 Kb. Pdf көрінісі
|
- электроника және наноэлектроника бұйымдарын және материалдарын дайындауда қолданылатын негізгі технологиялық әдістерді қолдану қабілеттілігімен; осы әдістерді негізіне жататын физикалық заңдылықтар (КМҚ-14); - электр жетектерді басқарудың микропроцессорлық жүйелерін жобалау және баптау қабілеттілігімен (КМҚ-15); - басқарудың микропроцессорлық жүйелерін құруда заманауи бағдарламалық құралдардың негізгі принциптерін және мүмкіндіктерін қолдану қабілеттілігі; контроллерлерді бағдарламалау (КМҚ-16). 2.4 Пререквизиттер Пререквизиттер: жүйетехникасы; жобалау негізі; математика бөлімдері, оның ішінде: интегралды және дифференциалды есепте, ықтималдылықтар теориясы, математикалық статистика; жалпы физика және қатты дене физикасы, оптика, термодинамика; электротехника және электротехниканың теориялық негізі.
Постреквизиттер: аналогты және сандық құрылғылардың сұлбатехникасы, микроконтроллерлер, автоматика негізі, бақылау жүйесін және автоматтандыруды жобалау, электромеханика, электронды өлшеуіш техникасы, приборларды есептеу және жобалау, технологиялық үдерістерді автоматтандыру және т.б. Осы білімді қолдану сыбайлас пәндерді оқуда пайдалы. Электроника негізінен алған білім электроника негізінен, электронды өлшеуіш техникасынан, бақылау жүйесін және автоматтандыру жобалаудан курстық жобаны орындауға қажет.
Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 9 бет 25 беттің 3.1 Тақырыптық жоспар Тақырыптың аты, оның мазмұны Еңбек көлемі, сағ Оқыту формасы К үн ді зг і К үг ді зг і, қ ы сқ ар ты л ға н С ы р тт ай С ы р тт та й қ ы сқ ар ты л ға н 1 2 3 4 5 Дәрістік сабақтар 1 тақырып. Кіріспе. Жартылай өткізгіштердің физикалық негізі. Жартылай өткізгішті материалдар. Электронды- кемтіктік ауысу және оның қасиеттері. p- n ауысудың вольт-амперлік сипаттамасы. 1 2 тақырып. Жартылай өткізгішті диодтар: түзеткіштік, стабилитрон, варикап, шоттка диодтары, туннельді диодтар, фотодиод, жарық диоды. Диодтың вольт- амперлік сипаттамасына ұқсас өрнектер 1 3 тақырып. Тиристор- бірнеше р-n ауысуы бар басқарылатын шала өткізгішті аспап. Тиристордың вольт-амперлік сипаттамасы және аспаптың статикалық параметрі. 1 4 тақырып. Биполярлы транзисторлар: p-n-p және n-p- n. Транзисторды қосудың схемасы мен күшейту принципі. Аспаптың құрылымы мен оның параметрлері h– транзистордың параметрі 1
Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 10 бет 25 беттің 5 тақырып. Өрістік транзисторлар: р-n ауысуындағы жанама және индукцияланған каналмен басқарылатын. Өрістік транзистордың құрылысы, жұмыс істеу принципі, параметрі және статикалық сипаттамасы. Өрістің және биполярлы транзисторлардың салыстырмалы бағасы 1 6 тақырып. Күшейткіш каскадтарды құру: өрісті және биполярлы транзистордағы бір каскадты күшейткіштер. Күшейткіш элементтінің қажеттілігі. Кері байланыс ұғымы. Тұрақты ток бойынша жұмыс режимін таңдау. Күшейткіштің негізгі параметрлері. 