Электронды-Кемтіктік Ауысу
p
–n-ауысу – монокристалл жартылай өткізгіштерге
легирлеуіш қоспа (қ. Легирлеуіш элементтер) араластырғанда
қоспалық электрондық өткізгіштердің (n-типтес) қоспалық
кемтіктік өткізгіштік (p-типтес) пайда болатын аймақ (облыс).
Жартылай өткізгіштердің p-немесе n-аймақтарында көлемдік
электр зарядтары түзіледі. Осы электр зарядтарының электр
өрісі, p-не n-аймақтары арқылы негізгі ток тасушылардың
өтуіне кедергі жасайды. Сондықтан сол шекарада негізгі ток
тасушлар үшін жапқыш қабат дейтін қабат түзіледі. Сыртқы
электр өрісінде Э.-к. а. бір жақты (вентильді) өткізгіштік
қасиетке ие болады. Э.-к. а. əр түрлі жартылай өткізгіштік
приборда (мыс., түзеткіш диод, транзистор, т.б.) кеңінен
қолданылады.
Диодты қосу кезінде p-n-ауысу арқылы токтың
пайда болуы кері бағытта.
.
Суретте көріп отырғанымыздай, қоректендіру көзінің оң
полюсі N аймағына, ал теріс полюс P аймағына қосылған.
Нəтижесінде N аймағының электрондары көздің оң полюсіне
қарай асығады. Өз кезегінде, Р аймағындағы оң зарядтар
(саңылаулар) қуат көзінің теріс полюсі арқылы тартылады.
Сондықтан, ауданы P-N өту, суретте көрініп тұрғандай, бос
орын пайда болады, ток өткізетін ештеңе жоқ, заряд
тасымалдаушылар жоқ.Қуат көзінің кернеуінің жоғарылауымен
электрондар мен саңылаулар батареяның электр өрісімен
көбірек тартылады, ал P-N ауысу аймағында заряд
тасымалдаушылар азайып барады. Сондықтан кері
Достарыңызбен бөлісу: |