Дәріс жартылай өткізгіштік физика негіздері. Жартылай өткізгіштердің электр өткізгіштігі. P-n ауысу теориясы. Негізгі және негізгі емес заряд тасымалдаушылар. Негізгі ақпарат
Белсенді режимде транзистордың p-n-ауысуы қалай ауытқыған?
жүктеу/скачать 1,04 Mb.
|
Д ріс жартылай ткізгіштік физика негіздері. Жартылай ткізгіште
- Бұл бет үшін навигация:
- 3 Қандай режимде транзисторлық каскадтың ПӘК 60-70% құрайды
- 4 Биполярлы транзисторлардың қандай қосылу сұлбалары бар
- 5 Транзисторлы күшейткіш каскадтың қандай күшейту класстары бар
- ТРАНЗИСТОР ЖӘНЕ ӨРІС ЭФФЕКТІСІ ТРАНЗИСТОРЫ. БИПОЛЯРЛЫҚ ЖӘНЕ ПОЛЕВЙ ТРАНЗИСТОР.ВАХы
- Биполярлы транзисторлар
| 2 Белсенді режимде транзистордың p-n-ауысуы қалай ауытқыған?
A) Эмиттерлі және коллекторлы ауысулары жабық; B) Эмиттерлі және коллекторлы ауысулары ашық; C) Эмиттерлі ауысу ашық, коллекторлы ауысу жабық D) Эмиттерлі ауысуы жабық, коллекторлы ауысуы ашық; E) Эмиттерлі және коллекторлы ауысулары кері бағытта ауытқыған. 3 Қандай режимде транзисторлық каскадтың ПӘК 60-70% құрайды? A) В күшейту класы режимінде; B) АВ күшейту класы режимінде; C) А күшейту класы режимінде; D) D күшейту класы режимінде; E) С күшейту класы режимінде. 4 Биполярлы транзисторлардың қандай қосылу сұлбалары бар? A) Ортақ базалы (ОБ), ортақ эмиттерлі (ОЭ) және ортақ бастаулы (ОИ); B) Ортақ базалы (ОБ), ортақ эмиттерлі (ОЭ) және ортақ коллекторлы (ОК); C) Ортақ коллекторлы (ОК), ортақ базалы (ОБ) және ортақ бастаулы (ОИ); D) Ортақ құймалы (ОҚ), ортақ базалы (ОБ) және ортақ эмиттерлі (ОЭ); E) Ортақ бекітпелі (ОБ), ортақ эмиттерлі (ОЭ) және ортақ коллекторлы (ОК). 5 Транзисторлы күшейткіш каскадтың қандай күшейту класстары бар? A) A, B, AB, C, AC; B) A, B, C, D, E; C) A, B, C, AC, D; D) A, B, AB, C, D; E) A, B, C, D, AD; Дәріс 5 ТРАНЗИСТОРЛЕР. ЖҰМЫС ТЕОРИЯСЫ ЖӘНЕ БИПОЛЯРДЫҢ ӘРЕКЕТ ЕТУ ПРИНЦИПІ ТРАНЗИСТОР ЖӘНЕ ӨРІС ЭФФЕКТІСІ ТРАНЗИСТОРЫ. БИПОЛЯРЛЫҚ ЖӘНЕ ПОЛЕВЙ ТРАНЗИСТОР.ВАХы Биполярлы транзистордың төрт жұмыс режимі (кесу, қанықтылық, белсенді және кері). Транзистордың эквивалентті тізбектері. биполярлы транзистордың шағын сигналдық моделінің параметрлері және олардың анықтамасы Биполярлы транзисторлар Биполярлы транзистор – екi өзара әрекеттесушi түзеткiш электрлiк ауысулары және үш шықпалары бар жартылайөткiзгiштi аспап, оның күшейту қабiлетi негiзгi емес зарядтардың инжекциясы және эстракциясы құбылыстармен анықталады. Биполярлы транзисторда бiр уақытта заряд тасымалдағыштарының екi типi – электрондар және кемтiктер қолданылады (Биполярлы деген атау осыдан шыққан). Транзисторлардың p-n-p және n-p-n түрлерi болады. n-p-n транзисторлары кеңiнен қолданылады. Шартты графиктiк белгiленуi төмендегiдей
Биполярлы транзистордың жұмысы екi p-n ауысуының өзара әрекеттесуiне негiзделген, бұл транзистор базасы аймағындағы қалындық осы аймақтағы заряд тасымалдағыштардың L-диффузиялық ұзындығынан кем етiп алу нәтижесiнде iске асады. Транзистор жұмысының ұстанымын n-p-n- типтi транзистор мысалында қарастырайық, мұнда n (эмиттерлi ) Nn – аймақтағы негiзгi тасымалдағыштар концентрациясы р (базалық) Pp- аймаққа қарағанда айтарлықтай көп, яғни Nn>>Pp. Жартылайөткiзгiш (эмиттерлi-, коллекторлы-, базалық) – аймақтарға дәнекерленiп жабыстырылған металдық шықпалар аймақтарға сәйкес Эмиттерлi, Коллекторлы, Базалық шықпалар деп аталады. Эмиттерлi ауысуға