1 7 тақырып. Көп каскадты күшейткіштер: конденсаторлы байланыспен, трансформаторлы байланыспен, каскадтар арасындағы өзара байланыспен. Каскадты күшейткіштерді құру принципі. Негізгі параметрлері. 1 1 2 3 4 5 8 тақырып. Тұрақты ток күшейткіштері, қажеттілігі, құрастырудың ерекшеліктері, жұмыс істеу принциптері, дифференциалды күшейткіш. 1 Семинарлық (практикалық) сабақтар 1 тақырып. RC-тізбегін есептеу 1 2 тақырып Кілтті каскадты есптеу 1 3 тақырып. Дешифраторды құру 1 Зертханалық жұмыстар Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 11 бет 25 беттің 1 тақырып. Диодтың вольт-амперлік сипаттамасын зерттеу 1
сипаттамасын зерттеу 1 3 тақырып. Биполярлы және поле транзистордың кіріс, шығыс және беріліс статикалық сипаттамаларын зерттеу
1 4 тақырып.Операциялық күшейткіштегі инверторлық және инверторлық емес күшейткіштерді зерттеу 1 Студенттердің оқытушымен өздік жұмысы 1 тақырып. Күшейткіштерді есептеу. Жалпы мәліметтер 2 2 тақырып. Биполярлық транзистордағы күшейткіштерді жобалаудың жалпы принциптері 3 3 тақырып. Биполярлық транзистордағы аз жиілікті аз қуатты күшейткіштерді есептеу 5 4 тақырып. Күшейткіш каскадтарының жұмыс істеу режимі. Тұрақты ток бойынша есептеу 5 Студенттердің өздік жұмысы 1 тақырып. Зертханалық өлшеуіш кешенін оқу 25 2 тақырып. Электронды-тетікті ауысым түсінігі 25 3 тақырып. Биполярлы және өрісті транзисторлар 25 4 тақырып. Интегралды орындаудағы логикалық элементтер 30 4 БАҚЫЛАУ ЖҰМЫСЫН ОРЫНДАУҒА ӘДІСТЕМЕЛІК НҰСҚАМАЛАР ЖӘНЕ ТАПСЫРМАЛАР 4.1 Бақылау жұмысты орындаудың мақсаты Аналогты электронды құрылғылардың схемотехника негіздерінен студенттер білімін қалыптастыру және оларды талдаудың, және де аналогты электронды құрылғылар түйінін құру және таңдауды үйрену. 4.2 Бақылау жұмысының тақырыбын таңдау Бақылау жұмысының нұсқасы сынақ кітапшасының саңғы санына тәуелді кесте бойынша орындалады. Кестеде ұзындығынан (соңғы санның алдыңғысы) және көлденеңінен (соңғы сан) 0-ден 9-ға дейін сандар берілген, олардың қиылысын бақылау жұмысының нұсқа номері анықтайды. 1.1 бөлімінің тапсырмасы барлық нұсқаларға орындалады. Бақылау жұмысының тапсырмасы 5 бөлімде төменде көрсетілген. Сынық кітапшасының соңғы саны
1 2 3 4 5 6 7 8 9 0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 9
7 6 5 4 3 2 1 Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 12 бет 25 беттің С ы на қ кі та пш ас ы ны ң со ңғ ы с ан ы ны ң ал ды ңғ ы сы 2 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 9
7 6 5 4 3 2 1 4 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 9
7 6 5 4 3 2 1 6 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 9
7 6 5 4 3 2 1 8 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
10 9
