Электронды-Кемтіктік Ауысу p –n-ауысу


- Электрлік тесілу қайтымды, яғни кері кернеудің шамасын азайтқанда



Pdf көрінісі
бет3/3
Дата31.01.2023
өлшемі1,08 Mb.
#64011
1   2   3
-
Электрлік тесілу қайтымды, яғни кері кернеудің шамасын азайтқанда 
p-n-
ауысудың бастапқы түзеткіштік қасиеттері қалпына келеді.
-
Тасқындық тесілу əдетте шамалы легирленген «енді» p-n-ауысуларда
негізгі емес заряд тасымалдаушылардың тасқынды түрде көбеюінен
болады. Электр өрісі айтарлықтай жоғары болғанда электрондар
өрісте үдей қозғала отырып, соқтығысқанда жартылайөткізгіштің
валенттік электрондарын жұлып шығаратындай жылдамдыққа ие
болуы мүмкін. Жұлынған əрбір электрон өрісте əрі қарай үдеп келесі
электрондар буынын тудырады. Бұл үрдіс тасқындық түрде жалғаса
береді.


-
Туннельдік тесілу əдетте легирлену дəрежесі жоғары «жұқа» p-n-ауысуларда
болады. Күшті электр өрісі əсерінен валентті электрондардың жұлынуы орын
алады. Нəтижесінде p-n-ауысу көлемінде еркін электрон пайда болады.
-
Жылулық тесілу қайтымсыз құбылыс. Ол кезде кері токтың əсерінен p-n-
ауысу
қызады.
Қызу
барысында
p-n-
ауысуда
негізгі
емес
заряд
тасымалдаушылардың саны артады. Бұл өз кезегінде Ікері кері токтың мəнін
жоғарылатып, p-n-ауысудың қызу жылдамдығы жоғарылайды. Кристаллдық
тор бұзылып (балқып), электрлік қасиеттер қайта қалпына келмейді.


Кернеу тұрақтандырғышында балласт 
кедергісі қандай мақсатта орнатылады?


Қорытынды


Пайдаланылғанәдебиеттер:
https://kk.wikipedia.org/wiki/%D0%AD%D0%BB%D0%B5%D0%BA%D1%82%D1%80%D0%BE%D0%BD%D0%B4%D1%8B-
%D0%9A%D0%B5%D0%BC%D1%82%D1%96%D0%BA%D1%82%D1%96%D0%BA_%D0%90%D1%83%D1%8B%D1%81%D 
1%83
- Рывкин С.М. Фотоэлектрические явления в
полупроводниках. – М.: Физматгиз, 1963
.


НАЗАРЛАРЫҢЫЗҒА
РАХМЕТ!!!


Достарыңызбен бөлісу:
1   2   3




©emirsaba.org 2024
әкімшілігінің қараңыз

    Басты бет