база – эмиттер (Uбэ) тура кернеуiн, ал Коллекторлы ауысуға коллектор – база (Uкб) керi кернеуiн берейiк. Нәтижесiнде Эмиттерлi ауысу арқылы база (Б) аймағына электрондар инжекцияланады да (база аймағынан Эмиттерлi аймаққа кемтiктердiң инжекциялануын ескермеймiз), транзистордың Iэ эмититерлi тоғын қалыптастырады. База аймағына инжекцияланған электрондардың бiр бөлiгi осы аймақ үшiн негiзгi тасымал болып табылады – кемтiктермен рекомбинациялана отырып Iб – тоғын қалыптастырады. Коллекторлы ауысуға жеткен инжекцияланған электрондарды тағы бiр бөлiгi коллектор – база Uкб кернеуi тудырған электрлiк өрiс көмегiмен транзистордың коллекторлы аймағына экстракцияланады да, Iк – коллектолы тоғын қалыптастырады. Эмиттерлi ауысу арқылы өтетiн электрондар ағымына қарағанда Коллекторлы ауысу арқылы өтетiн электрондар ағымының (сондай-ақ, Iк – коллекторлы тоқтың) азаюын келесi қатынаспен ескеруге болады: Iк =α*Iэ мұнда α=0.95÷0.99 – эмиттер тоғын өткiзу коэффициентi. Через запертый коллекторный переход будет создаваться обратный ток IКБО, образованный потоком из n – в p- область неосновных для коллекторной области носителей заряда - дырок p, который совместно с током коллектора IK образует выходной ток транзистора. Кемтiктердiң n- аймақтан p- аймаққа өту ағымы нәтижесiнде жабық коллекторлы ауысу арқылы өтетін Iкбк - керi тоғы коллекторлы аймақ үшiн негiзгi емес (p кемтіктері) заряд тасымалдағыштарымен қалыптасады. Ол Iк – коллекторлық тоқпен бiрге транзистордың шығыс тоғын қалыптастырады. IK = IK + IКБО = IЭ+ IKБО. (1) Базалық шықпадағы тоқ: Iб=Iб’ -Iкбо . α*Iэ>>Iкбо болғандықтан (1) формуладан келесi түйiн қалыптасады Iк=α*Iэ . Iк=α*Iб , β=α/(1-α) – база тоғын өткiзудiң динамиклық коэффициентi, β>>1. Транзистордың негiзгi қасиеттерi базадағы үрдiстермен анықталады. Егер бүкiл базалық қабаттағы қоспалар концентрациясы бiрыңғай болса, яғни База бiртектес болса, онда ондағы заряд тасымалдағыштардың сипаттамасы (транзисторға сыртқы кернеу берiлмеген кезде) таза диффузиялық сипатқа ие. Егер база бiртектес болмаса, қалыптасқан iшкi электрлiк нәтижесiнде тасымалдағыштар қозғалысы комбинацияланады. Бiртектес базалы транзистор диффузиялы, бiртектес емес базалы транзистор – дрейфты деп аталады. Соңғысы жақсы жиiлiктiк қасиеттерге ие және кеңiнен қолданылады. Керi ауытқыған коллекторлы ауысудың (оған керi кернеу берген кездегi) кедергiсi өте үлкен болады (бiрнеше МОм). Сондықтан коллектор тiзбегiне коллекторлық тоқ мәнiн өзгертпей-ақ, айтарлықтай үлкен кедергiсi бар жүктемелi резисторлар қосуға болады. Сәйкесiнше жүктеме тiзбегiнде үлкен көлемдегi қуат бөлiнiп шығады. Тура ауытқан эмиттерлi ауысудың кедергiсi керiсiнше өте аз (ондаған Ом). Сондықтан эмиттерлi және коллекторлы тоқтардың бiрдей мәндерi кезiндегi эмиттер тiзбегiнде тұтынатын қуат өте аз болады, яғни транзистор қуат күшейтетiн жартылайөткiзгiш аспап. Екiншi жағынан кiрiс кернеуiнiң төмен мәндерi (вольттың оныншы бөлiгiн құрайтын эмититерлi ауысудың тура ауытқуы) және жоғары шығыс мәндерi (коллекторлы ауысудың керi ауытқуы) басқарушы сызықты емес элемент (транзистор) кернеу күшейту үшiн қолданылады. Жұмыс iстеу режимдерi. Биполярлы транзистордың әрбiр ауысуын тура, не керi бағытқа қосуға болады. осыған байланысты транзистордың келесiдей төрт режимы болады: жүктеу/скачать 1,04 Mb. Достарыңызбен бөлісу:
|