7 6 5 4 3 2 1 4.3 Қорытынды бақылау жұмысының талаптары Қорытынды бақылау анықталған (нақты) тақырып бойынша студенттің өз бетімен жазбаша түрде орындайтын жұмысы. Студент жұмысты жазу барысында берілген тақырып көлемінде бар әдебиетті жинақтап және қорытындылауы, оқу-ғылыми әдебиетті, нормативті-құқықтық актілерді хабарлауы және жүйелеуі қажет. Қорытынды бақылау жұмысын жазу барысында басты назар аударатын жайт өз нұсқасына кіретін тақырыпты толығымен ашу қажет. Баяндама нақты болуы керек және қажетінше практикадан да мысалдар болуы мүмкін. Қорытынды бақылау жұмысы келесілерді қамтиды: 3 Титулды бет (бастапқы) 4 Жоспар 5 Кіріспе 6 Негізгі бөлім 7 Қорытынды 8 Қолдалынған әдебиеттер тізімі Негізгі көлемі компьютермен терілген 5-8 бет. 1. Кіріспе бөлімінде зерттеудің мақсаты мен міндеттері, практикалық маңызы қысқаша түрде көрсетіледі. (кіріспе 1 бет көлемінде) 2. Негізгі бөлімде оқытылып жатқан тақырып бойынша нормативті, оқу және ғылыми әдебиетті қорытындылау көрсетіледі (негізгі бөлім -6 бет) 3. Қорытынды бөлімде қысқаша түрде жұмыстың нәтижесі, нақты қорытындысы көрсетіледі. (1 бет) 4. Қолданылған әдебиеттер тізімі келесі белгілер бойынша жазылады: - Нормативті-құқықтық актілер заңды түрде - Қалған әдебиеттер алфавитті тізімде
Орындалған жұмыс мәтіні қолмен немесе 1,5 интервалда, 14 шрифта Times New Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 13 бет 25 беттің Roman компьютермен терілген стандартты А4 форматта болуы керек. Шектікті қатаң түрде сақтау қажет: сол жақ шек – 30мм, оң жақ-10мм, астыңғы-20мм, үстіңгі-20мм. Беттердң нөмірлеу жоғарғы оң жақ бұрышта. Сілтемелер тік жақшамен қажетінше сөйлемнің соңында көрсетіледі. 5 БАҚЫЛАУ КУРСТЫҚ ЖҰМЫСТАРЫНЫҢ ТАҚЫРЫБЫ 5.1 «RC тізбегіндегі ауыспалы үдерістер» тақырыбының бақылау жұмысына тапсырма Тапсырма RC – тізбегінің кіру алаңына t=0 уақыт моменттінде амплитудасы Uкіріс және ұзақтығы Т кернеу импульсі келіп түседі. i C R U вых U вх U вх U 0 t Сурет1- RC- тізбегінің сұлбасы RC-тізбегінің кестеде берілген параметрлерін нұсқаға сәйкес, осы тізбектің элементіндегі U R (t) және U С (t) кернеулерінің, i(t)-тогының диаграммасын салу (1 кестені қара): Кесте1- Берілген жұмыстың нұсқалары. № нұсқа
E, В С, мФ
Т, С R, кОм
1 10 0.01 0.01 5 2 10 0.01
0.02 10 3 10 0.01
0.025 8 4 10 0.01
0.03 2 5 10 0.01
0.035 15 6 10 0.01
0.04 20 7 12 0.01
0.045 12 8 12 0.05
0.05 7 9 12 0.05
0.055 3 10 12 0.05
0.06 3.3
11 12 0.05 0.065 33 12 14 0.05
0.07 4 13 14 0.05
0.075 4.5
Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 14 бет 25 беттің 14 14 0.05 0.01
10 15 14 0.05 0.02
15 16 14 0.025 0.03
20 17 14 0.025 0.04
13 18 14 0.025 0.05
12 19 14 0.025 0.06
7 20 14 0.025 0.07
3 2.2 Зертханалық жұмыстың теориалық негізі Кирхгофтың екінші заңы бойынша бұл тізбек үшін мынаны жазуға болады: Ri + u C = Uвх. Сыйымдылықтағы кернеу былай өрнектелуі мүмкін: Uc= q/C = 1/C(
i(t)dt
) Онда,егер Uвх.= Е деп есептесек: Ri(t)+ 1/C(
i(t)dt )= Е Теңсіздіктің интегралды формасын дифференциалды формаға ауыстырамыз, дифференциалдау арқылы мынаны аламыз: Rdi(t)/dt + i(t)/C = 0 Осы i(t)-ға қатысты дифференциалды теңсіздікті шешу арқылы RC тізбегіндегі ток үшін келесі өрнекті аламыз: i(t) = (E/R) ×e -t/ τ,
мұнда τ =R×C- уақыт тұрақтысы; U R (t)=E× e -t/
τ ; U
C (t)=E× (1- e -t/ τ).
