Дәріс жартылай өткізгіштік физика негіздері. Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі. P-n ауысу теориясы. Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Негізгі ақпарат
жүктеу/скачать 1,04 Mb.
|
- Бұл бет үшін навигация:
- Шоттки диодында
| Жiктелiнуi:
Жартылайөткiзгiштi материал бойынша: гелилi кремнилi арсенад галилi Мiндетi бойынша: түзеткiш; импульстi; аса жоғары жиiлiктi; варикап және т.б. Жұмыс iстеу ұстанымы бойынша: көшкiндi; тунельдiк; Шоттки диоды; Жарық шашатын; Фотодиод; Ганн диоды. Төменде түзеткiш (импульстi және жоғары жиiлiктi) диодтың шартты белгiленуi көрсетiлген. Түзеткiш диод p-n ауысуының вентильді қасиетiн пайдаланады және айнымалы тоқтарды түзету үшiн қолданады. Диодты жасау үшiн Ge және Si қолданылады. Түзеткiш диод өзiне берiлген кернеудi басқаратын электронды кiлттi (ЭК) жинайды. llтура кезiнде ЭК жабық, Uкерi кезiнде ЭК ашық. Тура кернеу берiлгенде диодтағы кернеудiң төмендеу әсерiнен жүктемедегi кернеуiнен бiршама аз болады. Германийден жасалынған диодтың тура кернеуi Ug тура -0,5В, ал кремнийден жасалынған диодтағы Ug тура ≤ 1-1,5В. Түзеткiш диодтың негiзгi параметрлерi: Iтура орт. max – диодтың (Uкiр периоды iшiндегi) орташа тура тоғының максималды мәнi; Uкерi қос. – тұрақты керi кернеуленген диодтың ең үлкен рауалы мәнi; Ғmax fвх кiрiс сигналының максималды рауалы жиiлiгi; Uтура – тура тоқ берiлген кездегi диодтағы кернеудiң тiкелей төмендеуi. Қуаты бойынша диодтар төмендегiдей жiктелiнедi: аз қуатты ( Iтура орт.max ≤0,3А ) орташа қуатты (Iтура орт.max -(0,3-10А)) жоғары қуатты (Iтура орт.max >10A) Жиiлiгi бойынша диодтар жiктелiнедi: төмен жиiлiктi (ТЖ) - fmax<103Гц жоғары жиiлiктi (ЖЖ) – fmax>103 Гц Түзеткiш диод ретiнде Шоттки диодында қолдануға болады, оның шартты белгiленуi төменде көрсетiлген. Шоттки диоды p-n ауысуының Uтура кернеуiнің кiшiлiгiмен және жиiлiктi сипаттамаларының жоғарылығымен сипатталынады. Импульстi диод - өтпелi үрдiстерi қысқа болатын және жұмыс кезiнде вольт-амперлiк сипаттамасының (ВАС) тура және керi тармақтарын (түзеткiш диодтар сияқты) қолданатын жартылайөткiзгiштi диод. Диодтағы өтпелi үрдiстердiң ұзақтығы Сдиф және Сзар сыйымдылықтарының қайта зарядталынуына байланысты. Инжекция деңгейi төмен кезiнде өтпелi үрдiстердегi тосқауылдық сыйымдылықтың қайта зарядталынуының маңызы зор. Инжекция деңiгейi жоғарлаған кезде зарядтарды жинау және сору үрдiстерi негiзгi болып табылады. Соңғы құбылыс диод жылдамдығын анықтайды және арнайы параметрi τққ – қалпына келтiру уақытымен сипатталынады. Сонымен импульстi диодтарда τққ – қалпына келтiру уақыты диод жылдамдығын сипаттайды. Жылдамдықты жоғарлату үшiн импульстi диодтарды нүктелiк құрылым түрiнде дайындайды, бұл оның p-n ауысу ауданының минималды болуына себеп болады. Сонымен қатар, τққ шамасын азайту үшiн база енiн (қалыңдығын) барынша жұқа етiп жасайды. Импульстiк диод ретiнде Шоттки диодын қолдануға болады. Аса жоғары жиiлiктi (АЖЖ) диод. Аса жоғары жиiлiктi сигналдарды (10-100Гц) түрлендiру және өңдеу үшiн арналған. Аса жоғары жиiлiктi диапазондағы электромагниттi тербелiстердi өндiру және күшейту құрылғыларында, 1 жиiлiгiн көбейтуде, сигналдарды реттеу және шектеу жұмыстарында қолданады. Стабилитрон және стабистор. Тұрақты тоқтың сызықты емес тiзбектерiнде кернеудi тұрақтандыру үшiн қолданылады. Стабилитронның стабистордан айырмашылығы – стабилитронда кернеудi тұрақтандыру үшiн ВАС-ның керi тармағын қолданады. Диодтың ВАС-да АВ және СD бөлiмдерi бар, мұнда тоқтың айтарлықтай өзгеруiне кернеудiң аз ғана өзгеруi сәйкес келедi (олардың сызықтық тәуелдiлiгi кезiнде). Жоғары кернеудi (U>3B) тұрақтандыру үшiн ВАС-ның керi тармағы (АВ бөлiмiн) қолданылады. Бұл мақсатта қолданылатын диодтарды стабилитрондар деп атайды. Аз мәндi кернеулердi (U≤1B) тұрақтандыру үшiн, мысалы интегралды сұлбаларда ВАС-ның тура тармағын (CD бөлiмiн) қолданады, ал бұл мақсатта қолданылатын диодтарды стабистор деп атайды, және оның шартты белгiленуi төменде көрсетiлген. Оларды кремнийден жасайды. Тұрақтандыру кернеуi (3-180В) диапазонын құрайды.. Стабилитронның негiзгi параметрлерi: жүктеу/скачать 1,04 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|