Шешуі. Импульстің ұзақтығын 10 уақыт учаскелеріне бөліп тастаймыз және оларды бірінен кейін бірін,t аргументі ретінде,жоғарыда келтірілген тең сіздіктерге қоя отырып,әрбір i(t) уақыт нүктесі үшін ізделінді ауыспалы про- цесстердің мәнін табуға болады.Мысалы,2-ші кестеде RC тізбегіндегі токтың есептелген мәні келтірілген,ал 2-ші суретте R=1000Ом болғандағы i(t) графи- гі тұрғызылған. Кесте 2. R=1000Ом болғандағы әр түрлі уақыт аралығындағы токтың мәні. t, c 10
2•10 -4 3•10 -4 4•10
-4 5•10
-4 6•10
-4 7•10
-4 8•10
-4 9•10
-4 10 -3 i(t), mA 9,048 8,187 7,408 6,703 6,065 5,488 4,965 4,493 4,065 3,678 Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 15 бет 25 беттің
Зависимость силы тока от времени при R 1 =1000 Ом 0 0,001
0,002 0,003
0,004 0,005
0,006 0,007
0,008 0,009
0,01 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 t i(t), A 2 сурет – уақыт функциясындағы i(t) токтың мәні 5.2 «Кілтті режимдегі транзистордың жұмысы» тақырыбының бақылау жұмысына тапсырма Тапсырма 3-ші суретте кілтті каскадтағы биполярлық n-p-n транзистордың сұлбасы, ал 4-ші суретте р-n-p транзисторлары берілген. ТV Еи Uкэ
R
+ Е кк I б I к Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 16 бет 25 беттің Сурет 3- Кілтті каскадтағы биполярлық n-p-n транзистордың сұлбасы - E к
R к I к R б - + VT E и Сурет 4- Кілтті транзистордың р-n-p транзистордағы сұлбасы Жеке нұсқа бойынша кейбір негізгі каскад шамалары берілген (3 кестені қара). Транзистор типіне тәуелсіз есеп бірдей алгоритммен есептелінеді. 3 кесте- Зертханалық жұмысқа берілген нұсқалар № нұсқа
E, В Rk Ом
Eи В 1 10 500 0.91
2 10 1200 0.82 3 10 1300 0.925
4 10 2000 0.63 5 10 3000 0.835
6 10 2500 0.74 7 12 2700 0.945
8 12 1700 0.95 9 12 1800 1.1
10 12 1100 1.2 11 12 1300 1.3
12 14 1580 1.4 13 14 2100 1.5
14 14 2300 1.66 15 14 2200 1.7
16 14 1580 0.9 17 14 1230 0.8
18 14 1580 1.25 19 14 1980 1.8
20 14 2050 2.2 Д.СЕРІКБАЕВ атындағы ШЫҒЫС ҚАЗАҚСТАН МЕМЛЕКЕТТІК ТЕХНИКАЛЫҚ УНИВЕРСИТЕТІ Ф2 және ШҚМТУ 701.01- 01-1-2011 Сапа менеджмент жүйесі Силлабус (студенттерге арналған пән бойынша оқыту бағдарламасы) 17 бет 25 беттің Қажет: 1. Транзистора типін анықтау. 2. Қанығу дәрежесі S = 2-3 (өз бетімен таңдау) болғандағы Rб кедергісін анықтау.
Транзисторлы каскад күшейген және негізгі режимде жұмыс атқарады.Күшейтілген режимде күшейтілетін сигнал формасы күшейткіш арқылы бүлінбеу керек және транзистордың жұмыс режимі қанығу күйі мен толық жабылған күй арасында болуы керек.Негізгі күйде транзистор екі күйде болады: толық жабылған, егер күй ол арқылы ток өтпеген және коллектор-эмиттер аймағындағы кедергі «шексіздікке»тең; толық ашық(қаныққан), егер коллектор-эмиттер аймағындағы кедергі нольге тең болса.Қаныққан күйдегі ток Ом заңы бойынша мынаған тең Ik = Ek/Rk Транзистор базасының тогы I б күшейткіш болып табылады, және ол тәуелділігінен ток базасын он және жүз есе күшейте алады.Күшейткіш транзистордың қасиеті күшейткіш ток коэффиценті h 21э анықталады немесе басқаша , ол транзистор анықтамасында берілген. Онда матиматикалық түрде жазуға болады: Ik = h 21э · Iб , Ek/Rk = h 21э · Iб (1) Ток базасы кіріс сигналының Е и көзі арқылы пайдаболады, базалық кедергі арқылы Rб және база эмиттер аймағы арқылы өтеді, қанықтыру режимінде ол нөлге тең деп есептеледі. Жеңілдетілген кілт моделі келесі түрде көрсетіледі ( 4 сурет):
Б К E и Э R б R к - + 4 Сурет - нас б б I I кезіндегі жеңілдетілген кілт моделі Онда Ом заңы бойынша ток базасы I б = Е
Rб тең, (2) Онда(2)-ні (1)-ге қойып, Rб мәні берілген Е к, R
h 21э
арқылы табамыз. Rб= I к / h
21э =(
Е к/ R к ) / h 21э =
Е к
/( R к* h 21э ) (3) Анықтамада транзистор мәні h 21э,
h 21э
–min, h 21э
max дейін аралығы келтіріледі,сондықтан 3 өрнектен күшейткіш коэффицентінің минималды мәнін алу керек. Транзистордың қанықтыру беріктілігін көбейту үшін, ток базасының қанықтыруы “ қормен” 2 есе немесе 3 есе қанығу дәрежесі S=2 3 ұлғаяды, сонда есептеу мәнін S мөлшеріне бөлу қажет, сол бізде жұмыс мәні болып табылады.
|